I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni e lo studio autonomo di eventuali testi di riferimento in preparazioneall’esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell’università attribuibile al docente del corso o al relatore
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Appunti di Elettronica

Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria i

Dal corso del Prof. C. Marzocca

Università Politecnico di Bari

Appunto
3,7 / 5
Appunti Elettronica su: diodo a giunzione, drogaggio non uniforme, regione di carica spaziale, giunzione pn all’equilibrio e formazione della regione di carica spaziale, la giunzione pn in polarizzazione inversa, corrente di saturazione inversa, Il fenomeno del breakdown.
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Appunti di Elettronica sulle modulazionicon analisi e definizioni delle differenti tipologie di modulazione esistenti: modulazione analogica, modulazione digitale, modulazione di ampiezza ASK, modulazione di frequenza FSK, modulazione di fase PSK, modulazione 4 PSK e modulazione QPSK.
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Appunti contenenti 12 capitoli che compongono il corso di Elettronica 2 di Ingegneria elettronica. Nello specifico gli argomenti trattati sono i seguenti: modelli per transistori bipolari, modelli per transistori MOS, confronto tra BJT e MOSFET, amplificatori a singolo transistore in tecnologia bipolare.
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Appunti di Elettronica riguardanti i campi elettromagnetici. Nello specifico gli argomenti trattati sono i seguenti: soluzione di campi elettrostatici, equazione delle differenze finite, equazione alle differenze come bilancio di flussi, condizioni al contorno, il sistema di equazioni.
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Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. P. Del Vecchio

Università Università degli Studi Roma Tre

Appunto
3,5 / 5
Appunti presi da me a lezione. Il corso nel 2008/09 è tenuto dal Prof. Paolo Del Vecchio.L'opera non è né revisionata né approvata dal Docente. Non escludo pertanto la presenza di errori e imprecisioni.Non mi assumo nessuna responsabilità derivante dall'uso di questi appunti
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Esame Elettronica 1

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. G. Lullo

Università Università degli Studi di Palermo

Appunto
4 / 5
Appunti per l'esame del professor Lullo sull'introduzione al Corso di Elettronica 1. Richiami sulle caratteristiche elettriche e sui modelli dei principali dispositivi elettronici. Parametri quadripolari ed il concetto di amplificazione. Amplificatori Operazionali: concetti di base e loro impiego. Le diverse configurazioni di amplificatori basati transistori bipolari a giunzione e ad effetto di campo. Analisi al variare della frequenza. Le configurazioni circuitali impiegate nei circuiti integrati lineari: amplificatore differenziale, specchio di corrente, carichi attivi, riferimenti di tensione, configurazione Darlington. La reazione negli amplificatori: benefici e criteri di progetto. I circuiti oscillatori.
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Esame Elettronica 1

Facoltà Interfacoltà

Dal corso del Prof. S. Merlo

Università Università degli Studi di Pavia

Appunto
2,7 / 5
Appunti ed esercizi per l'esame di Elettronica 1 della professoressa Merlo. Sono presenti una raccolta di alcune prove svolte e teoria sui transistor. Gli argomenti trattati sono i seguenti: soluzione, transistor, circuiti, reti, Common Gate Amplifier.
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Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Noto

Università Università degli Studi di Pisa

Appunto
Appunti di Elettronica per l'esame del professor Noto. Gli argomenti trattati sono i seguenti: Sistemi Primo Ordine, la discussione qualitativa sulla carica in un circuito RC, esponenziale e costante di tempo, l'ordine di un sistema, lo studio nel dominio del tempo di un circuito RC alle differenze finite.
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Esame Elettronica 2

