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Passa molta corrente
Dovuta a ricombinazione di lacune ed elettroni
Polarizzazione isolanti in cui il gap di energia è colmabile
Silicio, Germanio, Solfuro di Cadmio
Cosa sono per attivazione termica
Giunzione isolante
Arseniuro di Gallio, Antimoniuro di Indio
(Eg < 2eV, soglia arbitraria)
Inversa
Cristalli perfetti
Puri(no atomi diversi)
Elettroni eccitati termicamente passano dalla banda di valenza a quella di conduzione-
collegato alla parte di tipo P,
+ collegato alla parte di tipo N
Lacune lasciate nella banda di valenza si comportano come cariche positive(apparenti)
configurazione p-n-p o n-p-n
Dispositivi σ μ_lacuna) μ μ_elettrone
Conduttività = nq (μ_elettrone + _lacuna < perché i muovono più
aumento di tensione nella giunzione 1 μ
con = mobilità lentamente
cariche passano attraverso
la giunzione è una regione sottile di tipo n (detta base), tra due regioni p (collettore ed emettitore). Ogni Si è collegato a altri 4 atomi di Si. L'aumento di corrente nella giunzione 2 raggiunge il collettore. L'incremento della tensione ai capi della giunzione intrinseca. Esempio: Silicio. L'amplificazione della tensione avviene attraverso due giunzioni p-n in serie. Il transistor permette il movimento degli elettroni nella banda di conduzione. La resistenza di carico. Un elettrone abbandona un legame Si-Si, causando il movimento di una lacuna. Le lacune sono formate dai legami mancanti degli elettroni di valenza. La conduttività aumenta esponenzialmente all'aumentare della temperatura, secondo la legge di Arrhenius. L'effetto della temperatura. La polarizzazione diretta dell'emettitore-base. La polarizzazione inversa del base-collettore. Il campo elettrico al gate richiama lacune. I semiconduttori accumulano cariche all'interfaccia con silice vetrosa, permettendo il passaggio di cariche.
Grafico 1/T - ln conduttività
Aggiunta di atomi pentavalenti
Elettrone donato è un elettrone di conduzione
Es. Fosforo, Arsenico, Antimonio
σ μ_elettrone = nq
Conduzione elettronica dominante
Giunzione P-N formata da strato N sottile su
strato P
basta fornire Eg - Ed energia per far passare
Eg = Energia Band-Gap
elettroni in banda di conduzione
Ed = Livello energia donatore
Celle fotovoltaiche
Fotone che arriva in zona di giunzione neutra
promuove formazione di coppia elettrone-
Circolazione di corrente
tipo N
A temperature elevate promuovo solo
lacuna
Applicazioni
elettroni si Si, nella zona di esaurimento tutti
gli elettroni donati sono stati promossi
(Giunzione P-N polarizzata direttamente
conduttività costante), a bassa temperatura
minore barriera energetica di attivazione
LED(Light Emitting
Diode)
Emissione di fotoni dovuta alla ricombinazione di cariche
Comportamento al variare della temperatura
Impurezze del Si(4+) da parte di elementi estrinseci adiacenti in tavola periodica
Grafico 1/T - ln conduttività
Aggiunta di atomi trivalenti
Es. Boro, Alluminio, Gallio
L'atomo aggiuntivo riceve un elettrone extra, creando una lacuna: carica mobile positiva
L'elettrone del silicio passa al livello accettore (ad energia più alta della banda di valenza)
Tipo P
Grafico 1/T - ln conduttività
Materiali con caduta drastica della resistività sotto una certa temperatura critica (spesso vicino lo zero assoluto)
Superconduttori
ρR = l / A
σ = 1/ρ (conduttività elettrica)
ρ con resistività elettrica, proprietà del
Es. mercurio, ceramici, ossido di ittrio
Legge di Ohm: V = R i
materiale ρ aumenta
