Appunti di Ingegneria - Università degli studi di Napoli Federico II

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Appunti di Ingegneria - Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti di Elettronica analogica sui filtri analogici

Esame Elettronica analogica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Appunti di Elettronica analogica sui filtri analogici per l'esame del prof. Irace. Il testo analizza le caratteristiche e le classificazioni dei filtri, il concetto di sensitività e le strutture del primo e secondo ordine (RLC e attive come integratori e biquad). Vengono approfondite le approssimazioni di Butterworth e Chebyshev e i metodi di realizzaione per filtri integrati, includendo le tecnologie a transconduttanza-C ($G_m$-C), MOSFET-C e a capacità commutate (Switched-Capacitor).

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Cenni sugli stadi d'uscita e amplificatori di potenza

Esame Elettronica I

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. S. Daliento

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Appunti di Elettronica I completi sulle lezioni del Prof. Daliento dedicati agli stadi d'uscita e amplificatori di potenza. Viene trattato il concetto di amplificazione di potenza con classificazione in Classe A, B e AB (push-pull). Gli appunti approfondiscono l'uso di dispositivi compositi come i transistori Darlington e includono i metodi analitici per il calcolo dei parametri termici ed elettrici fondamentali: potenza dissipata, efficienza energetica ed effetto thermal runaway.

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Appunti di Ingegneria elettronica sugli oscillatori

Esame Ingegneria elettronica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. G. Breglio

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Appunti di Ingegneria elettronica sulle lezioni del Prof. Breglio dedicati alla teoria e al progetto degli oscillatori. Il testo analizza i principi di funzionamento generico (criterio di Barkhausen) e la condizione di innesco. Vengono trattate le principali architetture: oscillatori ad anello (ring), circuiti accordati LC (Colpitts e Hartley), oscillatori a sfasamento (Phase-Shift), a ponte di Wien e gli oscillatori a cristallo, integrando l'analisi analitica con il concetto fondamentale di resistenza negativa.

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Appunti lezione di Elettronica I sul MOSFET

Esame Elettronica I

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. S. Daliento

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Appunti completi sulla lezione di Elettronica I del Prof. Daliento sul MOSFET. Contengono tutte le formule principali e le dimostrazioni fondamentali. Viene analizzato il modello a grandi e piccoli segnali, incluso il modello completo con effetto body. Sono inoltre riportati in modo dettagliato gli stadi di amplificatori elementari (Common Source, Source Follower, Common Gate) e le analisi della circuiteria più complessa come le strutture Cascode e Folded Cascode.

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Soluzioni basate sull’Internet delle Cose in uno scenario domestico assistito mediante tecnologie wireless

Esame Teoria dei segnali

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. L. Paura

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Tesi

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La tesi analizza l’applicazione dell’Internet of Things (IoT) in ambito sanitario, con particolare attenzione ai sistemi di assistenza domestica per anziani e persone fragili. Dopo una panoramica sulle tecnologie IoT e sulle principali problematiche di rete e sicurezza, vengono esaminate le soluzioni di e-Health e i servizi di Ambient Assisted Living per il monitoraggio e il supporto dei pazienti.

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Funzionamento e Prestazioni del MOSFET: Parte 2

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Continuo della prima parte di appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici, qui analizziamo come influiscono i parametri fisici del MOSFET sulle prestazioni circuitali. Questa seconda parte esamina il guadagno intrinseco massimo $\mu$ in uno stadio common-source e analizza l'impatto di $r_0$ sulle impedenze dei terminali, spiegando l'effetto degenerativo e i vantaggi delle strutture in configurazione cascode.

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Funzioni e prestazioni del MOSFET: Parte 1

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa prima parte per l'esame di Progettazione dei circuiti integrati analogici analizza analiticamente la regione ohmica, il regime di saturazione e il fenomeno del pinch-off. Include lo studio della modulazione della lunghezza del canale ($\lambda$) e il calcolo della resistenza differenziale di uscita $r_0$.

