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E3.4 – Porta Logica con elemento di memoria
Siano VIN e W due segnali logici con livelli 0V e 5V.
- Determinare il valore di Vout,INV e Vout con W=1 per VIN=0 e VIN=5V. Si consideri sempre la capacità CL scarica prima di applicare il segnale.
- Calcolare il tempo di propagazione dell’uscita con W=1 e VIN che commuta istantaneamente da 0 a 1.
- Calcolare la potenza dissipata dal circuito con VIN onda quadra a frequenza 1MHz e D=50% e con W onda quadra a frequenza 2MHz e D=50%. Si considerino i fronti dei due segnali allineati.
Dati:
kn = |kp| = ½ μpCox' W/L = 1 mA/V2
Vtn = |Vtp| = 1V
VDD = 5V
CL = 1pF
E3-4
Vediamo prima di capire come mai nel circuito è presente un elemento di memoria. Notiamo che se OUT-INV = 0 ed esempio (quindi Vin = 1) e W = 1, allora Mn montato a pass transistor permette il passaggio dello 0 logico (come visto in E3-2) e quindi CL si porta a 0. Nel caso in cui Vin = 0, allora OUT-INV = 1, e supposto che W = 1, allora Mn montato a pass transistor permette il passaggio dell'1 logico con perdita della soglia (come visto in E3-2) e dunque CL si porta a VDD - Vtn. Dunque Mn e CL insieme costituiscono un "sample and hold" ovvero campiona e mantiene (riportandosi al valore di OUT-INV).
(c) Per la prima volta anche W varia. In tal caso bisogna solo verificare che i fronti di Vin e W siano allineati, altrimenti la frequenza di uscita si calcolerebbe con le formule di Werner.
Sono allineati perché per entrambi D = 50%
In tal caso Vout avrà frequenza pari a quella del segnale di ingresso (1 kHz) e si ha come al solito che
PD = CL · f · VDD · ΔVout = 20 μW