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tutte le volte che vuoi
I
correnti
delle due
medio
valore II IB loro
alla
Io media
più
differenza piccole rispetto
il R
sul
questi
If invertente resistere
morsetto
effetti
minimizzare non
aggiungendo RII
V _RIF R In
gg Rita _R
RII In
E
R
Rito 11 Io
Blatt R LIBIo
R
se v
Ri
III R
R alta
di ad
RATE linearità di
è
EW in
non frequenza
causa segnali
una presenza
di
elicità del
risposta tiro
è basso
passa
Ctz V
entra del
la del alla 4
sinusoidale
mando è pari
segnale segnale
un risposta segnale pendenza i
la la al
che fino
velocità detto
allora aumenta limite
aumenta
man mano pendenza al
tem
E II derivata
SR all'uscita
Vms
satura max
EW RATE e
definito rispetto
pendenza ma
dalla
frequenza
dipende
PENDENZA
T.it sunt
V V Se
wv.cat w
dà è la
V da
cui
possocalcolare
SR w
definisco una unum in s
minima
frequenza
Faticare frequenza
lo su
essendo tensione
DO
IO o
i
L TÈ
E III
Us
RIT 7
e
PACITA parametri
SVUOTAMENTO n
p
giunzione geometrici
la di
tensione
scutere capacitàvariano
come polarizzazione
dei ed
all'interno diodi
struttura transistor
è è
fondamentale semiconduttori
dispositivi o
p una
n come
unzione composta
lacune contat
di
di trovano
di stretto
materiale che
elettroni
e in
ricca si
semiconduttore ricca tipo n
tipo p
regioni tra
la di
nella
di che
di
totale si
forma
svuotamento
carica
svuotamento
capacità rappresenta capacità immagazzinare regione
da
Essa diversi fisici geometrici
e e
parametri
dipende
regioni di
di dalla
dalla di
dei
materiali
svuotamento
distanza semiconduttori
concentrazione tensione
e
dipende dragaggio applica
polarizzazione
la sulla
di di
atomi
nella nella
atomi
donatori Na Na
accettori
concentrazione ne influisce
p
drogaggio regione regione
di
d
di svuotamento
della stretta
svuotamento s capacità
a
larghezza più
dragaggio
regione
del di
e materiale carica
dielettrica
cost capacità immagazzinare
di la di
svuotamento della distanza
all'area svuotamento
If capacità
C diviso
proporzionale giunzione
la di
nella
di della svuota
della causando
di
svuotamento capacità
variazione
tensione larghezza
variazione modifica
polarizzazione regione
al d
al di
terminale
terminale s i
n n
tensione riduzione
tensione
arizzazione portatori
poiché
p can
DIRETTA applicata la
spinti verso giunzione
vengono al d
aumento
al di
terminale
terminale n s i
nizzazione inversa a
tensione tensione portatori
poiché
p can
applicata
allontanati dalla giunzione
vengono con
Breakdown n
come p
no I
giunzione applicazioni
la alla di
critico noto
tensione certo tensione
valore breakdown
quando
verifica inversa un
applicata come
supera
giunzione la
della
aumento danni
corrente
nesto porta che
e attraversa causando
un
fenomeno a significativo
improvviso giunzione
al tale
che situazione
reversibili sia
non
meno
a
dispositivo gestire
progettato per
dd di
di
il valore
nato si due
breakdown
detto fenomeni
p osservano ha
di tanto della alcuni
bandaproibita
distorte
attraversamento elettroni
che
bande si
Effetto cui
un
o
TUNNEL per
assottigliamento limitata
ad di
banda
andando concrete in
in
attraversare conduzione
riescono generando genere
la che ba
dall'altraparte
della
ritrovi
tipo si
probabilità
elettroni l'elettrone
in
barriera
perforano potenziale quantistica altri
dal
più gli
elevate urtando
tensioni esterno
elettronivengonocaricati i
campoelettrico legami
Breakdown e
a valanga a rompendo
che
elettroni catena
scatenando una corrente
a
reazione genera
di
V di
Dio
RADDRIZZATORE
un a di Tale
maxche valore
V diodo
tensione se
ci si
peak inverse ai
aspettavenga un
voltage applicata capi
la sul
di diodo di
che
evitare breakdown si
condizione ceffi
in sicurezza
si verifichi un
applica
generale
E PIU
1,5 di de
al
il è
il correlato
piu valore
singolasemionda
raddrizzatore negativo
a picco
per del
ai
di diodo
sinusoide direttamente
perché capi
applicata
ingresso
Vs
PIU Max
PIU il raddrizzatore semionda
a doppia
per avaro
catodo cui
motivo scelto
andra
per
V
Va Bu
Vs
Piu e
2 diodo tensione
e con
una e
un alta
molto
Bu
nel di
di
di diodi diodiattivi volta
i
due volta
essendo
caso ponti in
invece
la
il Plr
calcolare durante semionda
si positiva
può Ve
PIU Vs Va
Vos Vedi
da il di
del nel
cui Plr
diodi raddrizzatore
si un
avere come
vantaggio
evince ponte
lo anche
dellaVo raddrizzatore semionda
a come
singolasemionda e doppia
spettro
di caduta
tensione doppia
con una
al Ib Vos CAG
I Gli
9mV s
sms
È In
e E seg q
me he ftp
to Ink gm
Cate
Juve
1
Wars KIAN
Imre
Ihre e Yar fetente
Twist Intel i
we
we
atti
wt Liffey
ti metta
la loro alle alte
del basso
uno tipo
a influenza frequenze
questo piega
spettro passa
di
ECCHI CORRENTE nei
circuiti di
usato controllato
è corrente tensione
in
integrati un generatore
perché
in transistor
realizzato du
trale
E da bit di
transistor i
basi
due
diodo
costituito avanti
2 e
tipo
non a
una
connessione
la
Q è in stessa
inoltre
attiva
emettitori avendo Vae
zona
sempe la di
identici
transistor
due stessa emettitore
i hanno corrente
supposti
Mo
an
at Mme
Va
Va Ra
RB
the Re
Rea SI
la la di
tramite
modellizzazione body
dell'effetto definizione
avviene gag SUBS V
Vas cost
e
di
nel tiene
modello piccoli così
se conto
segnali ne
DIGITALE CMOS
VERTITORE TIRA
SPINGI
CIRCUITO ed
binaria ad entra
uscita 1
logica ottiene
se pari
una segnale a
un si
porta un
ingresso
0
pari e
segnale a viceversa
di di
Questo è che
realizzata
tipo caos consiste
porta attraverso un nell'accoppiare
l'impiego loro
Il dato dalla
drain
pros aventi in è
Nmos e
un
con
un gain comune vantaggio
la di
di scala realizzare molte
larga logiche
e
su
semplicità porte
possibilità
possibilità impiego
integrate in
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