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tale caso la carica test ha una sua parente della stessa entità e di segno opposto in fronte ad essa nello

specchio. L’interazione di immagine tra la carica test ed il metallo è dato dalla interazione colombiana tra la

carica test e la carica immagine fittizia.

-8

Fermandosi ad una distanza di 10 m viene misurato solo il potenziale coulombiano. Quindi, a distanze

molto ridotte, il potenziale dovuto alle

forze d’immagine è dominante.

Il lavoro compiuto per portare la carica

test dall’infinito al punto P altresì

chiamato potenziale in quel punto, è

determinato puramente dalla carica

dell’elettrodo. Non è influenzato da

qualsiasi interazione di immagine tra

carica test ed elettrodo. Il potenziale

appena fuori l’elettrodo carico si chiama

Ψ.

outer potential La stessa operazione

deve essere fatta con la soluzione, il potenziale esterno dovuto alla carica sull’elettrodo è e l’altra viene

M

chiamata . Unendo le parti metallo e soluzione separate prima concettualmente, otteniamo la

S

differenza di potenziale di Volta:

  

  

M S il cui significato fisico è la differenza di potenziale lungo un’interfaccia elettrificata

M S

derivante dalle cariche possedute dalle due fasi. Sulle facce non esistono solo cariche ma anche dipoli così

tolgo l’interfaccia e metto dipoli, in questo caso la carica può attraversare lo strato dei dipoli. Il lavoro

Χ.

compiuto per attraversare lo strato è il potenziale di superficie Non solo con la soluzione, anche nel

metallo si può definire un potenziale di superficie, gli elettroni infatti possono penetrare le barriere di

potenziale, lasciando buche elettroniche. Si origina una separazione di carica e quindi un strato dipolare.

Unendo le fasi come prima otteniamo

questa differenza di potenziale:

  

  

M S M S

Unendo le cose si ricava il potenziale di

Galvani:

  

 

S S S

Solo il potenziale di Volta è misurabile,

quello di Galvani no essendo interno.

In figura 6.44 invece vengono tolte

idealmente cariche e dipoli e di nuovo

viene portata la carica q nel bulk.

Interagisce con esso ed il lavoro

μ :

compiuto è il potenziale chimico. Il

potenziale elettrochimico ha una

definizione più complessa:

    

    

0

z F RT ln a z F

i i i i i i

Φ è il potenziale di Galvani, F è il

faraday e nasce dal prodotto della

carica elementare per il numero di

Avogadro. Il potenziale in fisica

diventa il livello di Fermi. In chimica il

potenziale chimico è la funzione di

Gibbs parziale molare:

 

G

     dove alfa rappresenta la fase

i  

n 

i T , P , n 1

j

Accumulo e conversione di energia Lezione 4 28/10/13

  

    

M S M S M S

  

  

  z F

i i i

 

G

   

i  

n 

i T , P , n 1

j    

   

  0

Se non sono presenti ioni allora , per una fase pura avente attività unitaria . Per un

i i i i

  

  

 

0

elettrone in un metallo (z = -1), . Vengono ignorati gli effetti dell’attività perché la

F

e e  

 

α β

concentrazione degli elettroni non muta. Con fasi e in equilibrio per forza . Per ogni sostanza

i i

 

  

 

0, . Dove il potenziale con lo zero all’apice è il chimico standard e l’attività quella della

RT ln a

i i i

α.

specie i nella fase Separare potenziale chimico ed elettrochimico non è possibile con le quantità ma con i

gradienti.  

  

 

j j z F in verde

  

j

x x x

indichiamo il potenziale chimico ed in

rosso quello elettrico

Nella scrittura c’è il contributo di

diffusione e migrazione, manca il

contributo convettivo.

Equilibrio termodinamico (esiste su

interfacce non polarizzabili)

 

( ) ( )

j M j S

  0

j

 

j 0

x   

   

S M S M ( z F )

j j i

 

    

S M S M

z F 0

j j

1

 

   

S M S M j

z F

j 1

 

  

S M

d ( ) d j

z F

j

Le prima tre formule sopra e le ultime due sono modi equivalenti di affermare lo stesso concetto.

Electron work function non è da considerare. Ai tempi di Volta gli unici strumenti disponibili erano

l’elettrometro e la propria lingua. 

