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Estratto del documento
ELETTRONICA APPLICATA
- 0-Introduzione al corso:
- Motivazione
- Presentazione del corso
- Un po' di storia dell'elettronica
- Un po' di futuro dell'elettronica
- 1a-Elettronica dello stato solido (Cap.2):
- Richiami di teoria dei circuiti
- Classificazione dei segnali
- Spettro in frequenza
- 1b-Elettronica dello stato solido (Cap.2):
- Richiami sulle notazioni
- Teorema di Thevenin
- Analisi delle tolleranze
- 2a-Materiali semiconduttori (Cap.2):
- Materiali metallici, isolanti e semiconduttori
- Bande di energia
- Generazione copie elettrone lacuna
- Dipendenza delle concentrazioni dalla temperatura
- Livello di Fermi
- 2b-Materiali semiconduttori (Cap.2):
- Semiconduttori intrinseci
- Legge di azione di massa
- Mobilità, massa efficace, conducibilità
- Correnti di deriva
- 2c-Materiali semiconduttori (Cap.2):
- Semiconduttori non intrinseci
- "Diffusività"
- Correnti di diffusione
- 2x-Nuovi materiali e loro proprietà
- Graphene
- Semiconduttori organici
- Nanotubi in carbonio
- 3a-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Introduzione alla giunzione pn
- Formazione della regione di carica spaziale
- Cenni sulla tecnologia realizzativa dei circuiti elettronici integrati
- 3b-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Giunzione pn all'equilibrio
- Densità di carica, campo elettrico e potenziale "built in"
- 3c-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Funzionamento della giunzione pn in regione di polarizzazione diretta e inversa
- Caratteristica rettificante
- Comportamento "a valvola"
- 3d-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Capacità di giunzione
- Capacità di diffusione
- 3e-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Modello non lineare del diodo
- Diodi in "Breakdown"
- Modelli lineari e a tratti
- Tutorial ADS simulation suite I
- Ambiente di lavoro
- Metodologia di lavoro
- Tutorial ADS simulation suite II
- Simulazione DC
- Simulazione AC
- Simulazione S
- Tutorial ADS simulation suite III
- Es. Analisi circuiti RF
- 3f-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Es. Caratteristica statica esponenziale e logaritmica
- Es. Effetto della temperatura
- 3f-Circuiti a diodi (Cap.3)
- Es. Circuito limitatore a uno e due livelli
- Es. Transcaratteristiche
- 4a-Il Transistore MOS (Cap.4)
- I sistema Metallo-Ossido-Semiconduttore
- Caratteristica C-V
- 4b-Il Transistore MOS (Cap.4)
- Struttura del MOSFET
- Modello CAD
- 4c-Il Transistore MOS (Cap.4)
- Es. Caratteristiche IV
- Es. Transconduttanza
- Es. Polarizzazione
- 4d-Il Transistore MOS (Cap.4)
- L'effetto "body"
- Es. La cella c-MOS
- 4e-Il Transistore MOS (Cap.4)
- Modello del MOSFET
- Modello lineare del MOSFET
- 5a-Transistore bipolare (BJT)(Cap.5)
- Principi di funzionamento
- 5x-Es. Caratteristica del BJT
- 5b-Transistore bipolare (BJT) (Cap.5)
- Non idealità del BJT
- Es. Polarizzazione
- 5c-Transistore bipolare (BJT) (Cap.5)
- Modello del BJT
- Approssimazioni lineari del BJT
- Estensione alle alte frequenze
- Ya-Principali configurazioni di Amplificatori a MOSFET
- Es. Drain comune
- Es. Source comune
- Es. Gate comune
- Yb-Principali configurazioni di Amplificatori a BJT
- Es. Collettore comune
- Es. Emittore comune
- Es. Base comune
- Xb- Materiali riciclabili per l'elettronica
- La carta come substrato dielettrico
- Materiali multistrato
- Cenni sulla realizzazione di "circuiti stampati" su materiali riciclabili
- Xc- Esempi di circuiti elementari per la "green electronics"
- Duplicatore di frequenza
- "Chipless tags"
- Esempi di sensore RFID passivo
- Yc- Risposta in frequenza
- Analisi poli e zeri
- Scale logaritmiche
- Diagrammi di Bode
Dettagli
SSD
Ingegneria industriale e dell'informazione
ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher frenkif di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica applicata e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Perugia o del prof Roselli Luca.