Sol-gel + dip coating + spin coating
Preparazione SiO2:
- SiO2 TEOS Si(OEt)4
- Idrolisi: Si(OEt)4 + H2O → Si(OEt)3(OH) + EtOH
- Si(OEt)4 + H2O → Si(OEt)2(OH)2 + 2EtOH
condensazione... Si(OEt)2(OH)2 = Si(OEt)(OH)3 (OEt)2 Si(OH) 0 = Si(OEt)2
- Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile da catalisi acida
Rutenio: Ru (bpy)32+ -> attiva tutte proprietà di luminiscenza nelle visibile
Dip-coating: assorbente a pressione redditizia 2/3
Spin-coating: meccanismo soluzione più viscosa
- post trattamento generale K/L(u) 962
O-led
- organic light emitted diode
strato emittente > strato conduttore > substrato, contatti per anodo e catodo
- semiconduttori organici
Semiconduttore p | Semiconduttore n
- buca accettore e- portatori
BdC BdV
EF EF
giunzione p-n in contatto campo elettrico
EF
e- | e-
v v
m carico polarmente equilibrio contrario
- potenziale -
alimentazione potenziale +
elettroni trasmigra da n a p buca da p a n
nella giunzione si ricombinano buca ed elettroni
elettrone occupa la buca livello energetico poi basso energia
emissione di luce
(si prende dal energy gap)
Sol-gel + dip coating + spin coating
Preparazione SiO₂: Si usa TEOS Si(OEt)₄
Idrolisi: Si(OEt)₄ + H₂O → Si(OEt)₃(OH) + EtOH
Si(OEt)₃(OH) + H₂O → Si(OEt)₂(OH)₂ + EtOH …
Condensazione: Si(OEt)₂(OH)₂ + Si(OEt)₂(OH)₂ → (OEt)₂Si(OH)-O-Si(OEt)₂ …
→ Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile la catena.
Ru(bpy)32+: → al buio perde proprietà di luminescenza irreversibile
Dip coating: Assorbimento a spessore «relativo» 2/3
Spin coating: → mettendo la soluzione più viscosa
→ post trattamento perché x K(w) 962
O-lea → organic light emitted diode
strato emettitore, strato conduttore, substrato, contatti per anodo e catodo
Giunzione p-n
n - citi c - p
V
elettrodo, elettroni
→ emissione di luce
(↓ si prende dall'energy gap)
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Descrizione chimica dei solidi
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Contabilità gestionale (o analitica)
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Parigi o cara
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Amildosi o beta fibrillosi