    

' 0

c ( x ) dx

L’eccesso è l’area tratteggiata nella figura sopra, con .

c ( x ) c ( x ) c ( x ) c

i i i i i

0

L’integrale indicato permette di calcolare la superficie in eccesso di Gibbs.

Elettrocapillarità (misura possibile solo con i liquidi) 2

Le cariche sono disposte sempre sulla superficie interfacciale di 1cm come in figura 6.50, il manometro

finisce con un capillare con all’interno Hg.

Indicato con V il potenziometro, in questo caso abbiamo la relazione tra la tensione applicata ed una

grandezza non ancora nominata, la tensione superficiale.

Accumulo e conversione di energia Lezione 5 29/10/13

Accumulo e deplezione delle sostanze all’interfaccia (o meglio interfase) Γ

L’area ombreggiata in figura 6.48 rappresenta la concentrazione in eccesso rispetto al bulk. La lettera è

una gamma maiuscola. La quantità di specie adsorbita per unità di area di interfaccia equivale alla quantità

totale di specie esistente all’interno della regioni di interfase divisa per l’area dell’interfaccia. dV è il volume

di una lamina infinitamente sottile (di soluzione).

  

1 1

  

    

' 0

c ( x ) dx c ( x ) dV [ c ( x ) c ]

dV

i i i i i

A A

0 0 0

1 

 

d ( n )

i

A 0 numero di moli in eccesso – numero di moli nel bulk

0

n n

 

i i

A A

La concentrazione in eccesso è la quantità di carica sul condensatore.

Termodinamica dell’interfaccia elettrificata

Spostando il cursore si preleva la tensione che serve, la tensione superficiale viene definita come lavoro per

γ

cambiare la superficie, si indica con ed è correlata alla bagnabilità. Quest’ ultima proprietà si ricava grazie

ad misure dell’angolo di contatto (combinazione delle forze agenti tra superficie e goccia).

Il menisco nella figura è convesso, le forze

sono rivolte verso il mercurio. Per raggi

sufficientemente piccoli, la forma è

semisferica ed il contributo del coseno

hgr

 

sparisce. Al termine ottengo ,

2

bastano un voltmetro ed un doppio decimetro,

poiché l’unica quantità da misura è l’altezza

(con un dilatometro).

La tensione superficiale è funzione della

tensione e della concentrazione ora si vedrà

 

perché ( ).

f (

V , C )

In base alla tensione cambia l’altezza della colonna di mercurio, la tensione usa come unità di misura le

vecchie dyne. La parabola nella figura è

convessa, in soluzioni più diluite

permane la forma ma cambia la

collocazione del massimo.

La dipendenza scritta sopra è

implicita, ora bisogna scrivere in

che modo.

 

  

dU TdS W dn

i i 

  

     

M S '

dU TdS PdV dA dq dn

1 M i i

i

q 

  

    

M

d q dV d d

M j i i

z F

j

Il tutto in un sistema aperto, quindi in modo

 

equivalente si può dire che ,

f (

V , )

poiché potenziale chimico e concentrazione

sono collegati. Nel caso in cui la

concentrazione sia mantenuta fissa,

 

 

d 0

i i

i  

d 0

j

   

  q

 M

 

V

In questo modo si possono calcolare sia la carica presente sull’elettrodo sia la capacitanza sull’interfaccia.

In prossimità del massimo l’elettrodo è scarico e dopo si carica in maniera opposta. La figura 6.56 mi aiuta a

scoprire la capacità, sul ramo positivo è presente l’incertezza nella misura dell’altezza del mercurio.

All’epoca dell’esperimento era delle due grandezze quella più difficile da rilevare accuratamente.

q

Facendo la derivata ottengo all’incirca una retta e derivando ancora una costante, è la capacità , ho

V

una discontinuità sul massimo che permette comunque al concetto di essere costruito su basi solide.

q

 è la capacità integrale mentre esiste una capacità differenziale, che si ricava proprio con questo

K V

esperimento: 

 

 

  2

q

  

M 

 

C  

  2

 

V V

composiz .cos t composiz .cos t Il secondo tipo di capacità vale per condensatori

elettrochimici e vale solo per un determinato intervallo. Per

ora si è riusciti a ricavare due grandezze

 2

q/cm

 capacità

 

  

  nel massimo a composizione costante, il

q 0

M  

V

condensatore si scarica ad un certo V. A partire

dall’esperimento con il mercurio, è possibile ricavare il punto

di carica per tutti i metalli, con la spettroscopia ad

impedenza. Il cambiamento nella tensione superficiale si

può scrivere come:

q 

  

