Progettazione Elettronica - Riassunto esame del corso, prof. Lacaita

RIASSUNTO PROGETTAZIONE ELETTRONICA - A. LACATA

TECNOLOGIA

Parametri di progettazione:

^T_J(max) = Q_p(x) = Q_p(y) = *In saturazione* T_J = Z_q(v)

QUANTITÀ F_T EFFICIENZA Q_n / I

dT = ((x+Q_n)(f) - Q_n) dx + |p| α TIRESENZA I/I(x) + - - -^{*Specifico*V_CE}

I = I_sxe = - / kT ---------------- VA xQ_E(VA Q_p) -> dI

= dQ/q_n(dQ) = dq / dt. H (E) - I base VA β leakage - VA α

E = kQx10³ In dipende da (f . mm a bene In sala r) f^-1)

u=.9op capac.x -> se x90p0 (30p - 6/3p top fondo riposata)

Hβ0Zs decide V_B.E.

Ip = q is (cobdite) NxxQISn (wcc60cv)

-------------------- La P_ep activate ------------------------------

B_T Boc capac. (K.p.1s.att.red) Poi da început E da ss collapse active originano con pox sinnesle N_EB

V. = limitate va sup, N pre che + ripos. mos. CI. E z⁷ = 10

PMP

*_Specifico df accurate e v_beV^{*multiplicato*}

Con ^antinodo

• C (Base ASSOLUTA) ^*aumentando

Poi PM si substantia

1. PAD | SPECIFICO - PD_sx(d142) e in ^{d_-2) = L_xFilare})

| P0 Pi Pa ⁴Qⁿ dov ex _difinisci/

2. MOSFET

1. ds = E ........kT/qkT0 ^dx

.............ID. dx e kd vol da eva Lt V (K_w).........

La derivata formula e tc eta eq_mdn etc. w. = E logic Q.

I = A Eassoc.^{multiplicatore}

Limitata Ce spec....... Vos = dm xw calc boc integrato micro. αβ

Foundation? di modulatore inef = U_out(50 wbc 10 x xw)

• Per con | PMn parasim.ly (F.α = (feedback loop). ^{eq conflict nato inverso per H/per cd}

All Wm (sub associate. 2

b./ BASE

D _{inside variando e procedendo * comp*}

Vale IDL..

FEEDBACK dA/F ^{a. Form L./ | o_*int | Im applicato a camp oxi_x TVJ}

= J multiplicato | Vov = L = 2L

rapporto periodico.

Rin . - α e idem -

^{d*e = - * + - 3 +}

DIMENSIONAMENTO AMPLIFICATORE

STADIO DIFFERENZIALE

Il punto può essere migliorato il più dei differenziali

• w = 100
• LS ≃ 1/4
• V

Punto su V_cm si approssima tra V_DD.

hA = K

h_B ≃ 20

Per R_L ≃ 20

Il punto può essere migliorato con.

• h_A
• wQ = V
• Z_N
• Verr ≪ K

Molte grandezze sono circuiti di integrati

Efficenza

Esempio di valori di:

• N ≪ 20
• 20*
• f
• con

Ampl. ≪ V_THE/V_SS, punto di comm.

DIMENSIONAMENTO AMPLIFICATORE

STADIO DIFFERENZIALE

• Il punto può essere migliorato con valori di fig.
• Z_T, corrente massima.

II STADIO

Svolge l'amplificazione differenziali inoltre . _i è 40 .

Resistenza 200 /2/20, ⁸*.

RISPOSTA IN FREQUENZA

C_f = 10 μ R₁

G_TOT = quindi ¹/i₁:

Se ^G_m1/

Ampè _Af (s) =:

• =C
• C = Agf
• Nota: Teorema

Dico alla fine, una resistenza con un compensazione, perchè conta SR = 25V ÷ 250V/μs

Se prezzate ancora con V_int = V_a - t / 6 = toco toco (BW = 2πT × 2 200 MHz

Eduardo se IR_CM di GB_D su V_o vanno su 2V / (interno ordine pscola)

Con V_k x 12f ( permetendo che GB pure Arsenal) - Poi X = 250μA

G con IDIVZ_R - V_{out Rout = 26 tomo/μA}

E se K con/μ x = - ID vale come oscillatore

Se poi - I_out = μ, noti: IDV_k se dob se richiedsi tentra π/2; il z _in conformo

Andiamo E_out y [ d_t [c cosa come [tanto onante fo inidire us ≤climpamide

Con il numeri, e Ez = 1 cosa = 9.5 implica

_O mai E la VA e quindi trovo 1

nulling resistivo.

2 ID a dicono in pedcolaria treacendo stue z corto 2/

case t va quindi con numero la parte con RI = e

il preposto permeare come... sinistra

Prin Δ prego preonna sera con μ

caso e I_H (– Rö

_{di Rö –seren}

Non per RI

Penso positivamente con pre cavare z ID, tenne Ω

_I risposto perforano fine po π/_ t = z

Volti più vanno l_hi–yan -1

trasolvendo e in 6

_{I pre pore = 6}

_{- trove sera f = 7}

C è nominale => ÷ 2

(metodo costretto per dorme solo cedo

Prel 24

completamente K

Con il caso si ever però I_cc stai V

simplog per controllo pre verso (1/ K) prima scassa

[R_k c addiva E 6

1235 caso can fenomeno con ventato che ci

single stadio

Per G durato in ca consola per m

ai e conto per 8_u

spéhcio casatato - ID piva per K

Espure, e che come [cross

Vale trocon la pre - ÷ -

SPECIFICHE

- Norma attenuazione in banda di ω_p a 0 [dB] - Ω_p e S_fase e S_amp

- Norma attenuazione fuori banda: 1/A - ω_S a definire una modulazione

FUNZIONI APPROSSIMANTI

- PASSA-BASSO

1. BUTTERWORTH: non introduce ripples (oscillazioni), modulo: non ha oscillazioni - il T(ω) ^T*(-ω) è reale
2. CHEBISHEV: T(ω)T*(1/ω²) - passaggio su ripoli, oscillazioni passive d'ordine ncia + e -:

• Parametri per l'ordine n, 2^n-1, τ_sm su carta. Ha solo poli 4n-1 pes:
• Alternanza di seno, da tener presente e di calcari con numeri + e -1/π
• Formula formante una combinazione in cui è stredato sin forte su 3/10
• Indice c:

3. REDEL: fasi m, ha Dido poli, f _w -> serie θ con pol. a parte θ_T non ottiene meno di Butterworth
4. ^{CHEBYSHEV: F. passivo analogicamente *normazione in doppio numero costente cond. disco poli @ fm a -1/π e k(2)}
5. KINDERGEM: si dimostra con in ondi di 6 poli
6. CELLE TELE₄ORDINE

CELLE TELE 4^ORDINE

- a partire su S=1/2ω_o parte 10 in O b 2k il P risulterà nell'angolo AF. 8

SCOPE POLI COMPLESSI:

Pari (specifica errori max molto di largo) θ_{F(09S)_100}

CELLE DI ORDINE 8