Elettronica Analogica - schema amplificatori

Amplificatori ad emettitore comune (C-E) e a source comune (C-S)

BJT e FET

I transistor a giunzione bipolare (BJT) e i transistor ad effetto di campo (FET) sono componenti fondamentali nei circuiti elettronici. Gli amplificatori ad emettitore comune (C-E) e a source comune (C-S) sono configurazioni comuni utilizzate per aumentare l'amplificazione di segnali.

Caratteristiche dei circuiti

Le caratteristiche dei circuiti di amplificatori C-E e C-S possono essere definite dai seguenti parametri:

• β: Guadagno di corrente del transistor.
• R_g: Resistenza di gate nel caso del FET.
• R_L: Resistenza di carico.
• V_th: Tensione di soglia per il FET.
• g_m: Transconduttanza del transistor.

Equazioni principali

Le equazioni per calcolare i parametri dei circuiti dinamici equivalenti includono:

• R_OUT: Resistenza di uscita.
• R_IN: Resistenza di ingresso.
• ΔV: Variazione di tensione.

In un circuito ad emettitore comune o a source comune, queste equazioni aiutano a determinare le prestazioni e l'efficienza dell'amplificatore, riuscendo a prevedere il comportamento dinamico del circuito.

Conclusioni

Gli amplificatori ad emettitore comune e a source comune sono essenziali nel campo dell'elettronica per il loro ruolo nel potenziamento dei segnali. L'analisi dei parametri chiave come β, g_m e R_IN è cruciale per ottimizzare il design e le performance dei circuiti.