   

M

d d d

j i i

z F i

j

Consideriamo un’interfaccia polarizzabile (elettrodo metallico), in contatto con una soluzione di

elettrolita 1:1. Supponiamo che l’interfaccia polarizzabile sia quella con cui gli ioni negativi scambiano la

carica con la superficie metallica. Nella figura sotto vengono riportate diverse misura effettuate a

potenziale costante.

q

   

     

M

d d d d

    

F

  

 

 

 In verde la moli presenti sulla faccia, in verde quelle nel bulk

0

n n

   

 A

 0

n n

   

 A     

q F F 0 per il principio di

 

M

elettroneutralità

   

  

 

 

2 RT ln a cos tV

 

   

q q q q

M S

   

z F z F

   

La pendenza della tensione superficiale contro il

logaritmo dell’attività a potenziali costanti porta

all’eccesso di carica superficiale. si ottiene

moltiplicando la concentrazione nel bulk per il

coefficiente di attività medio.

Con le esperimento ottengo tutte le informazioni

sull’interfaccia, sulle cariche e sulla capacità. In figura

6.59 la somma algebrica permette di ottenere la

curva superiore da quelle intermedie.

Accumulo lezione 6 4/11/2013

Struttura dell’interfaccia elettrificata

Le misure di elettrocapillarità risalgono all’inizio del 1900, il risultato ottenuto informa che il numero di

cariche da depositare dipende dalla tensione applicata.

 

M S q q

Sapere il valore di e di è utile ma in questo modo dal lato della soluzione non ci è possibile

M S

sapere dove si trovano gli ioni, ancora una volta è necessario fare un modello. A contatto col metallo si

trovano praticamente solo molecole di acqua, gli anioni solvatati indicati lo sono a causa della maggiore

dimensione.

Teoria di Helmoltz-Perrin (6.6.2 Bockris)  

Si basa su OHP e IHP, l’acqua è un buon solvente grazie all’elevata costante dielettrica ( ), è questo

78

può essere visto chiaramente guardando un cristallo di NaCl all’aria ed in soluzione. La solubilizzazione

avviene proprio grazie al notevole incremento di costante dielettrica. Nel modello viene tolto il solvente e

considerate solo le cariche di natura per ipotesi uniforme.

  

d q dV

M

d

V  q

0 M

d Senza una funzione esplicita non potrei integrare successivamente

dV dq

 M

0

 

d  

  q M

 

dV comp

. cos t

d

 

 

d q dq

 M M

0 2

d q

   M

cos t 1 d

  2

per un’area di 1 cm

2 

0 C 0

  

   

q 0; ; const

M max max

 dq

 

0

C A

d dV

 2

V

 

  0 oppure

max d 2

 2

V

 

  0

max d 2 2

Tale equazione corrisponde ad una funzione del tipo y = -ax +b cioè ad una parabola perfetta, se

l’esperimento rispecchia il modello. Tuttavia nonostante si ricavi una certa corrispondenza, non è detto che

il modello sia l’unico possibile.

Nell’ultima grafico si nota come la capacità non dipenda dalla tensione applicata, lo spessore d è in genere

nanometrico, ma la capacità non è per nulla costante, a causa dell’approssimazione di cariche puntiformi il

modello non sta in piedi.

Gouy-Chapman, modello della carica diffusa (6.6.4)

L’eccesso di carica è situato sull’OHP nel modello precedente, il che è corretto solo trovandosi allo 0K, è

meglio pensare ad una nuvola di cariche anche se considerate ancora puntiformi.

z e

 i 0 x

  0 kT

n z e e

x i i 0

i 

 2

d

   entrambe le espressioni di riferiscono alla densità di carica

x

x 2

4 dx

Il processo compiuto parte dell’equazione di Poisson e porta a stadi verso quella di Gauss, la densità di

carica si può calcolare anche con l’equazione di Boltzmann, le cariche nel bulk vengono moltiplicate per il

fattore di Boltzmann, uguagliando le espressioni si ottiene la Poisson-Boltzmann.

 

 z e

2 

4  i 0 x

 0 kT

n z e e

 i i 0

2

x i

 

 

x

 x

x 

  

 x

e

x 0

La Debye-Huckel è molto simile alla Gouy-Chapman, passando ad una sistema con simmetria centrale.

