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SENSORI A TRASDUZIONE ACUSTICA
I sensori a trasduzione acustica sfruttano l’effetto piezoelettrico inverso: una tensione elettrica
applicata a cristalli come il quarzo determina una deformazione meccanica; eccitando il cristallo con
un segnale elettrico oscillante, si può innescare una risonanza meccanica. L’insieme di oscillatore
elettronico e quarzo costituisce il “sistema di trasduzione di massa”.
A seconda della direzione di sollecitazione meccanica o del campo elettrico rispetto alla direzione di
polarizzazione, il piezoceramico può avere diversi modi di vibrare:
▪ →
SAW (Surface Acoustic Wave”) i
sistemi SAW (in italiano, “onda acustica
di superficie”) producono onde
bidimensionali che si muovono lungo la
superficie del cristallo a causa di una
radiazione di frequenza opportuna che la
colpisce perpendicolarmente. I sistemi 84
SAW possono essere usati solo per analizzare gas.
▪ →
BAW (“Bulk Acoustic Wave”) i sistemi BAW (in italiano, “onda acustica di volume”)
sfruttano come parte sensibile del sensore un materiale piezoelettrico risonante (spesso,
quarzo) che ha una o entrambe le superfici
ricoperte da uno strato sottile sensibile. In questo
caso, l’eccitazione non è perpendicolare, ma
avviene lungo la faccia di cut-off del cristallo. I
sistemi BAW possono essere usati sia per i gas che
per i liquidi.
I sensori di tipo acustico presentano elevate sensibilità, breve tempo di risposta, consumano poco,
sono di piccole dimensioni e robusti. Gli svantaggi sono rappresentati dalla loro sensibilità
all’umidità e alla temperatura.
MICROBILANCIA A CRISTALLO DI QUARZO (QCM)
Un dispositivo QCM si basa su una lamina di quarzo opportunamente tagliata da un cristallo del
materiale e ricoperta sulle due facce da altrettanti elettrodi (es. in oro, argento o platino). Quando
viene applicata una corrente alternata, il cristallo di quarzo viene eccitato in modo vibrazionale alla
sua frequenza risonante. L’oscillazione meccanica del cristallo è massima nella zona in contatto con
gli elettrodi. Nella realizzazione di tali dispositivi, i metalli sono spesso evaporati direttamente sulla
placca di quarzo per costituire gli elettrodi.
La microbilancia a cristallo di quarzo può essere utilizzata come un sensore gravimetrico:
attraverso una reazione di affinità con l’analita, si verifica un aumento di massa sulla superficie del
sensore che provoca una diminuzione nella forza di oscillazione.
Le microbilance a cristallo di quarzo possono essere modificate per essere applicate in un’ampia
gamma di analisi: →
1. Immunosensori a base di QCM una delle superfici d’oro della QCM può essere modificata
con un anticorpo di modo da realizzare un immunosensore; 85
→
2. EQCM (Electochemical Quarz Crystal Microbalance) tale QCM elettrochimica può essere
ottenuta quando in una cella elettrochimica l’elettrodo di lavoro è rimpiazzato da una
microbilancia a cristallo di quarzo;
→
3. Analisi di gas con QCM l’analisi dei gas può essere effettuata indirizzando il flusso di gas
in analisi sulle due superfici d’oro della QCM, di modo da generare una pressione;
4. Biosensori per la determinazione di OGM che sfruttano una QCM.
Biosensore per la determinazione di OGM
Gli OGM (Organismi Geneticamente Modificati) sono definiti come organismi il cui genoma è stato
modificato con l’introduzione di un gene esogeno che esprime una proteina che conferisce nuove
caratteristiche (ad esempio resistenza ad erbicidi, antibiotici, virus o insetti).
Il DNA esogeno è inserito in una “cassetta” genica che contiene gli elementi necessari per
l’espressione: un promotore ed un terminatore. Il promotore 35S del virus del mosaico del
cavolfiore (CaMV) ed il terminatore Tnos di Agrobacterium tumefaciens sono usati per la produzione
della maggior parte delle piante transgeniche commerciali.
Un biosensore per la determinazione di OGM può essere realizzato sfruttando come biorecettori
degli oligonucleotidi con sequenza complementare a P35S e Tnos e come trasduttore una
microbilancia a cristallo di quarzo (costituita da un cristallo di quarzo piezoelettrico a sandwich fra
due elettrodi d’oro).
L’analisi di un campione alimentare OGM può dunque essere condotta come segue:
1. Si estrae il DNA dal campione di interesse;
2. Si esegue una PCR sul campione da analizzare per amplificare le regioni di DNA 35S e Tnos;
3. Si induce la denaturazione del frammento amplificato per ottenere un DNA a singolo
filamento;
4. Si mette in contatto il biosensore con il campione per far avvenire la reazione di ibridazione
fra il DNA a singolo filamento ottenuto e la sonda immobilizzata;
5. La variazione di massa del biorecettore causa una variazione della frequenza di oscillazione
nella QCM, che indica che nel campione era presente DNA 35S e Tnos. 86
Transistor ad effetto di campo (FET)
Il transistor ad effetto di campo (FET, “Field Effect
Transistor”) è un tipo di dispositivo elettrico che utilizza una
differenza di potenziale per controllare l’intensità di corrente
di un canale posto fra due elettrodi in materiali
semiconduttori. -4 7
Un semiconduttore è un materiale la cui resistività elettrica è compresa fra 10 -10 Ω·m, cioè che
risulta intermedia fra i metalli e gli isolanti; sono esempi di semiconduttori i solidi cristallini di silicio,
di germanio e di arseniuro di gallio.
