Risposte domande chiuse e aperte sistemi elettronici per le misure aggiornate 2026

RISPOSTE DOMANDE

CHIUSE E APERTE SISTEMI FACOLTA'

ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E

DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

AGGIORNATE 2026

UNIECAMPUS

Docente: Ballicchia Mauro

Set Domande

SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 002

01. Dato il seguente circuito, quanto vale la sua resistenza equivalente Req = R3+(R2||R1)

Req = 60+(160*180/(160+180)) = 144.7058

Ω

84.71

Nessuna delle altre.

Ω

60

02. Dato il seguente circuito, quanto vale la sua resistenza equivalente Req = R3+(R2||R1)

Re = 75+(75*150/(75+150)) = 125

Ω

75

Nessuna delle altre.

Ω

50 Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

03. Dato il seguente circuito, quanto vale la sua resistenza equivalente Req = R3+(R2||R1)

Req = 30+(25*60/(25+60)) = 47.65

Ω

30 Ω

17.65 Ω

57.65

04. Dato il seguente circuito, quanto vale la sua resistenza equivalente Req = R3+(R2||R1)

Re = 15+(30*60/(30+60)) = 35

Ω

45

Nessuna delle altre.

Ω

15 Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

05. Dato il seguente circuito, quanto vale la tensione di Thevenin alla porta Vth = R2/(R1+R2)*V1

Vth = 30/(30+60)*2.7 = 0.9V

1.8 V

2.7 V

0.6 V

06. Dato il seguente circuito, quanto vale la tensione di Thevenin alla porta Vth = R2/(R2+R1)*V1 0.794V

Vth = 25/(25+60)*2.7=

Nessuna delle altre.

2.7 V

1.125 V

07. Un circuito non lineare ....

può essere analizzato con le tecniche convenzionali della teoria dei circuiti lineari.

va analizzato con il principio di sovrapposizione degli effetti.

può essere analizzato con la trasformata di Laplace. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

08. Dato il seguente circuito, quanto vale la tensione di Thevenin alla porta Vth = R2/(R1+R2)*V1

Vth = 160/(160+180)*9 = 4.235 V

Nessuna delle altre.

8 V

9 V

09. Dato il seguente circuito, quanto vale la tensione di Thevenin alla porta Vth = R2/(R1+R2)*V1

Vth = 75/(75+150)*2.4 = 0.8V

Nessuna delle altre.

2.4 V

1.2 V Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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10. Dato il seguente circuito, quanto vale la sua resistenza equivalente Req = R3+(R2||R1)

Req = 60+(120*180/(120+180)) = 132

Ω

72

Nessuna delle altre.

Ω

60

11. Dato il seguente circuito, quanto vale la tensione di Thevenin alla porta Vth = R2/(R1+R2)*V1

Vth = 120/(120+180)*9 = 3.6V

9 V

6 V

Nessuna delle altre.

12. Il teorema di Norton

non si può applicare nei circuiti dinamici.

si può applicare sempre.

si può applicare solo se la resistenza equivalente è finita o nulla.

13. Il teorema di Thevenin

si può applicare solo se la resistenza equivalente è finita o infinita.

non si può applicare nei circuiti dinamici.

si può applicare sempre. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

14. Nel ricavare un circuito alle varizioni in AC

i generatori in continua (DC) vanno lasciti attivi.

i generatori in continua (DC) possono essere sia disattivati che lasciati attivi, è indifferente.

i generatori di corrente vanno lasciati attivi quelli di tensione vanno disatttivati.

15. Dato il seguente circuito, quanto vale la corrente che scorre sulla resistenza R3 i1 = i2 + i3 i1 = i2 + i3

V1 = i1(R1+R4) + i3R3 1.5 = 150 i1 + 75 i3

V2 = -i2R2 + i3R3 2.4 = -150 i2 + 75 i3

i1 = i2 + i3

i1 = 1.5/150 - 75/150 i3

i2 = - 2.4/150 + 75/150 i3

0.01 - 0.5 i3 = - 0.016 + 0.5 i3 + i3

5 mA 2 i3 = 0.026 => i3 = 0.013 => i3 = 13mA

23 mA

8 mA

16. Il principio di sovrapposizione degli effetti

si applica per trattare bipoli non lineari con caratteristica esponenziale.

permette di sovrapporre grandezze fisiche di natura fisica diversa.

si applica solo per la risouluzione di circuiti non lineari

17. Il circuito alle variazioni in AC ...

è un circuito non lineare.