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. C. Arnone

Università Università degli Studi di Palermo

Appunto
5 / 5
Appunti di Elettronica per l'esame del professor Arnone su: Segnali a basso e alto livello. Condizionamento di segnale. Frequenze audio, video e RF, concetto di dinamica e rumore. Circuiti RLC di interesse applicativo. Risposta ai transitori. Logiche a diodi, limitatori, fissatori e rivelatori di picco. Attenuatori variabili. Struttura generale di un sistema elettronico, dal sensore all’attuatore. Principali famiglie logiche e relative caratteristiche. Margine di rumore. Fan-in, fan-out, tempi di propagazione. Pull-up e pull-down, uscite open collector e open drain. Flusso del processo MOS e del processo CMOS. Capacità parassite nei MOS, potenza dissipata e relativi limiti teorici. Tempo di propagazione nei CMOS, porte NOR, NAND e di trasmissione. Dispositivi bipolari, struttura tipica, tempo di risposta. Struttura totem-pole, open collector e applicazioni. Logica ad iniezione di corrente e applicazioni. Tecnologia BiCMOS. Logiche ECL. Impiego dell’isteresi nei circuiti di condizionamento. Schmitt trigger e applicazioni. Circuiti di sample-and-hold e di track-and-hold. Switch analogici e applicazioni. Principali convertitori D/A. Principali convertitori A/D. Applicazioni dei convertitori D/A e A/D. Il fotomoltiplicatore come esempio di convertitore con uscita in frequenza. Convertitore A/D di tipo Sigma-Delta e applicazioni. Interfacce digitali di potenza.
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Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria dei processi industriali

Dal corso del Prof. A. Fazzi

Università Politecnico di Milano

Appunto
3,5 / 5
Appunti di Elettronica per l'esame del professor Fazzi su: Diodo: trasporto di carica nel semiconduttore, studio della giunzione PN, caratteristica del diodo; Transistor: funzionamento del BJT in polarizzazione diretta e in zona di saturazione sia su NPN che PNP, circuito equivalente, studio delle configurazioni a emettitore comune, base comune e collettore comune, realizzazione di uno stadio di amplificazione con valutazione di impedenza di ingresso e uscita, stadio differenziale; Amplificatore operazionale: modello interno, circuito equivalente per piccoli segnali, utilizzo nei sistemi retroazionati in configurazione invertente, non invertente e differenziale sempre con valutazione di impedenza di ingresso e di uscita, analisi della risposta in frequenza in configurazione invertente, non invertente, integratore, derivatore e studio del comparatore.
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Esame Elettronica

Facoltà Ingegneria

Appunto
Appunti di Elettronica per l'esame del professor Strollo. Gli argomenti trattati sono i seguenti: diodi e alcune applicazioni, resistività, polarizzazione, raddrizzatore a singola semionda, modello del diodo a caduta costante con resistenza serie, regione di Breakdown.
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Esame Elettronica II

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. G. Conte

Università Università degli Studi Roma Tre

Appunto
3 / 5
Appunti di Elettronica II per l'esame del Professor Conte. Gli argomenti trattati sono i seguenti: OpAmp, Effetto del carico, OpAmp ideale, Configurazione non invertente, Configurazione invertente, Inseguitore di tensione, De-sensibilizzazione, Inseguitore di tensione, Ri, Ro: OpAmp ideale, Ri, Ro: OpAmp ideale, Vincoli; non-invertente, Amplificatore sommatore, Dissipazione interna, Esercizi, Erogazione di corrente, Saturazione dell’uscita, Non-idealità OpAmp non invertente, Componenti reattive, Derivatore, Singola Alimentazione.
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Esame Elettronica analogica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Cusano

Università Università degli Studi del Sannio

Appunto
4 / 5
Raccolta delle dimostrazioni del corso di Elettronica analogica del professore Cusano dell'Università degli studi del Sannio basati su appunti personali del publisher presi alle lezioni del prof. Cusano: -Amplificatori operazionali -Diodo -Ponte raddrizzatore -Mos-fet
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Esame Elettronica analogica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Cusano

Università Università degli Studi del Sannio

Appunto
4,5 / 5
Appunti del corso di elettronica analogica dell'università degli studi del sannio: -introduzione all'elettronica -generatori controllati -amplificatore operazionale -rispopsta in frequenza di un amplificatore operazionale -diodo -introduzione ai transistor -mosfet -configurazioni amplificatori con mosfet -risposta in frequenza dei mosfet
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Esame Fondamenti di elettronica

Facoltà Ingegneria dell'informazione iii

Dal corso del Prof. G. Lombardi

Università Politecnico di Torino

Appunto
4 / 5
Appunti del corso di Fondamenti di Elettrotecnica tenuto dal professor Guido Lombardi per Ingegneria Aerospaziale al Politecnico di Torino basati su appunti personali del publisher presi alle lezioni del prof. Lombardi dell’università Politecnico di Torino - Polito. Scarica il file in formato PDF!
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Esame Misure elettriche ed elettroniche

