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Analogica

→ Segue v(t) analogica continuata nel tempo a rete ampiezza; vincolata e filtrata.

Silicio → semiconduttore con ke di vuoto, utilizzato nel legame covalente con un Si.

Processi di conduzione Metalli

→ I livello sesso nodo pur pâ è di vuoto, bordi di massa.

♣ • • •

No E &hat; moto casuale con urti cambianti, d.c

S¹ E → moto preferenziale degli e

i:

♣↑

quindi I → 9nU/e

n i

Inoltre → J = I/A

quindi J = 9nU/e = 6E

Semiconduttori

Considero: le Sr.

Ok no e³ liberi, in quanto impagliati nec l, si trova in ∨

Temp. amb → moto di agitazione termica e conseguente rottura dei legami. E quindi e³ è libero di eà

n± (n¹ ≤ densit¹ di e liberi)

&middle; n³ = densidade (tipi di metallo)

moversi ↔ creando una lacuna di posizione cui sar¹ associato uno +

  • Ic → banco banda di conduzione

  • Eυ → (B)

Quando E ¹ Eg, gli e- saltano in ³ libero di lacune di ∨

p = densit¹ lacune

n = densit¹ e

→ Act. eq; termodinamico: n = p = n

Se applico E: J = 9 (n/mln + p/mp)  →  E  GE

Per¹¿

J/n = 9 ’,5 mp

C³ =St sarebbe più ¹ le lacune in ²

Aluncio lo conduibili e troppo bom (Si) < Eche si pdra vie^i sangue n. p

per aumente la ¹ S pers^u ² semiconduttori drogati inp.

N.B. n e p non possono esse aumentati contemporaneamente.

Drogaggio N ➔ In fase di produzione immette un drogante del V gruppo (P).

  • 5 e- di valenza ➔ 4 per legarsi + 1 (B).
  • ND concentraz di atomi di P con D = Donore (P).

Drogaggio P ➔ Elemento del III gruppo (B).

  • 3 e- di valenza, utilizzato per legarsi, ma senza crea vacanza.
  • NA concent di lacune con A = Accettore (B).

Si assume il prof di completa ionizzazione:

  • n = p = NA
  • n ≠ ND➔ pacco: attuare

n≫ni (se tipo n)

p≫ni (se tipo p)

Legge di Azione di Massa

np = ni2

(p = ni2 / p)

Equ di Neutralità del Cristallo

p + ND = n + NA

Combinando approssimato (2) e (3) trevo *

n=n0 ➔ p + ND = n ➔ n : ND > n ➔ yes n: ND➔ n ➔ n: ND➔ n ➔ ND➔ n ➔ ND➔ n ➔ ND➔

nD ≫ ni ➔ e / ND^2 / N^2 / Nд v / Nż ➔

Processo di Diffusione

Si verifica un'inf C con gradiente di concentrazione di drogante. Le molecole si spostano da zone

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Vale__max
A.A. 2022-2023
59 pagine
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SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Vale__max di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica analogica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Bari o del prof De Leonardis Francesco.