-1

La chi, di solito indicata con la K, ha un importante significato fisico, dimensionalmente è un m , quindi è

una lunghezza, la lunghezza di Debye. Essa dipende solamente dalle caratteristiche dell’elettrolita:

1 / 2

 

 

 

  2

2

q 2 z e c ze

q  

 

   

  diff 0 0 0 0 M

M

C cosh

   

 

   

V kT 2 kT

 

M

comp

. cos t

Lezione 7 5/11/2013

La situazione osservata in soluzione può essere modellizzata con il circuito equivalente, dotato di C e di

dl

una resistenza R con il pedice ad indicare il trasferimento di carica. In figura 6.63 si notano le deviazioni dal

ct

modello della parabola perfetta, in sostanza adatto solamente al caso dei cationi. I primi due modelli, di

Helmholtz e di Gouy-Chapman sono utili perché propongono tematiche non risolte, la prova successiva

viene da Stern, che combina i due modelli. Due condensatori in serie, la cui somma è l’addizione dei

reciproci, la capacità più ridotta vince. Nella figura c’è un riepilogo dei modelli illustrati nel capitolo 6, dove i

tre citati hanno solo valore culturale, per le soluzioni concentrate vince Helmholtz, nelle concentrate Gouy,

in realtà vanno male entrambe.

Interfaccia con il solvente più comune: l’acqua 3

Si osserva la figura 6.72, a livello di densità unitaria, un grammo occupa 1 cm , si vogliono calcolare le N ,

w

2

cioè le molecole presenti sul cm .

 23

6.022 10

   22

N 3.345 10

w 18 15

Facendo la radice cubica ed elevando al quadrato arriviamo all’incirca a 10 , facendo ritenere che il 70%

della superficie sia ricoperto da molecole di acqua. Il numero di siti sulla superficie metallica per centimetro

15

quadro si considera uguale al numero di atomi metallici per centimetro quadro (1.5 x 10 ).

In figura 6.76 sono evidenziati i fenomeni di flip up e flop down, andando nel bulk abbiamo una disposizione

bilanciata (50% a destra e 50% orientate a sinistra), deve esserci polarizzazione per orientare le molecole.

Ricordiamo che la costante dielettrica dell’acqua è di 78, per ottenere l’assoluto si moltiplica per il valore

 F

12

nel vuoto . Quando le molecole vengono orientate è possibile calcolare come cambia la

8.85 10 m costante dielettrica, vedi figura 6.74.

Diminuzione della costante dielettrica dell’acqua rispetto

al bulk, uno dei fattori che smonta le ipotesi dei tre

modelli prima presentati.

 

  S

d

1 d d 1 1

    

g dipoli

C dq dq dq C C

M M M carica dipolo

1 1

C C

CARICA

E’ giustificabile ignorare il contributo dei dipoli di acqua che costituiscono la guaina di idratazione

dell’elettrodo dal calcolo della capacità differenziale all’interfaccia elettrificata.

Per quale altro motivo il modello coulombiano non basta? Vi sono ioni adsorbiti, a diretto contatto col

metallo:

La chiave è la dimensione degli ioni, i più grandi si desolvatano meglio. Ora guardare diapositiva 31 del prof

cap III.

Il termine hump indica una gobba. Pagina 243-244 Bockris spiegazione.

Lezione 8 11/11/2013 

Alcune righe fa avevamo fatto notare il callo nella nel giro di 3 o 4 diametri, lo strato dipolare consiste di

una serie di cariche positive e negative separate. Nella figura 6.106, sull’OHP abbiamo i cationi, per voltaggi

negativi non muta la C ed il modello di Helmholtz viene rispettato. Con V positivi aumenta C ma quando gli

ioni saltano sull’IHP la repulsione va a riflettersi sulla gobba.

Struttura dell’interfaccia elettrolita-semiconduttore

 6

Se esprimiamo la conducibilità in per i metalli è intorno a 10 , come conducibilità nei semiconduttori ci

cm

-2

avviciniamo a 10 per Ge e Si. All’appendice del capitolo 6, una completa spiegazione della teoria delle

bande. J

Per confrontare i band gaps, posso usare kT o RT per i chimici, . In un metallo il gap è

R 8.31 

K mol

inferiore a RT, invece nel semiconduttore molto vicino a tale valore.