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Bipolar junction transistor and amplifiers

Esame Elettronica I

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. S. Daliento

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questi appunti del corso di Elettronica I del prof. Daliento offrono una trattazione approfondita sul transistor a giunzione bipolare (BJT). Il testo ne esamina il comportamento fisico, definisce il modello equivalente a piccolo segnale per l'analisi in frequenza e analizza le principali configurazioni circuitali elementari utilizzate per la progettazione di stadi amplificatori.

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Stadio differenziale single ended - Parte 2

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa seconda sezione di appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici approfondisce le prestazioni dinamiche dello stadio con un focus esteso sulle sorgenti di rumore e sugli effetti dei disadattamenti costruttivi. Partendo dalla modellizzazione dell'amplificatore come rete a due porte ideale, viene calcolata la densità spettrale di potenza del rumore termico e del rumore Flicker ($1/f$), evidenziando i vincoli geometrici ($W \cdot L$) necessari per la loro mitigazione in fase di progettazione. Il testo tratta inoltre l'impatto del disadattamento statistico (mismatch) delle tensioni di soglia e delle dimensioni geometriche, valutandone le conseguenze sull'offset d'ingresso e sulla degradazione del CMRR. In conclusione, viene esaminato il rumore di corrente riferito all'ingresso dovuto all'accoppiamento capacitivo di gate e ai resistori di polarizzazione esterni.

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Stadio differenziale single ended - Parte 1

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa prima sezione di appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici è dedicata all'analisi in continua e ai parametri fondamentali dello stadio differenziale CMOS single-ended con carico a specchio di corrente. Viene inizialmente studiata la polarizzazione stazionaria del circuito, ricavando analiticamente le condizioni di simmetria dei nodi e l'impatto della modulazione di lunghezza di canale ($r_0$). Successivamente, l'analisi definisce i limiti fisici della dinamica d'ingresso in modo comune ($V_{CM,min}$ e $V_{CM,max}$) e l'escursione massima della tensione di uscita (output swing). Infine, viene calcolato il guadagno differenziale dello stadio ($G_d$) tramite il modello equivalente di Norton, per poi introdurre il concetto di guadagno di modo comune e i fattori deterministici che limitano la reiezione del circuito (CMRR).

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Stadio differenziale ideale

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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In questi appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici si analizza lo stadio differenziale CMOS ideale. Viene inizialmente studiata la configurazione a carichi resistivi, dimostrando come la legge di Ohm ponga un limite invalicabile al guadagno e al CMRR. Si introduce poi la soluzione a carichi attivi per slegare il guadagno dalla polarizzazione, affrontando infine il problema del bilanciamento delle correnti tramite reti CMFB.

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CMOS OTA Doppio Stadio

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questi appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici analizzano la progettazione e la risposta in frequenza di un OTA CMOS a due stadi. Viene mostrato come l'accoppiamento dei due stadi ad alta impedenza generi due poli che compromettono la stabilità. Viene quindi introdotta la compensazione capacitiva Miller con sdoppiamento dei poli, evidenziandone i limiti e l'impatto dello zero a destra (RHP zero) sul margine di fase.

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Compensazioni di Miller sui CMOS OTA

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questi appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici analizzano le tecniche di compensazione in frequenza alternative nei CMOS OTA per aumentare l'efficienza rispetto all'approccio di Miller classico. Partendo dalla resistenza di nulling per spostare lo zero nel semipiano sinistro e cancellare il secondo polo, lo studio dimostra l'efficacia dei buffer di tensione e corrente per stabilizzare il circuito con carichi pesanti.

