Parte 5, Elettronica

V_GS > V_th

Tuttavia non c’e’ pozzetto da nessuna parte il flusso degli elettroni pertanto applichiamo una tensione positiva al drain, gli elettroni verranno attratti.

Al flusso di canale avremmo abbiamo creato una corrente da D a S

Cosa controlla I_DS -?

Per V_DS > 200 mV → I_D α V_DS ovvero questo significa che e’ riconducibile a una resistenza con caratteristica lineare

Caratteristica:

La corrente e la tensione di uscita sono perfettamente date dalla tensione di ingresso, in quanto non abbiamo corrente.

zona attiva zona saturazione

V_GS = V_th + 2V

V_GS = V_th + 1.5V

V_GS = V_th + 1V

V_GS ≤ V_th

oss

Possiamo controllare la nostra corrente e il flusso mediante questo meccanismo, ovvero dopo 200 mV V_DS va a comandare V_GS fino a portarlo in una zona di saturazione.

Triodo

Saturazione

V_ds < 200 mV

V_ds ≥ 200 mV

V_ds = V_gs - V_tn

Come media curva di lavoro del BJT vogliamo lavorare in un punto Q_Q che però qui si trova

media curva di saturazione in fatti come nel BJT

media si trova

Tensione che applicata Misura

le cariche date

abbiamo 2 resistenze in serie ai quali una, R_D e il circuito

momento in cui e' grande in quanto è quella della

resistenza del silicio.

Pensiamo tra due resistenze in serie

comanda quella più grande quindi si Pensiamo la Pemdenza della curva carateristica

si annulla in quanto la pemdenza e il reciproco della resistenza

1

R

Pensiamo aumentando il valore della tensione la corrente rimane costante

concorrente mos

Id = μ_n Cox^W/_L [(V_gs - V_tn)V_ds - 1/2 V_ds²]

h mosfer

μ: mobilita elettorni

Cox:_{constata dell'ossido morato}

2003 11:30 m m

W rapporto di aspetto / di sca_la L_min ≤ 2010 10 mm

V_gs - V_tn chiamano applichiamo

μ_kCox = K_n

Parametro di Transconduttanza del processo

Esercizio per casa x giovedì

1. Fai considerazioni su P. Mosfet
2. Prova esercizio: fai calcoli con piccoli segnale

Disegno esercizio comune:

V_DS = V_DD - I_DR_D

i_d = g_m V_gs

Amp lificficazione

Blah blah espressione

E le relazioni del mosfet sono uguali a qualsiasi transistor:

V_GS V_DS e in saturazione?

1°: dobbiamo vedere quale è il valore di V_G per sapere se è maggiore di V_tn e di conseguenza conduce

V_gs = 10V - 5V > V_th

• V_DD = 10 V
• V_th = 1V
• R_G1 = 10 kΩ
• K'_n = mA/V²
• R_G2 = 6 kΩ

Richiese:

V_GS =

e in saturazione

2°: portiamo che siamo in saturazione

V_G ≠ V_GS in quanto il source non è a massa

V_GS = V_G - R_SI_D

BUFFER

V_out = V_i

G = 1

adatta gli impedenze. Ad esempio se abbiamo un buon segnale con una buona amplificazione ma con una bassa impedenza mettiamo un buffer agli interni del circuito in modo tale da avere un'amplificazione voltura senza impedenze

AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE

applicare il principio di sovrapposizione degli effetti

V_o = ^R₂⁄_R1 (V₂ - V₁) se ^R₄⁄_R3 = ^R₂⁄_R1

se entra i_e ≠ 0 ⟹ i₁ ≠ i₂

se ho una corrente che entra non nullo posso compensare queste perdite non emettendo una corrente media, sulle morsetto in modo questa corrente scarica entra

Questo simbolo indica che a volte all'interno passa una corrente non trascurabile e quindi non c'è massa virtuale → le correnti si sommano

amplificatore operazione generico in configurazione invertente

V_out = - Z₂ V_in Z₁

configurazione non tempo (corretto)

i₁ = V₁ R

i₂ = -C dV_out dt

V_out = -1 ∫ V_in dt RC

si comporta come un quasi integratore in quanto c'è un

C'è in controreazione, ma esemplato da massa virtuale l'operazione ed un integratore a meno di Rc

dimostrato che c'è un derivatore

* se sto equiparando in alternata invece di fare un commutato quei qui porò mettere anche un condensatore che non faccia passare fa continua