La regione di carica diffusa all’interno del semiconduttore intrinseco

La carica spaziale secondo Garnett-Brattain (diapositiva 37 prof cap III)

1/2

 

 0 2

d 2 n e

  

x 0



 

dx kT

0

 

 

x x



  

 e

x s 1/2

 

0 2

2 n e

  

0



 

kT

0 Il modello funziona molto bene, carrier

l’elettrone, vicino all’ipotesi della carica

puntiforme. Cenni su colloidi da 1001 e

1006.

Presentazione del capitolo 7

Tratterà della resistenza R , non è

ct

proprio ohmica, il discorso si porterà

sulla cinetica di reazioni redox su anodo e

catodo.

Lezione 9 12/11/2013

Electrodics, introduzione del capitolo 7 (cinetica delle reazioni elettrodiche)

1. le reazioni all’elettrodo coinvolgono il trasferimenti di elettroni e sono quindi redox

2. reazioni elettrodiche sono eterogenee in natura e le velocità di reazione sono in scala con l’area di

elettrodo

3. la misura di corrente è diretta e facile, velocità di reazione collegata

4. cambiamenti della velocità di reazione possono essere indotti variando la concentrazione, la

temperatura ed il potenziale di elettrodo

5. il passaggio di corrente lungo la cella elettrochimica è una transizione tra conducibilità elettronica

(elettrodo) e ionica (soluzione)

La corrente si potrebbe controllare non solo dalla resistenza della soluzione, ma più dall’impedenza alle due

interfacce elettrodo-soluzione. In fine a turno, dipende da fattori come cinetica all’elettrodo, capacità

all’interfaccia e limitazioni al trasporto di massa. Elettrodo all’Ag-AgNO . A t=0 non succede nulla ma

3

+

qualche istante dopo gli Ag formati raggiungono il metallo per ridursi, si suppone sia tale ione a compiere i

salti. Abbiamo un trasferimento elettronico sottoposto ad un campo elettrico:

 0

G

kT

  RT

c e

i è la frequenza di salto

h  

 

    

0 0

G G e

chem 0

 

 

0

G e

 

kT chem 0

 RT RT

v e e

e h  

 e

 0

 RT

e

chem

  è la posizione del massimo

0 1

x

  2

x x

1 2  

 e

 0

RT

e

La frequenza di salto elettrochimica ricorda quella chimica, a meno del fattore . La velocità di

-2 -1 -2

reazione interfacciale v(cm mol s ) e la densità di corrente elettrica (A cm ) sono legate come segue, per

una reazione di trasferimento monoelettronico:

 

i F

La corrente diviene un mezzo per controllare la velocità di reazione.

  

 

0

G F

 

kT

  RT RT

i F c e e

Ag

h

Lungo l’interfaccia troviamo un traffico a due vie:

  

A e D

 

 F

 RT

i Fkc e

i

E de-electronation reaction:

 

D A e  

 

(1 ) F

i Fkc e

M RT

i i  

  

 

F (1 ) F

eq

 e

  

RT

i kc e i kc e

 0 A

M RT

I è una corrente di scambio, e l’elettrodo funziona da catalizzatore:

0

  

    e  

    

i i i ( )

cath e

La eta indica la sovratensione da applicare, there is a technical name given to electric currents in which

electrons leave the electrons bound for ions in solution. Sono chiamate catodiche, e l’elettrodo in questo

stato di emissione si definisce catodo. A le velocità dei due processi è uguale.

e

Se la sovratensione è positiva, la situazione è:

  

    e

 

    

i i i ( )

cat e  

 

 

 (1 ) F

F

 

RT RT

i Fkc e Fkc e

cat i A

Se  

 

 

 (1 ) F

e

F

 e  

RT RT

Fkc e i Fkc e

i 0 A  

 (1 ) F

F

 

RT RT

i i ( e e )

cat 0

equazione di Butler-Volmer (pronuncia Folmer)

La resistenza del circuito equivalente è di tipo non ohmico

Lezione 10 18/11/2013 

L’elettrone nella buca di potenziale si muove verso il top. è un fattore geometrico, aiuta a localizzare il

 

 

    

0' 0

massimo partendo dai due tratti espressioni di lavoro chimico ed elettrochimico.

G G e

0 

+

La corrente i è dovuta ad Ag che saltano da OHP sulla superficie. A e B erano acceptor e donor, è la

CAT

differenza tra quando passa corrente e quando no.

