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Sol-gel + dip coating + spin coating

Preparazione SiO2:

  • SiO2 TEOS Si(OEt)4
  • Idrolisi: Si(OEt)4 + H2O → Si(OEt)3(OH) + EtOH
  • Si(OEt)4 + H2O → Si(OEt)2(OH)2 + 2EtOH

condensazione... Si(OEt)2(OH)2 = Si(OEt)(OH)3 (OEt)2 Si(OH) 0 = Si(OEt)2

  • Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile da catalisi acida

Rutenio: Ru (bpy)32+ -> attiva tutte proprietà di luminiscenza nelle visibile

Dip-coating: assorbente a pressione redditizia 2/3

Spin-coating: meccanismo soluzione più viscosa

  • post trattamento generale K/L(u) 962

O-led

  • organic light emitted diode

strato emittente > strato conduttore > substrato, contatti per anodo e catodo

  • semiconduttori organici

Semiconduttore p | Semiconduttore n

  • buca accettore e- portatori

BdC BdV

EF EF

giunzione p-n in contatto campo elettrico

EF

e- | e-

v v

m carico polarmente equilibrio contrario

  • potenziale -

alimentazione potenziale +

elettroni trasmigra da n a p buca da p a n

nella giunzione si ricombinano buca ed elettroni

elettrone occupa la buca livello energetico poi basso energia

emissione di luce

(si prende dal energy gap)

Sol-gel + dip coating + spin coating

Preparazione SiO₂: Si usa TEOS Si(OEt)₄

Idrolisi: Si(OEt)₄ + H₂O → Si(OEt)₃(OH) + EtOH

Si(OEt)₃(OH) + H₂O → Si(OEt)₂(OH)₂ + EtOH …

Condensazione: Si(OEt)₂(OH)₂ + Si(OEt)₂(OH)₂ → (OEt)₂Si(OH)-O-Si(OEt)₂ …

→ Per avere soluzioni in grado di bagnare il substrato è preferibile la catena.

Ru(bpy)32+: → al buio perde proprietà di luminescenza irreversibile

Dip coating: Assorbimento a spessore «relativo» 2/3

Spin coating: → mettendo la soluzione più viscosa

→ post trattamento perché x K(w) 962

O-lea → organic light emitted diode

strato emettitore, strato conduttore, substrato, contatti per anodo e catodo

Giunzione p-n

n - citi c - p

V

elettrodo, elettroni

→ emissione di luce

(↓ si prende dall'energy gap)

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Scienze chimiche CHIM/06 Chimica organica

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