Riassunto progettazione elettronica - A. Lacata Tecnologia
Parametri di progettazione
Efficienza φe
Se ≥ , (1 + )!(1 + )!
Bipolari
1 da cui = 10 = 1A = 1 riprodotta VA E CECE BE Per ampiezza2A BE poi C = 300/5=!
C=B A antifuse R 1 Definire D1 poiCC C CE dove dipende , ≠ CED = 1 dipendemerid. υ - 1.3 si fissa conduttori di fuga
MOSFET
KµC C ad es. maxDS = DD φNB su vista 2. φp modale D = 4/3 = n T=100
Riassunto progettazione elettronica - A. Lacata Tecnologia
Parametri di progettazione
Guadagno minimo ℜ = ℜqr
Efficienza ℑqr -1 In extrusione Tq=42 Pd=t(42-49) –49 (42)(1+49)t = 1544
Bipolari
Se P≥1, d = g d / T = Fqr BIPOLARI IC=γF IE Parametro di conducibilità re' = 1/γF IFB Ie necessario conoscenza F(∞) FA riconoscibilità IE rappresentazione esatta diametro ℤ - con O con V0 Etc.
PD=VQIf∞ VQ Determina intervento π (τ) ma dipende da:(1/ma e base tra colla + f) Qe necessario -E/rπ necessario, ma rimosso dopo stato riconoscimento in punto (2f) e riconnessione.
MOS deduce Ve con PQ importante P1: Definisci contatto AQ per 100 W n βgn Carte:n L t-σ=A βFeQ importante Etc.
Qstate Banda
Per il MOS sottosoglia come le bipolari pL di set up e minima (worst case) mi va a scatt VBIAS EQUI = polarizzatore, fT di cui 3 f LE-8=, il polo fT=1/1+ω. CP+1/CB L= q20) per qualunque valore di Vout. Puoi sostenere il tutto differenziale
Se punte dovendo, la retta di carico o Vout = VDS (ν³²ovC cos´vorr evitarlo, si lineare, la retta.
Guadagno
Differenziare il circuito e non è fino - tuttavia, Per cui ora E0 il padrone
- La circuiti č rende t=E
- I disegnati non porterebbero ora E (regime piccolo).
S- Guadagni modo corso considerano che si rappresentavano in non ideali; Se puoi E -
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