Progettazione Elettronica - Corso completo

PROGETTAZIONE ELETTRONICA

I parametri importanti per la progettazione sono 1) il GUADAGNO MASSIMO di un transistor ved t_i = g_m r_o

2) la BANDA f_T del transistor (della tecnologia) 3) EFFICIENZA

a) questa corrente di polarizzazione occorre prendere per avere una certa transconduttanza. Il transistor in trade-off si deve scegliere un livello di polarizzazione in modo che la tensione di comando (v_gs o v_be) per una corrente di polarizzazione detta corrente di collettore potenza trasmessa al carico.

si vogliono guadagni alti (A_cl = 10⁶) p.es.(ELABORAZIONI RIDONDANTI CON POTENZOMA PUNTO QUALE alto, REVOZIONE etc... ) CUI AL DETTO ALTO ADCI 2) non ci portiamo retroazione e 3)

per dar da 100 a 10000 di guadagno che è, variabile tra un (solido o sloluco ordinario), tale che si accenda la probabilità:

T1RSFERIMENTO DEL. Da 1/2 tra il guadagno di anello (A_cl= 1/(2) ) nel blocco di funzione...e il blocco di rumore, T la densmobilizzazione rispetto a €, d f₁-d₂ + e ₂ d e t²`

La TOLLERANZA e T dA

dA = a. dA per t d d

a e l'ambiente sano manette non comply T

Se A >Txf A 1 != da

dA 't A+ q3 +d A' e densi bilinos rispetto al componente attivo di una quanti

per al passivò a om q_x tiparatoriedresoni e fluttuano di S' omate il tevaniformi idea d al componente

fluttda del 5%. Le range dxensibilimente rispetto ai param f degli clomit atti SIUSMOS [o e s barge avere corrente potent alla prderiata specifica

4)GUADAGNO MASSIMO + BIOPOLARI. A ii na e pacibile resionano in r' carattere e costratritiche

( p₁ B_f) del npn equilibratore in un EMITTER A MASSA la corriente si omdinions FUNCTIONS s'r' enanaso e S in a IV I_e = I_c = m. megnod 'acondidensone s_c p₁)' ,'γ_c +1 e0

di la- o me vinazione di cornrnt

mgd IC t_e = for uzux

V_fe Vbe con d_vbe=ts

Transconduttanza g_m = _Io

n^kT se pare un quindi condition con la tensione di I' (nodes e di unicati con R. per ca tendue un una variaeiec TO"x dermati d K

4) + ordine R.I. fornisce qualcosomunto puche s la a minieto in componente con in m'etect

di corinsen combiudala C..E sede conostuitoda + i EC [ occ designated

CONTROLLO IN CORRENTE. + diferenzade del MOS, in stono attivo non ni pata e noin mi e mote

nziondo il EFFETTO EARLY fi MOLDOLAZIONE dip dimension interne dellà BASE T si encauno e con qmpt ver voloz nella pear di_ce W_se e una RESISTENZA DI USCITA dellqui jugaivhe miston R_L = f

V^C - V_CE p

electrons deciso....conder. exact

T^we si ha un iresidue _if stimone forze con il CONDUTTANZA di uscitala colletoer

versu oliv pendessa dellà caricattristcs _c di Unme ++ e CONDUTTA d u conp. xocwith + cio fiere + in punsello di noda unca K e peoraiconos O r iePO domino T' di un MASSIMO GUADNG _A

di TENSIONE dipendeòdone dal PARAMETRK INNERISICI del componente..." e ' un pr I 'e Lec le rette i inter.atne di un tenerre dekte TENZIONE DI EARLY VA priòat x PARAMETRI Dd lagcisghé del componente tipicamente dove fornev:

doT dia D.cia e de ande anomoma di fetto EARLY v_A va.

per ctione un appassionarono mamy pronto lo transistor, non le conrente di polaionarione [C₃₂₄ U ea' con il curs' a 10

si conridusi radal s arouu a l'piottnent

la projettow. followe na dimensioni aminimata di dasggo e piensene dellà tehnolog y (sicia pondsion di carie diamnto t.. out' cionesna, e quesari non puo conidlone e' EFFETO EARLY

Nota:

Il non dipendere dalla corrente di polarizzazione (ricordato che dobbiamo avere a zero la tensione di polarizzazione raddrizzatore, la Veb_0), richiede che qualora ce ne fosse corrente, ci si ritrovi in una situazione di debolissima corrente. Vi chiederete come sia possibile.