è sicuramente un circuito statico.

può essere sia un circuito lineare che non lineare. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

18. Dato il seguente circuito, quanto vale la corrente che scorre sulla resistenza R3 i1 = i2 + i3

V1 = i1(R1+R4) + i3R3

V2 = -i2R2 + i3R3

18 mA

12 mA

16 mA

19. Dato il seguente circuito, quanto vale la corrente che scorre sulla resistenza R3 i1 = i2 + i3

V1 = i1(R1+R4) + i3R3

V2 = -i2R2 + i3R3

42.5 mA

22.5 mA

Nessuna delle altre. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

20. Dato il seguente circuito, quanto vale la corrente che scorre sulla resistenza R3 i1 = i2 + i3

V1 = i1(R1+R4) + i3R3

V2 = -i2R2 + i3R3

Nessuna delle altre.

3.4 mA

10.7 mA

21. Illustrare il teorema di Norton.

22. Illustrare il teorema di Thevenin.

21. Illustrare il teorema di Norton (Infinita o Finita)

22. Illustrare il teorema di Thevenin (R Nulla o Finita)

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Lezione 004

01. Qual è l'impedenza equivalente di 3 condensatori in serie di capacità C1 = 1uF, C2 = 2uF, C3 = 3uF, alla frequenza di 50 kHz.

(suggerimento 1uF = 1e-6 F)

Ω 1/C = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 =1 + 1/2 + 1/3 = 1.83 => C = 1/1.83 = 0.545*10(^-6)F

-j3.33

Ω

-j37 Zc= -j/2πfC = -j/2*3.14*50*10(^3)--*0.545*10(^-6)-- = -j/0.171 = -j5.8479

Ω

-j0.53

02. La risposta in regime permanente sinusoidale di un circuito lineare ...

è un insieme di segnali sinusoidali di frequenza multipla dell'eccitazione.

è un segnale periodico non sinusoidale.

è un segnale sinusoidale della stessa frequenza dell'eccitazione con ampiezza diversa ma stessa fase.

03. Qual è l'impedenza equivalente di 3 condensatori in parallelo di capacità C1 = 1uF, C2 = 2uF, C3 = 3uF, alla frequenza di 50 kHz.

(suggerimento 1uF = 1e-6 F) Cs = C1 + C2 + C3 = 1 + 2 + 3 = 6*10(^-6)F

Ω

-j37 Zc = -j/2πfCs = -j/2*3.14*50*10(^3)*6*10(^-6) = -j/1.884 = -0.53j

Ω

-j5.84 Ω

-j3.33

04. Mostrare come si ottiene la risposta a regime permanente sinusoidale partendo da una qualsiasi funzione di rete.

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 006

01. Di che tipologia sono i portatori di carica nei semiconduttori?

Non vi sono portatori di carica liberi nei semiconduttori.

Sono solo lacune.

sono solo gli elettroni in banda di conduzione.

02. Che proprietà deve avere una banda di energia per poter dar vita a fenomeni di conduzione?

Deve essere completamente piena.

Deve essere separata da un gap dalla banda ad energia inferiore.

Deve essere completamente vuota.

03. La corrente nei semiconduttori ...

dipende direttamente dal campo elettrico esterno applicato al materiale.

è dovuta solo a fenomeni di diffusione.

è dovuta solo a fenomeni di conduzione (deriva) come nei resistori.

04. I semiconduttori ...

sono materiali che hanno conducibilità maggiore dei conduttori.

sono materiali che hanno conducibilità 0.45 mS/m

sono materiali che non conducono elettricità.

05. Utilizzando il modello a bande di energia, illustrare il concetto di lacuna e mostrare graficamente perché le lacune intervengono nel processo di conduzione.

06. Utilizzando il modello a bande di energia, enunciare la differenza tra materiali conduttori isolanti e semiconduttori.

05.

06. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 007

01. Spiegare in cosa consiste un drogaggio di tipo n di un semiconduttore e quali sono gli effetti principali.

02. Spiegare in cosa consiste un drogaggio di tipo p di un semiconduttore e quali sono gli effetti principali.

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 008

01. Nella giunzione pn ...

prevale la diffusione in entrambe le polarizzazioni.

in polarizzazione diretta prevale la conduzione mentre in polarizzazione inversa prevale la diffusione.

prevale la conduzione in entrambe le polarizzazioni. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 009

01. Per risolvere circuiti a diodi in regime di grande segnale o in DC ...

si può solo ricorrere all'utilizzo di simulatori circuitali.

bisogna linearizzare il circuito nell'intorno del punto di lavoro.

si deve necessariamente utilizzare il metodo della retta di carico.

02. Il modello alle variazioni della giunzione pn ...

è un condensatore senza perdite.

è un bipolo nonlineare.

è un generatore controllato.

03. La caratteristica I-V del diodo in polarizzazione diretta ...

è una parabola.

è una retta.

è una retta verticale.

04. Il rettificatore a singola semi-onda con filtro ...

non ha applicazioni particolari.

è un circuito lineare.

non presenta alcun ripple nella tensione di uscita.

05. Nel rettificatore a singola semi-onda, l'uscita ...

ha lo stesso contenuto armonico dell'ingresso.

è una tensione continua con un ripple.

è una tensione continua senza ripple.

06. Illustrare i modelli lineari a tratti del diodo e la loro applicazione alla risoluzione di circuiti in DC e in regime di grande segnale.

07. Linearizzare il diodo nell'intorno di un punto di lavoro e derivare la formula della conduttanza differenziale.

08. Illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione del diodo ed enunciare la formula della corrente.

06.

07.

08. VD/VT

I = I [e – 1]

D S

La caratteristica i-v del diodo è molto ripida in quanto per V >0 la corrente I cresce

D D

esponenzialmente.

Polarizzazione diretta => V >0: il diodo lascia passare la corrente solo da un certo valore della

D

tensione (detta tensione di gradino i tensione di accensione). Tale corrente (I ) cresce molto

D

velocemente – esponenzialmente.

Polarizzazione inversa => V <0: il diodo lascia passare solo un valore piccolissimo di corrente

D

(quasi nullo) finchè la tensione non raggiunge un valore critico (detto tensione di break-down

o tensione di rottura). Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 010

01. Quali sono le regioni di funzionamento del BJT?

Solo normale diretta.

Triodo, saturazione, interdizione.

normale diretta e saturazione.

02. Illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione del BJT e descrivere brevemente il suo comportamento nelle quattro regioni di funzionamento.

BJT npn Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 011

01. Quale modello circuitale permette di rappresentare il BJT in tutte le regioni di funzionamento?

Il modello a pi-greca.

Il modello a T.

Il modello in normale diretta per grande segnale.

02. In quale regione di funzionamento il BJT è approssimabile da un corto circuito?

In interdizione.

In triodo.

in normale diretta.

03. Il BJT presenta un guadagno di corrente più elevato ...

in saturazione.

ha lo stesso guadagno sia in normale diretta che in inversa.

in inversa perché l'emettitore è meno drogato del collettore.

04. Che differenza c'è tra il modello a T e il modello a pi-greca del BJT in normale diretta?

Il modello a pi-greca può essere linearizzato.

Il modello a T permette di studiare solo il funzionamento in normale diretta.

Non sono equivalenti.

05. Disegnare il circuito a pi-greca per grande segnale del BJT in normale diretta e ricavare il corrispondente modello alle variazioni comprensivo di parametri

differenziali.

06. Disegnare il circuito a T per grande segnale del BJT in normale diretta e ricavare il corrispondente modello alle variazioni comprensivo di parametri

differenziali. Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 012

01. Quali sono le regioni di funzionamento del MOSFET?

Normale diretta, interdizione, saturazione, inversa.

Solo normale diretta.

saturazione e normale diretta.

02. Fornire l'espressione della corrente del MOSFET, illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione e descrivere brevemente il suo comportamento

nelle tre regioni di funzionamento.

CIRCUITO APERTO

CORTO CIRCUITO

GENERATORE CORRENTE LINEARE

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 013

01. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile in AC da un generatore di corrente lineare controllato dalla tensione di piccolo segnale tra

gate e source?

In triodo.

In inversa.

In normale diretta.

02. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile da un circuito aperto?

In inversa.

In triodo.

In saturazione.

03. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile da un corto circuito?

In interdizione.

In normale diretta.

In saturazione.

04. Descrivere il circuito alle variazioni del MOSFET in saturazione in regime di piccolo segnale (modello a pi-greca) e ricavare i parametri differenziali.

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 014

01. Il circuito di polarizzazione a quattro resistenze ...

è l'unico circuito di polarizzazione utilizzabile nella pratica.

presenta la stessa efficacia del circuito di polarizzazione a tre resistenze nel ridurre la dipendenza della corrente dalla temperatura.

E' STABILE!

è meno performante del circuito di polarizzazione a tre resistenze.

02. Effettuare l'analisi del circuito di polarizzazione a 4 resistenze.

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 015

01. Il rendimento o efficienza energetica di un amplificatore ...

è un parametro che non dipende dalla potenza fornita dall'alimentazione in DC.

è il guadagno di potenza dell'amplificatore.

è il guadagno di tensione dell'amplificatore

02. Un amplificatore di tensione ideale ...

ha resistenza di ingresso nulla e resistenza di uscita infinita.

ha resistenza di ingresso finita e resistenza di uscita finita.

ha resistenza di ingresso infinita e resistenza di uscita infinita

03. Illustrare il modello circuitale e i parametri caratterisitici di un amplificatore di tensione ideale e reale.

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 016

01. L'uscita di un amplificatore in corrispondenza di un ingresso sinusoidale ...

ha necessariamente la stessa fase dell'ingresso.

ha sempre fase nulla.

ha sempre fase opposta

02. Illustrare la risposta in frequenza di un amplificatore passa-banda nell'approssimazione di polo dominante.

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 017 βF=100,

01. Calcolare il guadagno di tensione ai terminali di un amplificatore ad emettitore comune polarizzato con Ic=1.6mA, e la tensione termica VT=25mV,

supponendo che la resistenza di collettore è RC=4kΩ e la resistenza di carico RL=2kΩ

Avt = -gm(RC||RL) dove gm= Ic/VT

128 V/V

85.33 V/V gm = Ic/VT = 1.6*10(^-3)/25*10(^-3) = 0.064

Avt = -gm(RC||RL) = -0.064(4*1000*2*1000/(4000+2000)) = -0.064*(8000*1000/6000) = -85.33 V/V

-128 V/V βF=100,

02. Calcolare la resistenza di ingresso ai terminali di amplificatore ad emettitore comune polarizzato con Ic=1.6mA, e la tensione termica VT=25mV,

supponendo che la resistenza di collettore è RC=4kΩ e la resistenza di carico RL=2kΩ

Rin = rπ = βF/gm dove gm= Ic/VT

kΩ

2 gm = Ic/VT = 1.6*10(^-3)/25*10(^-3) = 0.064

Ω

15.625 Rin = βF/gm = 100/0.064 = 1562,5 Ω = 1.563 kΩ

kΩ

4 βF=100,

03. Calcolare la resistenza di ingresso ai terminali di amplificatore ad emettitore comune polarizzato con Ic=5mA, e la tensione termica VT=25mV,

supponendo che la resistenza di collettore è RC=4kΩ e la resistenza di carico RL=2kΩ

kΩ Rin = rπ = βF/gm dove gm= Ic/VT

2 kΩ

4 gm= Ic/VT = 5*10(^-3)/25*10(^-3) = 0.2

Ω

5 Rin = βF/gm = 100/0.2 = 500 Ω βF=100,

04. Calcolare il guadagno di tensione ai terminali di un amplificatore ad emettitore comune polarizzato con Ic=5mA, e la tensione termica VT=25mV,

supponendo che la resistenza di collettore è RC=4kΩ e la resistenza di carico RL=2kΩ

Avt = -gm(RC||RL) dove gm= Ic/VT

400 V/V gm = Ic/VT = 5*10(^-3)/25*10(^-3) = 0.2

266.67 V/V Avt = -gm(RC||RL) = -0.2(4*1000*2*1000/(4000+2000)) = -0.2(8000*1000/6000) = -266,666 V/V

-400 V/V βF=150,

05. Calcolare la resistenza di ingresso ai terminali di amplificatore ad emettitore comune polarizzato con Ic=3.2mA, e la tensione termica VT=25mV,

supponendo che la resistenza di colle