 

 

(1 ) F F

 

RT RT

i i ( e e )

an 0

 

i i i  

  

(1 ) F F

 

  

RT RT

i [ e e ], 0.6

0  F

i i

0 RT

x x

e e  sinh x

2 

1 F

x 2 RT

1

 

Con , la funzione perde di simmetria, la conseguenza elettronica è che l’interfaccia ha un potere

2

elettrificante (ponendo un segnale sinusoidale, all’uscita dello strumento non è tale). Sotto i 25 mV di

x

discostamento abbiamo x<1, sviluppo serie e :

1

  

x 2

e 1 x x

2

1 1

 

1 10 100  

(1 e ) F F

   

i i (1 1 )

0 RT RT

F

Basta il primo termine per approssimare bene l’esponenziale. i i

0 RT

 

RT

   i

 

Fi

0

Sviluppando in serie di potenze per x piccolo, siamo nel lower potential case.

Figura 8.31 un tratto può essere linearizzato

Figura 8.32 il caso ad elevata sovratensione c’è nell’edizione precedente

Per x grande (oltre i 100 mV, abbiamo un solo esponenziale)

  

F (1 ) F

 

RT RT

e e  

F

 RT

i i e

CAT 0 L’ultima scritta è conosciuta come equazione di Tafel

  

a b log i

L’equazione di Tafel è utile per oltre 100 mV dall’equilibrio:

In questo modo è possibile ricavare anche i .

0

Interfacce polarizzate e non

RT

  

F  

n RT 1

  

  

i F i

o E 

Per la legge di Ohm con cui si ricava la resistenza di trasferimento di caria:

R

CT

i RT 0.025

V

F

RT  con una misura di resistenza è possibile calcolare i , a 298K . Con i quasi

R 0 0

CT 0.025

i F 

   2

R cm

0 CT i

0

nulla, la resistenza si approssima a infinito. NOTA: per il nero di platino viene impiegato acido cloro

platinico, con una “fattura”.

19/11/2012 Lezione 11 RT

  i

i F

0

  

R i

CT

 

V R i

Condizione di equilibrio: trattamento cinetico

   

  

F (1 ) F

 e e

 

RT RT

FkC e i FkC e

 0 D

A C

RT RT

 

   A

ln k ln

e F F C D

C

RT

  

    A

ln

e e ,0 F C D

non è nel bulk ma nel piano OHP

C 

A

Trattamento termodinamico della Nernst

 

z

M ze M

  

  z

z

M e

M

  

  zF

 

z z S

M M

  

  F

e e M 

  uguaglianza dei potenziali elettrochimici

1 G

     

       

z

e M S e M

M

zF zF

  

  

0 0 0 0

( ) G

 

  

z e M

0 M

e zF zF

  rappresentano il potenziale chimico ed elettrochimico

,

 

  RT ln a

i i i

  

 

0 0 0

( ) RT

 

  

z e M

M ln a

e 

zF zF M

  

  

0 0 0 0

( ) G

 

  

z e M

M

e zF zF

RT

 

   

0 ln a 

z

e e M

zF

RT

 

0

V V ln a 

z

e e M

zF

 

2

Cu 2

e Cu

RT

 

   

Cu S Cu S 0 ln a 

2

e e Cu

zF

 

  2

Pt , H ( P 1) / H ( a 1) / / Cu / Cu / Pt '

2 H H

2    

       

Pt Pt ' Cu S S Pt 0 Pt ' Cu

E

e e e

   

       

0 Pt Pt ' 0 Cu S 0 S Pt 0 Pt ' Cu

E

e e e

  RT

0

E E ln a 

2 F 2

e e Cu

0 cu2+ 0

E , per a =1 e se è noto, uno potrebbe predire il potenziale di cella per ogni attività di ioni rame

E

e e

dalla Nernst sopra.

Perché l’equazione del 1904 è ancora utile?

Nasce dal secondo principio della termodinamica, combinato col primo. Il contatto S-L è buono, quello S-S

pessimo, il platino platinato in questo caso sarebbe inutile.

NOTA: scuola parallela a questa in URSS con Frumkin.

Cinetica dell’elettrodo che coinvolge l’interfaccia semiconduttore-soluzione


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hleb90

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DETTAGLI
Corso di laurea: Corso di laurea magistrale in chimica
SSD:
Università: Pavia - Unipv
A.A.: 2014-2015

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher hleb90 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Accumulo e conversione di energia e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Pavia - Unipv o del prof Magistris Aldo.

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