I transistor prevedono l’utilizzo di due tipologie di semiconduttori:
▪ →
Silicio di tipo n si tratta di un cristallo di silicio drogato con fosforo; siccome il fosforo
presenta un elettrone in più non impiegato nella struttura cristallina covalente, questo
agisce come elettrone di conduzione. Tale semiconduttore presenta dunque un eccesso di
elettroni.
▪ →
Silicio di tipo p si tratta di un cristallo di silicio drogato con alluminio; siccome l’alluminio
presenta un elettrone in meno rispetto al numero necessario per completare la struttura
cristallina covalente, il semiconduttore presenta un eccesso di lacune, cioè di vacanze
elettroniche. Tale conduttore presenta dunque una parziale carica positiva. 87
Ponendo a contatto un cristallo di silicio di tipo n ed un cristallo di silicio di tipo p, si va a creare una
giunzione p-n, la quale costituisce un diodo, cioè un componente elettronico in grado di permettere
il flusso di corrente elettrica in un verso e di bloccarla quasi totalmente nell’altro.
Si possono avere due tipologie di polarizzazione, a seconda di come si collegano i terminali di un
generatore di corrente alla giunzione p-n:
→
1. Polarizzazione diretta il terminale positivo è collegato alla regione di tipo p ed il terminale
negativo alla regione di tipo n. In tal caso, gli elettroni nella regione di tipo n e le lacune nella
regione di tipo p vengono spinte verso la giunzione, per cui la differenza di potenziale sulla
giunzione diminuisce e questo fa sì che possa scorrere una corrente apprezzabile.
→
2. Polarizzazione inversa il terminale positivo è collegato alla regione di tipo n ed il terminale
negativo alla regione di tipo p. In tal caso, gli elettroni nella regione di tipo n e le lacune nella
regione di tipo p vengono spinte lontano dalla giunzione, per cui si genera una regione di
impoverimento e la differenza di potenziale sulla giunzione aumenta, per cui la corrente
inversa che può scorrere è bassissima. 88
COSTITUZIONE E FUNZIONAMENTO
Nel FET, il corpo del dispositivo (detto “base”) è Si-p con due regioni di Si-n dette “source” e “drain”.
La parte superiore della base è coperta da un sottile strato isolante di SiO . Al di sopra di tale strato
2
si trova un conduttore metallico detto “gate”.
Quando viene applicata una differenza di potenziale fra source e drain, circola una piccola corrente;
l’interfaccia drain-base è infatti una giunzione p-n in polarizzazione inversa, per cui attorno al drain
si genera una regione di impoverimento ad alta resistenza. Quanto più positivo sarà il gate, tanto
maggiore sarà la quantità di corrente che può circolare attraverso il canale di conduzione (che
collega le due regioni di Si-n, source e drain).
I FET possono essere utilizzati come trasduttori nella realizzazione di sensori e biosensori. In
particolare, la principale caratteristica del transistore ad effetto di campo utilizzabile come sensore
chimico è lo strato chimicamente sensibile presente sopra il gate. 89
ISFET (FET IONOSELETTIVI)
I transistor ad effetto di campo ionoselettivi (ISFET) vengono utilizzati per la determinazione di
specie ioniche in soluzione e differiscono dai FET generici in quanto prevedono:
▪ Un elettrodo di riferimento che sostituisce il terminale gate;
▪ Un film di Si N , Al O o Ta O che ricopre la superficie del bulk e garantisce una risposta
3 4 2 3 2 5
lineare in funzione della concentrazione di analita (gate isolante);
▪ Una membrana ionoselettiva, costituita da PVC e valinomicina, la quale contiene dipoli
elettrici e consente quindi l’inclusione di ioni metallici.
In tali ISFET, viene applicata una differenza di potenziale ai terminali del dispositivo e la corrente
elettrica di drain passante nel semiconduttore varia unicamente in funzione dell’attività dello ione
cui la membrana è sensibile.
CHEMFET
I transistor a effetto di campo chemiosensibili (CHEMFET) non sono utili per determinazioni in
soluzione elettrolitica, bensì per determinare la pressione parziale di un dato componente in miscele
gassose.
La superficie sensibile è costituita da ossidi di metalli di transizione, opportunamente drogati,
rivestiti da un film polimerico di materiale semiconduttore (ad esempio, il polyHEMA). Su questa
superficie possono essere facilmente adsorbite specie gassose (es. O , NO , H S, NH , H O) che
2 2 2 3 2
facilmente cedono o accettano elettroni, causando così la formazione di cariche superficiali che a
loro volta causano la variazione delle proprietà di conduzione del semiconduttore stesso.
,
Generalmente, viene misurata la conducibilità espressa come
Δ =
dove è una costante dipendente dalla natura del semiconduttore e dal tipo di drogaggio, è la
pressione parziale della specie gassosa in esame ed è un coefficiente dipendente dalle proprietà
chimico-fisiche della miscela gassosa in esame.
I CHEMFET possono essere utilizzati per varie applicazioni:
▪ In campo biomedico, possono essere impiegati per la misura dell’acidità dei fluidi biologici e
per determinare la concentrazione di metalli alcalini n