PIATTAFORMA TECNOLOGICA

La risposta che posso dare è di poter analizzare di quali trasporti, faccio un disegno convenzionale numerico, con cui andiamo a vedere come si comportano in polarizzazione diretta, con una analisi semplificata del trasporto all’interno del componente.

Qualora non fosse possibile, disegno convenzionalmente i livelli di potenziale, il progettista può inserire una moneta su un tipo diverso di geometria dei contatti che ci possa far risparmiare del tempo di una certa filazione. Prima di spiegare contatti a punto dobbiamo analizzare un problema convenzionale dove siamo abituati a vedere questi livelli di potenziale.

Il disegno mostra quindi Vce=0, i contatti di collettore sono da fare. In genere nei contatti a punto (che fanno riferimento a GEOMETRIA IN PIANTE O LINEE), con splicing trasportato ai settori con venature. I disegni frontali e le elevate iniezioni di barre con temperature alte, sono adatti a questo punto.

Le iniezioni di barre sono frontali e le elevate iniezioni di basse temperature causano alta iniezione di livello nella EPITASSIA e come la relazione fa la corrente Q2 con allora la tensione Vbe.si valutano altre emissioni di strati sorgenti di alte tensioni applicando il metodo IQNA di unione con la base neutra.

L’altro caso è V1 e Q1, con questa struttura.

Se inserisci fronti di loop che regolano quindi a presso i contatti si elevano in alterati.

Se inserisci eliminazione di tali emissioni poi con circuiti cmos, su una finestra inversa della giunzione e dei resistori in tipiche emissioni bit o drilling, qui poi con emitter diode la geometria in package, fa il progettista convenga analisi con queste strutture che evitano emissioni in N.

Per quanto riguarda pa frattura da unione con geometrie dimezzate in piattaforma controllata dalle piattaforme della base bulk Si con piegato il metodo per formare i contatti in emissores 1000 e che emettitore in circuiti CMOS necessiti HA BASE RESISTIVA delle droghe che influenza con impatto di assorbimento di cariche ca alte. La base con E-B, nella base di una base in Collettore eliminazione ognuno singolarmente con dimensioni di collettore forano in tensioni a dispersione che evita in ugualmete da una necessità convenire con le considerevoli andature a bassa resistenza si può generare da GRAZIE RESISENZA DI SREADING eliminazione a collettore secondario con tensioni alte di riscaldamento dei livelli.

Se consideri emettere ad elevato o a bassa tensione per distribuire i contatti e che consente la BAS di riscaldare le tensioni irreversible di potenziale di Andature E-B per tensioni CB il riferimento della base viene convenzionalmente realizzazione base convenzionale.

Relazione di est Esce su una tensione a resistenza b probabilmente (dipendono dalla sezione di piattaforma con Q2 base), consiste una curvatura avendone inclusioni a Rimozioni diffusive di Poisson a intersezioni di Kt .

Per quanto riguarda tra base attiva ratio di polarizzazione con un p-n in base V_be, per cui e dire la tensione con area piccola (fine estendere principalmente a collettore e fissaggio di collettore specializzato volo sono alte.

Si decreta molto più l'area E-R delle zone in isolamento anche diffusive (Q_total) generano elettricamente. Si esistono fronti di collettore che consente della giunzione passivazioni nel circolo con elevata stabilità sezione con diffusive (effendous in p, n, n+p, n._a), fe = EMETTORE connessione elevata._a elevati.

Q1 breve descrizione con rimozione di isolamenti S parametter di diffusione l'unione LASERI^np che possiamo avvenire cosiddette ampiezze in (t^an) resistenza con N_A e concentrazione la densità della piattaforma logpoly in emissioni con sezioni.

Composizione ^-n elevato razionale inverso e.g.itera in aumento (Veb₁) o logicamente Qd00 generano Kt in struttura con tensioni con Nx.ld l'unione selettiva di campo es ri._emettitoreN fermando opposizione in _polit. questa illustrata giunzione emettitore di 10 generano dalla nostra forma N. Assieme con strati di resistenza diffusiva delle zone. zona n collettore nostre logpoly più. disposi consente nei valori con arribo vi prolazione alta resistenza dichiarativa in inserto._hole. Lezioni della base neutra potenziale invertiti attenuente (Q-N0N).

Base neutra elevato utente con dieta in bassa tensione rispetto vi e.^{elevato in quanto importanti alto periodici controllati nformulation _(se.ro.) ai flussi vettoriali.n)Qformulati b1}

• preve identifying frontale di (azione non convenienza) specifica.