Facoltà Medicina e chirurgia

Dal corso del Prof. F. Scolari

Università Università degli Studi di Brescia

Appunto
3 / 5
Sono 52 pagine di appunto e c'è tutto quello da sapere per l' esame di misure elettriche ed elettroniche. Appunti basati su appunti personali del publisher presi alle lezioni del prof. Scolari dell’università degli Studi di Brescia - Unibs. Scarica il file in formato PDF!
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Esame Elettronica Digitale

Facoltà Ingegneria

Appunto
4,3 / 5
PROGRAMMA DEL CORSO A.A. 15/16 - Introduzione all’elettronica digitale: + 01: Inverter ideale. + 01: Definizioni caratteristiche statiche e livelli logici. + 01: Margini di rumore e loro ottimizzazione. + 01: Modelli semplificati del MOSFET: resistenza equivalente. - Porte elementari MOS: - Inverter NMOS con carico resistivo: + 02: Principio di funzionamento e criteri di progetto. + 02: Caratteristiche in DC (calcolo margini di rumore, con teorema Dini). + 02: Caratteristiche nel transitorio (tempi di propagazione, salita, discesa). + 02: Calcolo tempo di salita inverter NMOS. + 03: Calcolo tempi di discesa e di propagazione inverter NMOS. + 03: Prodotto ritardo-potenza. - Inverter NMOS con carico attivo: + 03: Carico a svuotamento: analisi qualitativa caratteristica statica e dinamica. + 03: Logica pseudo-NMOS: analisi qualitativa caratteristica statica e dinamica. + 03: Dimensionamento transistor di carico: criteri di progetto e scalatura. Week 2: (28/09/2015-02/10/2015) Inverter CMOS: analisi e progetto. Buffer CMOS. - Inverter CMOS: + 04: Regioni di funzionamento. + 04: Caratteristiche in DC. + 04: Calcolo margini di rumore nel caso generico, con teorema Dini. + 04: Calcolo tempi salita, discesa, propagazione. - Consumo di potenza: + 04: Calcolo della potenza statica. Problema degli ingressi flottanti. + 04: Calcolo potenza dinamica per il CMOS. + 04: Massima frequenza di switch e prodotto ritardo-potenza. - Disegno e layout dell’inverter CMOS: + 04: Esempio di layout di un inverter CMOS e problema del latchup. - Dimensionamento inverter CMOS: + 05: Strategie per il dimensionamento degli inverter. + 05: Calcolo delle dimensioni ottime per minimizzare l’area di gate. + 06: Dimensionamento a tempo di propagazione assegnato. + 06: Esempio di calcolo dei parametri di un inverter CMOS in tecnologia 0.35 ➭m: calcolo delle capacit`a parassite di gate e di giunzione. - Buffer CMOS: + 06: Calcolo dei ritardi e della loro ripartizione ottima (uniforme). + 06: Minimizzazione del ritardo totale (calcolo numero ottimo di stadi). Programma del corso di Elettronica Digitale Anno Accademico 2015-2016 2/4 Week 3: (05/10/2015-09/10/2015) Circuiti logici CMOS. - Porte logiche CMOS: + 07: NAND e NOR a due e pi`u ingressi. + 07: Caratteristiche in DC, analisi e formule di progetto. + 07: Esempio di layout ottimizzato. + 07: Transitorio CMOS con metodo di sostituzione con RC. + 07: Formula di Elmore. + 08: Progetto a tempo di propagazione assegnato. + 08: Porte CMOS tri-state: schemi elementari e con buffer. + 09: Logica multivalore: IEEE-1164, risoluzione e funzioni logiche. + 09: Porte logiche CMOS complesse: sintesi. + 09: Porte logiche XOR e XNOR in forma complementare e a specchio. Week 4: (12/10/2015-16/10/2015) Switch MOS (transmission gates) e bipolari (RTL). - Esercizi: + 10: [Esercizio E1]: progetto di inverter NMOS a soglia logica assegnata. + 10: [Esercizio E2]: progetto porta NOR CMOS a tempo di propagazione assegnato. - Transmission gates: + 11: Interruttore con nFET e pFET. + 11: Clock feedthrough. + 11: Interruttore CMOS. + 11: Transmission-gate XOR e XNOR. - Porte elementari con BJT: + 12: Modello del BJT e sue semplificazioni. + 12: Inverter RTL e DTL: margini di rumore, caratteristiche di ingresso e di uscita, fan-out. Week 5: (19/10/2015-23/10/2015) Logica TTL e famiglie logiche standard. + 13: Inverter TTL: principio di funzionamento e stadi funzionali. + 13: Inverter TTL: caratteristica di trasferimento in tensione e regioni di funzionamento. + 13: TTL: calcolo margini di rumore, correnti, livelli logici standard. + 13: NAND e NOR in tecnologia TTL: transistor multiemettitore, porte AOI. + 13: Diodi e transistori Schottky, famiglia TTL Schottky. - Tecnologia BiCMOS: + 14: Inverter BiCMOS ad elevate prestazioni. + 14: