Paniere con risposte chiuse - Sistemi elettronici per le misure (2023/2024)

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 004

01. Qual è l'impedenza equivalente di 3 condensatori in serie di capacità C1 = 1uF, C2 = 2uF, C3 = 3uF, alla frequenza di 50 kHz.

(suggerimento 1uF = 1e-6 F)

-j0.53 Ω

-j37 Ω

-j3.33 Ω

-j5.84 Ω

02. La risposta in regime permanente sinusoidale di un circuito lineare ...

è un segnale sinusoidale della stessa frequenza dell'eccitazione ma con ampiezza e fase diverse.

è un segnale periodico non sinusoidale.

è un segnale sinusoidale della stessa frequenza dell'eccitazione con ampiezza diversa ma stessa fase.

è un insieme di segnali sinusoidali di frequenza multipla dell'eccitazione.

03. Qual è l'impedenza equivalente di 3 condensatori in parallelo di capacità C1 = 1uF, C2 = 2uF, C3 = 3uF, alla frequenza di 50 kHz.

(suggerimento 1uF = 1e-6 F)

-j37 Ω

-j5.84 Ω

-j0.53 Ω

-j3.33 Ω

04. Mostrare come si ottiene la risposta a regime permanente sinusoidale partendo da una qualsiasi funzione di rete.

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Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 006

01. Di che tipologia sono i portatori di carica nei semiconduttori?

sono solo gli elettroni in banda di conduzione.

Sono solo lacune.

Non vi sono portatori di carica liberi nei semiconduttori.

Sono di due tipi: elettroni e lacune.

02. Che proprietà deve avere una banda di energia per poter dar vita a fenomeni di conduzione?

Non deve essere né completamente piena, né completamente vuota.

Deve essere completamente piena.

Deve essere separata da un gap dalla banda ad energia inferiore.

Deve essere completamente vuota.

03. La corrente nei semiconduttori ...

dipende direttamente dal campo elettrico esterno applicato al materiale.

è dovuta solo a fenomeni di conduzione (deriva) come nei resistori.

è dovuta solo a fenomeni di diffusione.

è dovuta sia a fenomeni di conduzione (deriva) sia a fenomeni di diffusione.

04. I semiconduttori ...

sono materiali che hanno conducibilità maggiore dei conduttori.

sono materiali che hanno conducibilità 0.45 mS/m

sono materiali che hanno conducibilità intermedia tra conduttori ed isolanti.

sono materiali che non conducono elettricità.

05. Utilizzando il modello a bande di energia, enunciare la differenza tra materiali conduttori isolanti e semiconduttori.

06. Utilizzando il modello a bande di energia, illustrare il concetto di lacuna e mostrare graficamente perché le lacune intervengono nel processo di conduzione.

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Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 007

01. Spiegare in cosa consiste un drogaggio di tipo n di un semiconduttore e quali sono gli effetti principali.

02. Spiegare in cosa consiste un drogaggio di tipo p di un semiconduttore e quali sono gli effetti principali.

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Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 008

01. Nella giunzione pn ...

prevale la diffusione in entrambe le polarizzazioni.

in polarizzazione diretta prevale la diffusione mentre in polarizzazione inversa prevale la conduzione.

prevale la conduzione in entrambe le polarizzazioni.

in polarizzazione diretta prevale la conduzione mentre in polarizzazione inversa prevale la diffusione. © 2016 Università Telematica eCampus - Data Stampa 04/01/2017 21:21:16 - 14/59

Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

INGEGNERIA INFORMATICA E DELL'AUTOMAZIONE (D.M. 270/04)

Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 009

01. Nel rettificatore a singola semi-onda, l'uscita ...

è una tensione continua senza ripple.

ha lo stesso contenuto armonico dell'ingresso.

ha un contenuto armonico superiore all'ingresso perché il diodo è un componente non lineare.

è una tensione continua con un ripple.

02. Il modello alle variazioni della giunzione pn ...

è un bipolo nonlineare.

è un generatore controllato.

è una resistenza.

è un condensatore senza perdite.

03. La caratteristica I-V del diodo in polarizzazione diretta ...

è una retta verticale.

è una parabola.

è un esponenziale.

è una retta.

04. Il rettificatore a singola semi-onda con filtro ...

non presenta alcun ripple nella tensione di uscita.

può essere utilizzato per realizzare circuiti di alimentazione come convertitori AC/DC.

non ha applicazioni particolari.

è un circuito lineare.