all'aumentare della temperatura el lunghezza del conduttore con la presenza di difetti(impurezze, ecc...)A area della sezione del conduttoreI principali sono: ossido di alluminio, vetro, σ μ = n qpolietilene, diamante Conduzione elettrica Conducibilità varia a seconda di conduzione può essere data sia dan densità dei portatori di caricaAumento di temperatura non rende La banda di valenza è satura e distante dalla cariche negative sia da cariche positiveq carica trasportatacomunque possibile la conduzione banda successiva(gap > 2eV) μ mobilitàIsolantiElevata resistenza al flusso di corrente Comportamentoelettrica Dipende dalla struttura elettronica(dielettrici)Si definisce dielettrico un materiale elettricopolarizzabile Rame insieme ad altri elementi aumenta laI principali sono: alluminio, rame,ferro ‎resistività, poiché il mot degli elettroni è ‎Dielettrici che presentano una polarizzazione ‎ostacolato dalle imperfezioni nel reticolo‎spontanea ‎Materiali ferroelettrici ‎Gli orbitali esterni configurano una banda ‎Alzando la temperatura gli elettroni nella‎Conduttori‎Es. Titanato di Bario ‎non satura ‎banda possono muoversi e condurre‎L'agitazione termica del reticolo cristallino‎comporta una riduzione della mobilità di‎Differenza di potenziale sviluppata in‎Varia a seconda della coppia di metalli ‎Termocoppie ‎elettroni‎funzione del salto termico‎Coppia di armature separate da materiale ‎Applicazioni‎Condensatore‎dielettrico‎Deformazione meccanica induce una‎polarizzazione elettrica(differenza di ‎Piezoelettricità‎voltaggio) ‎Leghe di ferro e carbonio‎(C= 2,5/2,5%)‎Produzione per riduzione di ossido di ferro
in altoforno mediante carbon coke Silicio sposta punto eutettico verso percentuali inferiori di carbonio Carbonio presente sotto forma di grafite (formazione grazie al silicio) Grafite in lamelle appuntite Discontinuità della matrice Concentrazione degli sforzi applicati Frattura Grafite in matrice ferritica Se Si=3% e raffreddamento lento Grigie Microstruttura costituita da meno rigido dell'acciaio, ma più leggero Grafite in matrice perlitica Di alluminio Se Si<3% e raffreddamento veloce Ghisel eghe invecchiabili(duralluminio) hanno resistenze competitive con gli acciai Modesta resistenza a trazione, bassissima duttilità, scarsa tenacità, capacità di più leggere di quelle in alluminio Di magnesio smorzare le vibrazioni, resistenza all'usura e alla corrosione maggiore resistenza al creep Leghe nonferroseDi titanio Bassi tenori di silicio e elevate velocità dimolto resistenti, leggere e resistenti a raffreddamentocorrosione Bianche Durissima ed estremamente fragileeccellente conducibilità termica ed elettrica Di rame (a causa della quantità di cementite)s opporta alte temperature Ghise di alta qualità(resistenti e duttili)Di nichelalta resistenza alla corrosione Comparabili ad acciaiSferoidaliMetalli f ormata aggiungendo lo 0,1% di magnesio oGrafite sferoidale cerio nella ghisa fusaLaminazioneEstrusione Lega di ferro e carbonioStampaggio Carbonio compreso tra lo 0,05 e 2%Forgiatura nessun elemento >5%Basso-legatiProcessi di lavorazioneColata Alta resistenza e durezzaTrafilatura Alto-legati almeno un elemento di lega >5%f usione delle parti da unire in prossimità
della Saldatura C = 0,2/0,25% saldabili e facilmente lavorabiligiunzione con materiale d'apporto Acciai Acciai al carbonio C = 0,4/0,6% usato in edilizia e costruzione di macchinef usione del solo materiale di apporto, con Brasaturainter-diffusione C > 0,6% elevata durezzaSinterizzazione Lega Fe-C-Cr%Cromo > 11%(con anche aggiunte diappiattite
Agisco su
Es: Porosità è normalmente un difetto
Concentrazione delle fasi
Se >30% è fase determinante(es schiume)
Distribuzione delle fasi
Orientazione delle fibre e particelle appiattite
NON sono materiali polifasici(es. Fe-C,ε ε_particelle _matrice = leghe...)
Principio di aderenzaσ σ_matrice σ_particelle _composito = +σ σ_rinf _matrice / E_matrice = / E_rinf es. calcestruzzo, ovvero matrice di cementoi
nterazione matrice-rinforzo a livello con sabbia e ghiaia; gomme rinforzate con
Grosse macroscopico nerofumo
Rinforzati con particelle
Materiali
Composito rinforzato con fibre sottoposto a es. compositi a matrice metallica, come