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Estratto del documento

8/03/2017

Vedere la teoria sui semiconduttori (banda, mobilità)

assimilabile ad una resistenza costante

quale prendo come punto di lavoro? Dipende dalla storia del dispositivo, si tratta di una memoria

Per quanto riguarda il JFET, esso può essere usato come un generatore di corrente controllato in tensione

ANDARE JFET

I transistor più veloci sono:

  • HEMT
  • HBT
  • MESFET
  • JFET

Per garantire una stabilità in circuiti multistadioè bisogno di capacità di disaccoppiamento. Senza lastabilità è compromessa e si propaga agli stadisuccessivi una determinata instabilità.

9/3/2018Ad es. la lunghezza di cavità L è dell'ordine delladecina di mm. (2ε 10mm)

INDUTTANZA

EMULAZIONE DIINDUTTANZA

L = RLRC

RESISTENZA (SWITCH CAPACITER)

S1 e S2 non devonoessere entrambe ON/OFF

Funziona in un certo rangedi frequenza

13/03/2017

(3a Lezione - Neitzert)

Gen. corrente | Resistenza | Gen. corrente

A | secondo del punto di lavoro, il MOS (ma anche il BJT) | può comportarsi o da resistenza o da generatore di corrente.

N.B. Ad alta frequenza non posso realizzare dei circuiti aperti | o dei corto-circuiti. Il corto-circuito, alle alte frequenze, è uguale | ad una capacità.

La funzione di trasferimento ideale è:

I reale invece è:

guadagno | unitario (V1 = V2)

con A1 ≠ A2

rappresenta l'offset | (non passa per l'origine)

IC [mA]

IB [µA]

VCE [V]

Diagrama di Bode(Guadagno di Bode)

f [Hz]

16/03/2017(5a Lezione - Di Benedetto)

Vo ∝ K·ISK = [Ω]

Doppio bipolo

Sδ = Add Sd

Sδ = Sd

Sd = ∅

Ay = ic/is = -y21

per poter trasportare tutto il segnale devo massimizzare la Ay, per cui devo avere:

Rin = ∞

Rout = 0

QUESTE SONO LE IDEALITÀ DEGLI AMPLIFICATORI A DOPPI BIPOLI!!!

IL PICCOLO SEGNALE

Vogliamo muoverci intorno al punto di lavoro in modo tale da considerare l’andamento del dispositivo lineare

Inisce il concetto di variazione. Vn

Applicando una variazione a Vbb si modifica la retta di carico.

Voglio determinare la soluzione di piccolo segnale

della giunzione E-B non è trascurabile per cui βF aumenta

viceversa al crescere dell'influenza della ricombinazione, la τE varia poco.

Ciò significa che se τE rimane pressoché costante mentre βF aumente e avrò che βF0 eiB debba diminuire.

1) per velocità intermedie di τE, βF si mantiene pressoché costante.

Si tratta di valori di τE in corrispondenza dei quali la ricombinazione nella regione

di carica spaziale comicia a farsi meno influente, per cui mgβin più il risultato di tale corrente.

3) βF prende definitivamente a diminuire a causa degli

effetti della alta iniezione di portatori minoritari nelle base

(diminuisce l'efficienza di emettitore e la α aumenta).

20/03/2017

(6a lezione - Dr. Benedetto)

éE , VCE perché stiamo consederando il punto di lavoro.

βF0

perché δβF

di I - IC βF0

βF0

la regione del valore d'accordo si ha un culo seudi.

per il massimo guadagno mi metto al massimo in τE

Per determinare il punto di lavoro ho bisogno di una rete di polarizzazione.

Per gli amplificatori esistono 3 configurazioni (sia per BJT che per il MOSFET).

EMETTITORE COMUNE (Configurazione E-C)

in DC è un aperto; in serie per mantenere il punto di lavoro

(CONDENSATORI DI ACCOPPIAMENTO)

Intervengono solo in AC

in AC il condensatore è un corto

22/03/2013

(1a Lezione - D. Benedetto)

PNP

lo sto depolarizzando

le variazioni le voglio entranti

se trascuro ro

mi sto raccordando al modello a piccoli segnali di un pnp.

EMITTER COMMON

cortocircuita R4 in AC perché la resistenza d'emettitore entra

nel calcolo del guadagno (al denominatore)

se Rin ≪ RS0+1)

poiché la resistenza d'emettitore si trova al denominatore non

Rout = ro(1 + gmRS rπ) + RS || (Rth + re) ≈

≈ ro(1 + gmRS) = 522 kΩ

R0 = RA || Rout = 9.81 kΩ

Ai = ŪOŪIN = β = 65 A/A

ASi = ŪOŪin = -gmRL τπRthe+RS(β+1) = -gmRL1+gmRS ≈ -38.83 V/V

Ai = iREiS

Av = ASi ŪinŪS = ASiŪ 0.99Ū = 38.44 V/V

Av = -gmro = -μ per RL≫ro (guadagno massimo)

μ = 1 + gmro → guadagno intrinseco

μg = +2129 V/V

quando l'emettitore è a massa e non ho carico

per verificare la condizione di picco segnale sfrutto le seguente espressione:

Ūin ≤ 5.10-3 (1 + gmRS) = 13 mV

→ ŪS ≤ 13.10-3 * 1 ≈ 13.13 mV

massima escursione di uscita: ŪŌ = min RgVVCE-VBE2VsRL

VTH = VCC R2R1+R2 = 6.38 V

RTH = 33.77 KΩ

-VTH + RTHIB + VBE + REIBF+1) = 0

       +VEE

IB = VTH - VBE + VEERTH + REF+1) = 23.9[33.77 + 589.2] . 103 = 37.9 μA

IC = βFIB = 4.07 mA

+VCC = RCIC + VCE + REICαF - VEE

VCE = VCC + VEE - RCIC - REICαF

VCE = [36 - 9.34 - 22.17]V = 4.5 V

Q1 ≡ (V*CE, I*C) ≡ (6.5 V, 4.65mA)

αF = 0.99

Dettagli
A.A. 2017-2018
244 pagine
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SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher massimiliano.avagliano1 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica analogica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Salerno o del prof Di Benedetto Luigi.