Appunti ED:EDMOS+Circuiti logici CMOS FCMOS, parte II

EDMOS consuma poco ma è lento sostituendo il load (M_L) con un MOS a svuotamento.

Il canale già realizzato fisicamente in un NMOS, il body è di tipo p ma tra S e D è est/impl. una regione di tipo n (V_GS < 0 transiente).

Il MOS a svuotamento in V_GS > 0.

Tale circuito prende il nome di EDMOS.

V₁ M₁ soffre di effetto body poiché V_SB ≠ 0.

V_IL = V_T0 + (√|V₀ + 2φ_F - √2φ_F|).

V_DS < V_SL - V_TL V_DD ≥ V_IL V_D ≤ V_DD - V_TL

V₀ ≥ V₁ - V_T0

Nella EDMOS ho il collegamento tra GATE-SOURCE e M_L con GATE-DRAIN come nell'EKMOS per evitare che V_O sia pari a tensione di alimentazione.

Infatti se avessi avuto V_GS = 0 ottengo che V_DS < V_GS - V_TL

Allora V_DS ≥ V_TL → V_DS ≥ V_GS - V_TL

cioè c_p = V_DD → V_GS ≤ V_TL

cioè anal V_O = V_H + V_L

Sappiamo V_in = V_o perchè discesa di V_M (-V_o)

M₃, opp. M₄, ON impone anche ipoteso p_m picco! V_O

I_o = I_DS3 = I_DS4 ⇒ K₂(V_in - V_t) = 0 = un assurdo

→ M₂ punto di non saturazione D inseguiatore M₁ in triodo

K₂[2(V_in)(V_B - V_o)(V_D - V_in)(V_bo - V_o) = V_o - V_B = V_os = V_IN

cioè V_in = V_o => V_M = V_o

(EDMOS consta π di un EEXOS)

• V_ESC
• V_in
• V_off
• V_cu
• V_B
• in trodo pieco
• fuori dal punto di saturazione

quando V_B = V_t) ⇒ ❌ V_M ^m aspetto che X_g mi punto di triodo

K_B(V₁ - V_t) = K_BES2[1(V_w - ν_wo)v_in](V_in - V_t) = V₀∅(1) = 0 = V_o

quando

d(υ₀/υ_Vi/ = (k_B/K_i)

• d(V_i/d(V_t)
• d(V_i/d(V_t)
• dIn un apparato cinquantena
• conto l'equilibrio incesato

perdi (livulo

^{l.algio pass}

V₂^{a jmp}V_V

V_m = V_WT^-

1. 3acea maggiore posso crio δ∈2π = d⁷
2. dv_t/dx(_BEKOS con Valenciana)
3. L_p δn(l_B)

poi quisot - 2 E(1.91±4.8)Z

poichè scientifico da operazione dτ_١ .

d(υ_o/d_{ve xm a lodo.}

V_a = 2,25V

K_a = 2k_p (C_cos — Z_p = Z_a)

di coso ad azca minima

di ch' os do

tace i cedium fare i alqio

(CHOhttps://mail.net ad https://nazapro.net azca minima)

• V_it = 25V = 2,328V
• V_n = 2,5 x 2V = V_s 2,5 x 2,5 = 5/2 , 2,5

Per avere la dissipazione che consumi più del doppio ovviamente si

ma ad iniziazione bassa devo lavorare a bassa frequenza

devo avere una C piccola

Esercizio:

f_out = f_in C_L

V_DD = 5V

V_in = 4,5V

2(0,5V = V_{out min})

2(3,5)

C_L = 0,4 pF

Z_p1 = Z_p2 = 1

t_p = C_L (0,4666 + 0,2224) = 5 = 8,34 ms

t_p = 0,16 ms

P₃ = P_D = V_DD C_L f

Z_p = 1

Z_p = 1

25 · 10^-13 f = 2,5 · 10^-6

= 28,5 μW

V_DD = 3V

P₃ = P_D = V_DD C_L f

9 · 10^-6

100 μW

Porta

NOR

Porta

NAND

Capacità tra Drain e Bulk

C_DB → le due linearizzazioni C_a

C_DB ≈ C_a + K_aC₀

dove K_ai = (V_t - V_B)(1 - m) (ϕ₀ - V_A2)^m (ϕ₀ - V_B)^m

• contributo bulk
• per PXOS
• contributo MOS

C₃SW → parametro specie

Esempio: Partendo dal transistor di salto

1. V_B2 = V_D - V_B

se V_B < V_D → V_B3 = 0

16/11/2014

C_DB giunzione polarizzata inversamente

per il side-walk cambia la m (m = m_max 0,41) → K_max = 0,84

si ottiene K_ai = 0,79

K_pxi = 0,9 e K_pnos = 0,82

S_C = C_E(1 + φ) + C_B(1 + φ) + C_F + C_L

C_E = C_L(4ψ) + (2ψ) + φ + C_L C_L

C_E = (1 + φ) + (1 + 2ψ)2

→ E₁ V₂ C_L [(4ψ) (1 + φ)] + (1 + Ξ)2

considera un tra di riferimento:

V_CO V_COⁿ_V²

V_COⁿ_VB^t_off

t_off = t_SC[(1 + Ξ) + (1 + Ξ))

suppongo ψ = 1

t_off = t_SC[(1 + 1) + (1 + Ξ)] = t_doc(3 + F).

V₂ C_L

t_doc = 0,69 R_L C_F dove R_L = V₂/₂ k(V_LV₁)²

V_C (3 + F) = 0,69

V_DD V_LD C_F (2 + φ + Ξ)

poichè V_L è molto vicino a V_DD si ha che

(V_C − V₁) > (V_DD − V_L)²

per cui:

V_DD V_LD (2 + φ + Ξ) - (3 + F)

Quando Ξ > 1 → ( F • Ψ )

20/10/2014

t_doc [(2 + φ + Ξ)] = t_non (3 + F)

V_DD V₂ = V₁ = (3 + F) -

→ V_D = 3 - F

All'aumentar dei freq si ha che W₁ del sott di V_L

El ultime → freq

E_SC non in SCM = F•F

Calcola l'energia dissipata da un port logico:

E₁ V_DD V₁ = ε₀3² (S_uly e p.cross vol)

se supponψ 3 φ (codigo:_k)

SCE_Y 22:

4ψ

V_L C_LE (C_DD C_OL C_O C_L C_L)

se i PSI quindi

V_DD V_T + (t , C(F))

(3 + F) (C_OL C_L)

20/1000 `port di Pritziato`Rc.jsoup.Ci)_i.,t

se m fato l'e import ndi:

E_c = V_L/ (4 + F)

c₁4 + 2

F = 20

<3

4.

Psi 3

3.53

Questo graph

C_E

W_L2

eta e p uso

(₎ l'

V₁ core 2

devirementatura a

masspiugad 1

iOSfinale selecl