Parte 5, Elettronica

V_GS > V_Th

Tuttavia non c'è ancora da nessuna parte il vento degli elettroni pertanto ponendo una tensione positiva al drain, gli elettroni vengono attratti

Il flusso di canale ovvero abbiamo creato una corrente da D a S

V_DS > 0

Ponendo comunque I_DS ->

Per V_DS > 200 mV -> I_D α V_DS ovvero questo significa che è riconducibile a una resistenza con caratteristiche lineare

Caratteristica

Le curve caratteristiche tra tensione e corrente di uscita sono parametriche ovvero sono dalla tensione di ingresso in quanto non abbiamo corrente

Zona attiva zona saturazione

V_GS1 = V_Th + 2 V

V_GS2 = V_Th + 1.5 V

V_GS3 = V_Th + 1 V

V_GS ≤ V_Th

Oss

Possiamo controllare la nostra corrente e il flusso mediante questo meccanismo, ovvero dopo 200 mV V_DS va a commutare V_GS siamo a portarci in una zona di saturazione

V_GS > V_th

Tuttavia non c'è ancora da nessuna parte il flusso degli elettroni pertanto mettendo una tensione positiva al drain gli elettroni vengono attratti

Il flusso di canale ovvero abbiamo create una corrente da D a S

V_DS > 0

Posso controllare I_DS ->

Per V_DS < 200 mV -> I_D ∝ V_DS ovvero questo significa che è riconducibile a una resistenza con caratteristiche lineare

Caratteristica: le curve caratteristiche tra tensione e corrente di uscita sono parametriche ester anche dalla tensione di ingresso in quanto non abbiamo corrente

Zona attivaZona saturazione

V_GS = V_th + 2 VV_GS = V_th + 1.5 VV_GS = V_th + 1 V

V_GS ≤ V_th

Possiamo controllare la nostra corrente e il flusso mediante questo meccanismo ovvero dopo 200 mV V_DS va a contraere V_GS e siamo a portarlo in una zona di saturazione

Triodo

V_DS < 200mV

Saturazione

V_DS > 200mVV_DS = V_GS - V_TH

Q_A V_DS > V_TH

Come nella curva di lavoro del BJT vogliamo lavorare in un punto Q_A che però qui si trova nella zona di saturazione infatti come nel BJT: media lo schema

Pinch-off

Tensione che applicata diminuisce tutte le cariche di gate

Abbiamo 2 resistenze in serie di cui una R_p è piccola invece R è grande in quanto è quella della resistenza del silicio.

Reazioni tra due resistenze in serie comandano quelle più grandi quindi R. Reazione da pendenza della curva caratteristica si annulla in quanto la pendenza è il reciproco della resistenza.

¹/_R → RM¹/_R=0

Reazione aumentiamo il valore della tensione la corrente rimane costante

I_D = μ_nC_OX W/L [(V_GS - V_TH)V_DS - 1/2 V_DS²]

Corriere nel n-mosfet

• μ_u: mobilità elettroni
• C_OX: Capacità dell'ossidometallo 2003 1.3 mm
• W rapporto di aspetto/dislocato L_min 2010 10mm
• V_GS - V_TH quando applichiamo
• μ_uC_OX = K_n

Parametro di transconduttanza del processo

Una volta si utilizzava il p-mos poiché fu il 1º ad essere inventato, poi si cambiò e si cominciò a utilizzare l’n-mos poiché la mobilità degli e^- era maggiore dei p⁺.

Oggi si utilizza il c-mos, complementary-mos, formato dalla simbiosi fra i due.

S_{imbolo circuitale}

• P-MOS
• N-MOS

Tensioni elevate in ingresso possono perforarli; cosa che può avvenire solamente per step ampio.

4: ognione del canalo

5: regione di saturazione

obbienio: Tracciate le sueue uive 3 come punti di ganho posizionanto im commuta.

I_D = μ_m Cox ^W/_L [(V_GS - V_th)V_DS - ¹/₂V_DS²]

1

V_DS < 200mV

perammo V_DS e' trascurabile

I_D = μ_m Cox ^W/_L(V_GS - V_th)V_DS

perammo abbiamo una proceanzaonota: auesto abbiamo una pendenza sinonaca

osseruazionem

I_D(V_GS) peremmo e' mosita aurue caratteristian che sono tutte fuite in rederatione alla v_DS che importante ai dice se il BJT e' a ceco:

2

V_DS = V_GS