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FISICA 2 - SOLO ESERCIZI
Sommario Esercizi:
- Pag 1-34 Esempi svolti in aula
- Pag 35-98 Esercizi svolti tratti dal libro “Mazzoldi”
- Pag 99-127 Esercizi svolti tratti da altri libri
- Pag 128-139 Temi d’esame svolti
ES: 1.3
Una sfera conduttrice di massa m = 2·10-3 kg ha carica q0 = 2·10-8 C ed è sospesa ad un filo lungo l. Si viene avvicinata una sfera di carica q = 5·10-7 C e l’angolo formatosi col filo è orizzontale misura θ quando la distanza tra le cariche è r = 5 cm = 0,05 m.
θ = arctg Fe/Fg
= arctg 9·9/4πɛ0r2 · 1/mg
= arctg 1,83 = 61,41°
ES: 1.5
3 cariche uguali q = q1 = q2 = q3 sono fisse nei vertici di un triangolo equilatero di lato l. Calcolare la forza elettrica esercitata su ognuna di esse e nel centro del triangolo.
E1x = -E2x
perchè le cariche sono uguali
Ex = Ø
Ey = q1cos30° Ey = q2cos30°
4πɛ0l2 4πɛ0l2
Etoty = 2q cos30°
4πɛ0l2
La forza che agisce su qz vale: F = E·qz = 2q2 cos30°
4πɛ0l2
y
Esercizio 1.8
Un disco sottile di raggio R ha carica q distribuita uniformemente su tutta la superficie. Calcolare E sull'asse del disco.
La densità superficiale di carica è: δ = q / πR2
Scriviamo dℓ:
dℓ = δ dΣ = δ 2πr dr
dE = δ 2πr dr cosθ / 4πεo (r2) x / (x2 + r2)3/2 cosθ
Ex = δx / 2εo ∫0R r dr / (x2 + r2)3/2
= δ / 2εo (1 - x / √(x2 + R2)) Ux
Per x >> R, Ex → 0
Ex = -q⁄4πε0 ∂⁄∂x (x2+R2)-1/2
= -q⁄4πε0 (x2+R2)-3/2 2x)
= -9⁄4πε0(x2+R2)3/2
ES: 2.8
Disco sottile di raggio R, carico uniformemente q
Calcolare campo e potenziale sull'asse.
Consideriamo un anello
elettrico di raggio r
e area dΣ = 2π r dr
su quella in carica q vale
q = δ dΣ = 2π δ r dr
dVanello = dq ⁄ 4πε0√(x2+r2)
= 2π δ r dr ⁄ 4π ε0 √(x2+r2)
= δ∫r dr ⁄ 2ε0 √(x2+r2)
ddisco = δ∫r dr ⁄ 2ε0
Puntato:
E(n<R) = q'/4πϵ0r = q r3/4πϵ0R3 = q r/4πϵ0R3
= ϕ4πR33ϵ0 3.v. = ϕ·r/3ϵ0
Vintano = V esterno = 4πϵ0r
V superficie = q/4πϵ0R = 4πR3ϕ/4πϵ0R = ϕR2/3ϵ0
Vintano :
V(n) - V(R) = ∫ E dr = R∫ r ϕR2 / 3ϵ0 = 1/3ϵ0 [(R2 - r)R]
=> V(n) = V(R) + ϕ/6ϵ0 (R2 - r2)
=> = ϕR2/3ϵ0 + ϕ/6ϵ0 (R2 - r2)
=> ϕ/6ϵ0 (R3r2 - r2)
+q su R1 ma per induzione...
-q su R2
+q su R3
Il campo è 0 per r < R1, R2 ≤ r ≤ R3 perché in un conduttore il pot è nullo e quindi anche il campo.
E quindi abbiamo:
r > R3
I campi delle cariche interne non influenzano il campo est perché il conduttore fa da schermo:
e basta te espressione una carica superficiale:
E = q / 4πε0r2
V = ∫ Edr = q / 4πε0r
R2 ≤ r ≤ R1
E = q / 4πε0r2
ΔV = Vr - VR2 = ∫R2r Edr = q / 4πε0 ∫R2r 1/r2 dr = q / 4πε0 (1/r)R2r = q / 4πε0 (1/r - 1/R2)
Vr = q / 4πε0 (1/r - 1/R2) + VR2
In Ambe se il campo in R2 è 0
il potenziale fa perché - quando
il campo è 0, il potenziale è costante
C1 = 9/50-0 = 2.16 * 10-10 F = 200 pF
C2 = 9/20-5 * 10-6 F = 600 pF
C3 = 9/80-70 = 3.3 * 10-10 F = 333 pF
Es. 4.16
Considerare C1, C2 in serie e le ddp ai loro capi sono
V1 = 3 V e V2 = 2 V
Collegando C1 ad un condensatore C’ in parallelo con
aperto C’ = 2 µF si ha V1 = 5 V V2 = 45 V
calcolare le capacità di C1 e C2.
per le serie:
q = C1 V1
q = C2 V2
C1/C2 = V2/V1
V2/V1 = 2/3 = C1/C2
per il parallelo
VC1 = VC’
qtot = qC1 + qC’
Ceq = qC1/VC1 = qC1 + qC’/VC1 = C1 + C’
(C1 + C’) VC1 = C2 VC2
C1 + C’/C2 = VC2/VC1
Le potenze spese in totale vale:
P = Reqtot i2 = 8,7·4 = 34,8 W
Sapendo che: i = V / R
E dopo il totò si evince: Vc - VF = i Rbe(R1 / (R2 + R1))
= 5,4 V
ES: 1.1
+9 e -9 di quel valore
calcola le forze esercitate dalle altre
sulle altre +9 è ripetuta
calcola E e vede eleva l'asse x
F-q = Fyz= (-9)(+9)
F-q = Fyz =
F-q = Fyz
F+q = Fz = (+9)(+9)
4πε0d2 =
= -q2
= q2/4πε0(2a√2)2
q2
32πε0a2
= √2/2
= q2√2
64πε0a2
d =
= 2a√2
Fz = Fy = Fyz = q2/32πε0a2
Ftot y = -q2
16πε0d2 + q2√2/64πε0a2
= q2/16πε0a2(-1 + √2/4)
Vy
Ftot = -q2
16πε0a2 + q2√2/64πε0d2
q2/16πε0a2 (-1 + √2/4)
Vz