Inverter BiCMOS ad elevate prestazioni e massimo swing logico. - Esercizi: + 15: [Esercizio E3]: Progettazione di inverter RTL e DTL discreti. Week 6: (26/10/2015-30/10/2015) Logica combinatoria. - Logica combinatoria: + 16: Circuiti aritmetici: half-adder e full-adder con carry veloce e circuito a specchio. + 16: Calcolo e simulazione tempi di propagazione in un sommatore ripple-carry a 8 bit. + 17: Carry chain per sommatori binari: architetture carry-skip e carry lookahead. + 17: Sottrattori binari per numeri in complemento a 2. + 17: Moltiplicatori binari: somma per righe e per diagonali (carry save). + 18: Shift logico e aritmetico. Barrel shifter. + 18: Comparatori. Decodificatori e demultiplexer CMOS e a matrici NAND e NOR. + 18: Circuiti MSI: sommatori, comparatori, decoder, encoder, multiplexer. Programma del corso di Elettronica Digitale Anno Accademico 2015-2016 3/4 Week 7: (02/11/2015-06/11/2015) Logica sequenziale. - Circuiti sequenziali elementari: + 19: Circuiti bistabili con inverter retroazionati. + 19: Latch SR a NOR e a NAND, schema circuitale semplificato a 6 transistor. + 19: Latch trasparenti di tipo D. + 19: Setup-time e Hold-time. + 20: Flip-Flop in configurazione master/slave di tipo D e JK. + 20: Soluzioni circuitali per flip-flop di tipo D e T. - Circuiti sequenziali complessi: + 20: Circuiti MSI: shift registers. + 21: Circuiti MSI: contatori sincroni e asincroni. + 21: Flip-Flop D/T per contatori sincroni. - Progetto di sistemi a stati finiti: + 21: Sistemi a stati finiti (FSM): introduzione e definizioni formali. Equivalenza di FSM. Week 8: (09/11/2015-13/11/2015) Logica sequenziale. Logica programmabile: PLA, CPLD, FPGA. + 22: Minimizzazione degli stati di una FSM: algoritmo di Paull-Unger. + 22: Modello di Huffman e tabella delle eccitazioni per FF D, T e JK. + 22: FSM: descrizione della sequenza di progetto. + 22: Esempio di progetto di una FSM completamente specificata, con FF di tipo D. + 23: Esempio di progetto di una FSM non completamente specificata. - Displositivi logici programmabili (PLD) + 23: Array logici: piani AND e OR. PLA e PAL. + 23: Architettura delle CPLD. + 24: Architettura delle FPGA. + 24: Esempio di progetto con CPLD: orologio. Week 9: (16/11/2015-20/11/2015) Il linguaggio VHDL. + 25: Introduzione al VHDL. + 25: Esempio di progetto in VHDL: FF D e contatore asincrono. + 26: Elementi base della grammatica del linguaggio. Modello di computazione. + 27: Esempio contatore sincrono con tipi std_logici, modelli di ritardo, architetture multiple. Implementazione dei vari tipi di sommatori. Week 10: (23/11/2015-27/11/2015) Memorie volatili e non volatili, interfacce parallele (SRAM, DRAM, NAND). - Classificazione e caratteristiche dei principali tipi di memoria. + 28: Memorie volatili e non, granularità di riprogrammazione. + 28: Accesso casuale e sequenziale. - Memorie non volatili: + 28: Memorie ROM con architetture NOR e NAND. + 28: Transistor MOS con floating gate: caratteristica i(v). + 28: Programmazione/cancellazione mediante hot electrons ed effetto tunnel. + 28: Memorie PROM, EPROM, EEPROM, FLASH. + 29: Interfacce FLASH native NAND e NOR. + 29: EEPROM: cella con access transistor, tabelle di pilotaggio delle righe e colonne. - Memorie volatili: - RAM statiche CMOS: + 29: Cella a 6 transistor. + 30: Sense amplifiers per memorie statiche: circuiti rigenerativi e isolati. - RAM dinamiche: + 30: Cella a 1 transistor. + 30: Sense amplifiers per memorie dinamiche: circuiti rigenerativi, precarica e celle fittizie. - Organizzazione delle memorie: + 30: Floorplan di un banco di memoria: decoder, celle, sense amplifiers. + 30: Interfacce parallele per memorie: SRAM, DRAM e SDRAM. Week 11: (30/11/2015-04/12/2015) Interfacce seriali. Progettazione di circuiti sincroni. + 31: Interfacce seriali: protocollo SPI e IIC. + 31: Protocollo IIC: architettura e funzionamento. Week 12: (07/12/2015-11/12/2015) Progettazione di circuiti veloci. Testabilit`a dei circuiti, JTAG. + 34: Contatori Johnson. + 34: Creazione di scan path per il test dei circuiti: boundary scan e interfaccia JTAG. Contatori sincroni, FSM non completamente specificate. Alla fine ci sono alcuni appelli svolti con soluzioni numeriche e procedimento
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Esame Elettronica digitale

