Anteprima
Vedrai una selezione di 3 pagine su 8
E3 3 Esercizio con porta logica a pass transistor con PMOS Pag. 1 E3 3 Esercizio con porta logica a pass transistor con PMOS Pag. 2
Anteprima di 3 pagg. su 8.
Scarica il documento per vederlo tutto.
E3 3 Esercizio con porta logica a pass transistor con PMOS Pag. 6
1 su 8
D/illustrazione/soddisfatti o rimborsati
Disdici quando
vuoi
Acquista con carta
o PayPal
Scarica i documenti
tutte le volte che vuoi
Estratto del documento

E3.3 – Porta Logica con Pass Transistor

Agli ingressi A e B vengono applicati segnali digitali con livelli 0V e 3.3V.

  1. Determinare la tabella della verità del circuito specificando il valore di tensione di OUT.
  2. Calcolare il tempo di propagazione della porta logica quando gli ingressi commutano istantaneamente da AB=01 ad AB=11.
  3. Calcolare la potenza dissipata dal circuito quando A=1 e B è un’onda quadra avente periodo T=2μs e D=50%.
  4. Disegnare lo schema circuitale di una porta logica CMOS che realizzi la medesima funzione logica utilizzando solo i segnali A, B e B̅. A che valore di tensione corrisponde il valore logico basso dell’uscita?

DATI:

  • |kp| = 200 μA/V2
  • Vtn = |Vtp| = 1V
  • VDD = 3.3V
  • C = 0.2pF

E3-3

Questa volta la logica a pass transistor è implementata tramite PMOS.

Abbiamo visto che un NMOS da implementare un'interruttore

  • trasmette bene lo 0 logico (se A=0, B=1 allora OUT=0)
  • trasmette con una perdita di soglia l'1 logico C come visto in E3-2, se A=1, B=1 allora OUT=VDD-Vtn.

Per cui per l'NMOS lo 0 logico è 0V, l'1 logico è VDD-Vtn.

Si può far vedere che per il PMOS è il contrario, ovvero

  • trasmette bene l'1 logico (se A=1, B=1 allora OUT=1)
  • lo 0 logico corrisponde a 1Vtp

ovvero 1V nel nostro caso.

(c)

Come al solito, essendo il tp molto più piccolo rispetto al periodo del segnale di ingresso, il D=50% non interviene nei calcoli. Per cui

PD = VDD . ΔVout . CL . f

        = 3,3 . 2,3 . 0,2 pF . 500 kHz

        = 760 μW

(d)

Come visto in a), implementare una AND in modo di trasmissione con pmos non ha molto senso. Non lo ha nemmeno con il NMOS, ma è sicuramente meno grave. Difatti il pmos occupa più area di un NMOS parimenti conduttivo, perché μn=2,5 μp di solito, per cui

        (WL)P = 2,5 . (WL)N.

Dettagli
Publisher
A.A. 2019-2020
8 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher ProfElettr di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Fondamenti di elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Milano o del prof Fiorini Carol.