05. Per risolvere circuiti a diodi in regime di grande segnale o in DC ...

si può solo ricorrere all'utilizzo di simulatori circuitali.

bisogna linearizzare il circuito nell'intorno del punto di lavoro.

si possono utilizzare modelli semplificati lineari a tratti, come il modello del diodo ideale o del diodo ideale con soglia.

si deve necessariamente utilizzare il metodo della retta di carico.

06. Illustrare i modelli lineari a tratti del diodo e la loro applicazione alla risoluzione di circuiti in DC e in regime di grande segnale.

07. Linearizzare il diodo nell'intorno di un punto di lavoro e derivare la formula della conduttanza differenziale.

08. Illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione del diodo ed enunciare la formula della corrente.

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Set Domande: SISTEMI ELETTRONICI PER LE MISURE

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 010

01. Quali sono le regioni di funzionamento del BJT?

Solo normale diretta.

normale diretta e saturazione.

Triodo, saturazione, interdizione.

Normale diretta, interdizione, saturazione, inversa.

02. Illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione del BJT e descrivere brevemente il suo comportamento nelle quattro regioni di funzionamento.

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 011

01. Il BJT presenta un guadagno di corrente più elevato ...

in normale diretta perché l'emettitore è più drogato del collettore.

in inversa perché l'emettitore è meno drogato del collettore.

ha lo stesso guadagno sia in normale diretta che in inversa.

in saturazione.

02. In quale regione di funzionamento il BJT è approssimabile da un corto circuito?

In saturazione.

In triodo.

in normale diretta.

In interdizione.

03. Quale modello circuitale permette di rappresentare il BJT in tutte le regioni di funzionamento?

Il modello di Ebers-Moll.

Il modello in normale diretta per grande segnale.

Il modello a pi-greca.

Il modello a T.

04. Che differenza c'è tra il modello a T e il modello a pi-greca del BJT in normale diretta?

Sono equivalenti.

Non sono equivalenti.

Il modello a pi-greca può essere linearizzato.

Il modello a T permette di studiare solo il funzionamento in normale diretta.

05. Disegnare il circuito a pi-greca per grande segnale del BJT in normale diretta e ricavare il corrispondente modello alle variazioni comprensivo di parametri

differenziali.

06. Disegnare il circuito a T per grande segnale del BJT in normale diretta e ricavare il corrispondente modello alle variazioni comprensivo di parametri

differenziali. © 2016 Università Telematica eCampus - Data Stampa 04/01/2017 21:21:16 - 17/59

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 012

01. Quali sono le regioni di funzionamento del MOSFET?

Triodo, saturazione, interdizione.

Solo normale diretta.

saturazione e normale diretta.

Normale diretta, interdizione, saturazione, inversa.

02. Fornire l'espressione della corrente del MOSFET, illustrare graficamente la caratteristica corrente-tensione e descrivere brevemente il suo comportamento

nelle tre regioni di funzionamento. © 2016 Università Telematica eCampus - Data Stampa 04/01/2017 21:21:17 - 18/59

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 013

01. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile in AC da un generatore di corrente lineare controllato dalla tensione di piccolo segnale tra

gate e source?

In triodo.

In saturazione.

In inversa.

In normale diretta.

02. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile da un circuito aperto?

In saturazione.

In triodo.

In interdizione.

In inversa.

03. In quale regione di funzionamento il MOSFET è approssimabile da un corto circuito?

In triodo.

In saturazione.

In normale diretta.

In interdizione.

04. Descrivere il circuito alle variazioni del MOSFET in saturazione in regime di piccolo segnale (modello a pi-greca) e ricavare i parametri differenziali.

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 014

01. Il circuito di polarizzazione a quattro resistenze ...

presenta la stessa efficacia del circuito di polarizzazione a tre resistenze nel ridurre la dipendenza della corrente dalla temperatura.

riduce la dipendenza della corrente di polarizzazione dalla temperatura.

è meno performante del circuito di polarizzazione a tre resistenze.

è l'unico circuito di polarizzazione utilizzabile nella pratica.

02. Effettuare l'analisi del circuito di polarizzazione a 4 resistenze. © 2016 Università Telematica eCampus - Data Stampa 04/01/2017 21:21:17 - 20/59

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Docente: Ballicchia Mauro

Lezione 015

01. Un amplificatore di tensione ideale ...

ha resistenza di ingresso infinita e resistenza di uscita infinita

ha resistenza di ingresso infinita e resistenza di uscita nulla.

ha resistenza di ingresso nulla e resistenza di uscita infinita.

ha resistenza di ingresso finita e resistenza di uscita finita.

02. Il rendimento o efficienza energetica di un amplif