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Rumore randomico, Elettronica

Esame Elettronica analogica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questo file contiene gli appunti universitari di Elettronica analogica sullo studio del rumore nei dispositivi a semiconduttore. Ci concentriamo soprattutto sul Random Telegraph Noise e sul rumore 1/f, noto anche come rumore flicker, nei transistori MOSFET. Il testo è diviso in tre parti principali: 1. Analisi del Random Telegraph Noise: spieghiamo come gli elettroni vengono intrappolati e rilasciati dai difetti del reticolo cristallino, generando salti discreti di corrente a onda quadra. Vedremo anche come superare il paradosso dell'elettrone indivisibile attraverso l'approccio probabilistico e la media statistica, per ottenere lo spettro di tipo Lorentziano. 2. Il Modello di McWhorter per il rumore 1/f: descriviamo il passaggio dal singolo difetto microscopico al rumore macroscopico nei MOSFET. Utilizziamo l'ipotesi del passaggio dei portatori nell'ossido di gate per effetto tunneling, per dimostrare come la sovrapposizione di tantissime trappole uniformemente distribuite nello spazio dia origine al caratteristico andamento spettrale inversamente proporzionale alla frequenza (1/f). 3. Implicazioni circuitali e Formula di Tsividis: applichiamo i modelli fisici alla progettazione dei circuiti integrati. Analizziamo il rumore di tensione equivalente riferito al gate del MOSFET, evidenziando le regole fondamentali per il progettista analogico. Il rumore è indipendente dalla corrente di polarizzazione e può essere ridotto aumentando l'area geometrica del transistor, sfruttando l'effetto di mediazione spaziale delle fluttuazioni.

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Appunti sui Feedback in Elettronica analogica integrata

Esame Elettronica analogica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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In questi appunti di Elettronica analogica vengono trattati tutti i tipi di feedback o circuiti con retroazione relativi all'elettronica analogica integrata. 1. Voltage-current 2.Voltage-voltage 3. Current-Current e 4. Current-Voltage feedback.

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Appunti di Elettronica I su metodo delle costanti

Esame Elettronica I

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. S. Daliento

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa sezione degli appunti di Elettronica I è dedicata all'analisi della risposta in frequenza e del comportamento transitorio dei circuiti elettronici, con un focus approfondito sul calcolo e sull'applicazione delle costanti di tempo. In linea con l'approccio didattico e il testo di riferimento del Prof. Daliento (Elettronica Generale, McGraw-Hill), il materiale affronta lo studio dei circuiti dinamici del primo e del secondo ordine.

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Schemi e appunti di Elettronica II su diodo e circuiteria basata su diodo

Esame Elettronica II

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. V. D'Alessandro

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Schemi e mappe concettuali

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Schemi e appunti di Elettronica II approfonditi sulla giunzione p-n e sul diodo a semiconduttore, analizzandone i regimi di polarizzazione (diretta, inversa e breakdown) attraverso le equazioni matematiche fondamentali, a partire dall'equazione di Shockley e dal calcolo della tensione termica. Oltre ai modelli di approssimazione circuitale (ideale, a caduta costante e lineare a tratti), vengono esaminati in dettaglio i principali circuiti applicativi di base, tra cui i raddrizzatori a semionda e a onda intera (ponte di Graetz) e l'effetto del filtro capacitivo sul livellamento della tensione di ripple.

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Intorduzione al rumore elettronico

Esame Progettazione dei circuiti integrati analogici

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Irace

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Appunti di Progettazione dei circuiti integrati analogici che analizzano il compromesso tra guadagno e banda nei circuiti elettronici, ponendo il rumore (termico e dei MOSFET) come limite minimo per la corrente di polarizzazione. Spiega come calcolare la densità spettrale di potenza e come semplificare l'analisi circuitale riferendo il rumore all'ingresso.

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Appunti di Chimica - parte 3

Esame Chimica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Aronne

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa è la terza e ultima parte degli appunti delle lezioni del professore Antonio Aronne. Corso di laurea triennale in scienza e ingegneria dei materiali, primo anno, università degli studi Federico II.

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Appunti di Chimica - parte 2

Esame Chimica

Facoltà Ingegneria

Dal corso del Prof. A. Aronne

Università Università degli studi di Napoli Federico II

Appunti esame

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Questa è la seconda parte di tre degli appunti delle lezioni di chimica del professore Antonio Aronne. Corso di laurea di scienza e ingegneria dei materiali, primo anno, università degli studi Federico II.

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