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Estratto del documento

ENHANCEMENT-TYPE NMOS transistor

PAG. 373

OVERDRIVE VOLTAGE

VOV = VGS - VT

MAGNITUDE OF THE ELECTRIC CHARGE IN THE CHANNEL

|QI| = Cox (W/L) V

OXIDE CAPACITANCE

Cox = εox / tox

W/L: Transistor aspect ratio

μn: electron mobility

Conductance of the channel

gds = μn Cox W/L (VGS - VT)

rDS = 1/ gds

k'n = μn Cox

k'n process transconductance parameter

kn: MOSFET transconductance parameter

kn = (1/2)μn Cox W/L

Kn = μn Cox (W/L) [A/V2]

TRIODE

iD = μn Cox W/L [(VGS - VT) VDS - (1/2) VDS2]

iD = kn [(VGS - VT) VDS - (1/2) VDS2]

= 2k [(VGS - VT) VDS - (1/2) VDS2]

VGD > VT

gm = ∂iD / ∂vgs | Vgs = VDS

SATURATION

iD = (1/2) μn Cox W/L (VGS - VT)2 = k(VGS - VT)2

CHANNEL-LENGTH MODULATION

iD = (1/2) kn W/L (VGS - VT)2 (1 + (λVDS))

EARLY VOLTAGE

VA = 1/λ

OUTPUT RESISTANCE

ro = ((∂iD / ∂VDS)VGS constant

ro = 1/λ ID

ID = (1/2) μn W/L (VGS - VT)2

ro = VA / ID

P-CHANNEL MOSFET

PAC:384

VT < 0

K = 1/2 μpCox (W/L)

Transistor ON: se VCS ≤ VT (ovvero VSC ≥ |VT|)

VDS < 0     VDS > 0 iD > 0 USCENTE DA DRAIN

TRIODE

VDS ≥ VCS - VTP

VSD ≥ VSG - |VTP|

iD = K VDS (VCS - VTP) - VDS2

VSD = |Vout|

SATURATION

VDS ≤ VCS- VTP

VSD ≥ VSG - |VTP|

SENZA MUDULO

iD = K (VCS - VTP)(1 + λ VDS)

VSG = VPTP + Vout     VSD = |Vout|

PER IL PUNTO DI LAVORO SPESSO SI APPROSSIMA:

iD = K (VCS - VTP) ² λ = 1/VA λ VAS < 0

PER PICCOLO SEGNALE:

ro = |VA|/ ID     gM = 2K (VCS - VTP)

IL CIRCUITO EQUIVALENTE PER PICCOLO SEGNALE E LO STESSO PER L'N MOSFET

Common-Gate (CG) Amplifier

Small Signal Model

RIN = 1/gm ROUT = RD

VO/VSIG = (-1/gm)RD/(1/gm) + RSIG = gm(RD//RL)/RIN + RSIG

RIN = 1/gm(1+RD/r0)

VO/VSIG = RIN/RIN + RSIG(1+gm (RD//RL) r0 = RIN/RIN + RSIG gm (RD//RL)

ROUT = RD//[RSIG + r0 (1+gm RSIG)]

Common-Drain Amplifier

Small Signal Model

RIN = RI ROUT = r0//1/ gm

VO/VSIG = RIN/RIN + RSIG 1 + RL gm

Se gmRL >> 1

VO/VSIG = RIN/RIN + RSIG

VO/VSIG = VD (RL/r0) gm/RIN + RSIG + 1 + (RL/r0) gm

r0 è in parallelo a RL (DRANA MOS)

COMMON EMITTER AMP. WITH AN EMITTER RESISTANCE BJT

Initial Conditions:

V(0) = V1

i(0) = 0[A]

Node Method

vA- V = i R

vA = RC dV/dt + V

LAPLACE

s² L i(s) + s L i(0) + i(0) / C + 1 L ,

L C

3 cases: λ < W0 overdamped

λ > W0 - critically damped

Q =

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Publisher
shiva28
A.A. 2011-2012
36 pagine
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SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher shiva28 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica 1 e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Pavia o del prof Merlo Sabina.