Anteprima
Vedrai una selezione di 8 pagine su 35
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 1 Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 2
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 6
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 11
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 16
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 21
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 26
Anteprima di 8 pagg. su 35.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Teoria dei circuiti - Teoria esame Pag. 31
1 su 35
D/illustrazione/soddisfatti o rimborsati
Disdici quando
vuoi
Acquista con carta
o PayPal
Scarica i documenti
tutte le volte che vuoi
Estratto del documento

Y

Ein 4 fasci

di dei

derivata

operazione JWÀ

act

Cct è

D

E di

ottiene A

ruotando

si e

moltiplicando per n

re À

α

Potenza sinusoidale

in regime

D Vsin

t atta

t E ut

I β

sin

i

Potenza istantanea

PCt Ct

VCH I

I conti vari ansie

III IIII

attiva

Potenza

il valor della

medio istantanea periodo

un

potenza su

e PCH 1,1 VI COSI

9

pct

Lavoro elettrico

stent Pat Put

AL Pst

at AL

T

Potenza apparente 15 VI

5

Potenza reattiva VI

Q 9

sin

Fattore di potenza

COSI

Induttore ideale sinusoidale

a regime

costitutiva

Equazione VCH Ldiff

fasori

Relazione tra Ieff

Relazione Vera e

RVsinlutta

t D

f Isin ut

i β

VHS Lff

in

RUsinlutta LEI weoslattBI

LORIS incuttBE

Zul E

β

Valore di β

a

4 E

β

4 n α p

1 β

β E E 91 0

cos

Diagramma fasoriaff i

Fattore di potenza E e'E

T V WLI WLI

e

e e

JULI

Reattanza induttiva WL

E

Suscettanza induttiva

Be

Condensatore ideale sinusoidale

in regime

costitutiva

Equazione e

ict Vlt

fasori

Relazione tra Ieff

Relazione Vera e

RVsinlutta

t EIsinlut

t β

relazione

in sopra

trovo FESTE

Valore 9 β

α 91

4 0

cos

a β fascriale

Diagramma Nn 1,27

di

fattore potenza

β

I e

tu E acuehe'E

CU e

I WCT

Reattanza capacitiva

È

E

Suscettività capacitiva

Be WC

Dettagli
A.A. 2023-2024
35 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-IND/31 Elettrotecnica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher alessandrovulcu di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Teoria dei circuiti e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Padova o del prof Marson Andrea.