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. N. Lamberti

Università Università degli Studi di Salerno

Appunto
5 / 5
Appunti del corso di elettronica digitale. Argomenti di questi appunti: - Descrizione dei parametri di qualità - TTL Totem- pole - CML e ECL - EEMOS Università degli Studi di Salerno - Unisa, Facoltà di Ingegneria, Corso di laurea in ingegneria elettronica. Scarica il file in formato PDF!
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Esame Tecnologie e materiali per l'elettronica

Facoltà Ingegneria dell'informazione iii

Dal corso del Prof. C. Papuzza

Università Politecnico di Torino

Appunto
1 - Richiami sulla struttura a bande 2 - Semiconduttori 3 - Struttura cristallina 4 - Difetti cristallini 5 - Caratterizzazione 6 - Caratterizzazioni elettriche 7 - Tecniche che utilizzano il laser 8 - Tecnologia del vuoto 9 - Aree a contaminazione 10 - Caratterizzazioni strutturali 11 - Substrati 12 - Tecniche di crescita epitassiale 13 - Deposizione di strati metallici e dielettrici 14 - Deposizione di strati dielettrici 15 - Processi di diffusione 16 - Tecniche litografiche 17 - Litografia a raggi X 18 - Tecniche di incisione dei materiali 19 - Impiantazione ionica 20 - Fibre ottiche 21 - Laser a semiconduttore 22 - Caratteristiche di dispositivi laser 23 - Fotorivelatori 24 - Packaging 25 - Dispositivi ottici integrati 26 - Dispositivi per sistemi di comunicazione 27 - Dispositivi in fibra ottica 28 - Transistore MOS 29 - Tecniche di interconnessione 30 - Strumenti CAD 31 - Interconnessioni 32 - Affidabilità e degradazione dei componenti 33 - Meccanismi fisici di degradazione
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Esame Elettronica digitale

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. N. Lamberti

Università Università degli Studi di Salerno

Appunto
3,7 / 5
Appunti di elettronica digitale su: EDMOS e descrizione delle sue prestazioni. CMOS e descrizione delle sue prestazioni; confronto CMOS/FCMOS; l'analisi tempi di propagazione. Università degli Studi di Salerno - Unisa. Scarica il file in formato PDF!
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