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Estratto del documento

Giunzione PN:

  • Na/No : Accettori e donatori
  • In base alla maggiorione concentrazione :
    • EQUILIBRIO : Na = No = 0
    • n = p = ni
  • Na = 0 : n = No → p = ni2/n
  • No ≠ 0
  • Na > No : Na' = Na - No ; p=Na → n = ni2/p

Diodo

  • Diretta
  • id > 0
    • Vo < Von
  • Inversa (Zener)
    • id > 0
    • -Vz < Vo < Von
  • Inversa OFF
    • Vo < Von

Procedura di risoluzione

Per risolvere un circuito con un diodo è consigliabile procedere in uno dei seguenti modi:

  • Supporre il diodo OFF:
    • Sostituirlo con un circuito aperto e risolvere la rete
    • Verificare che la tensione ai capi del diodo sia inferiore a Von (è superiore a Vz se è un diodo zener):
      • Se l’ipotesi non è verificata è necessario ripetere il conto supponendo acceso (o in zona zener, se è un diodo zener) e risolvere il circuito
  • Oppure
  • Supporre il diodo ON:
    • Sostituirlo con un generatore di tensione V(on) (tipicamente di circa 0.7V) e risolvere il circuito
    • Verificare che la corrente sia positiva
      • Se l’ipotesi non è verificata è necessario ripetere il conto supponendolo spento (o in zona zener, se è un diodo zener) e risolvere il circuito
  • Oppure (se è un diodo zener)
    • Supporre che il diodo in zona zener:
    • Sostituirlo con un generatore di tensione Vz e risolvere il circuito
    • Verificare che la corrente sia negativa
      • Se l’ipotesi non è verificata è necessario ripetere il conto supponendolo in diretta o OFF

Polarizzazione MOSFET

  1. nMOSFET

    Se VGS < VTN

    nMOSFET spento

    IDS = 0

    Zona di interdizione

    Se VGS > VTN

    nMOSFET acceso

    Se VDS < VGS - VTN

    Zona di triodo o lineare

    IDS = kn [ (VGS - VTN) VDS - VDS2 / 2 ]

    Se VDS > VGS - VTN

    Zona di saturazione

    IDS = kn / 2 ( VGS - VTN )2

  2. pMOSFET

    Se VGS > VTP

    pMOSFET spento

    IDS = 0

    Zona di interdizione

    Se VGS < VTP

    pMOSFET acceso

    Se VDS > VGS - VTP

    Zona di triodo o lineare

    IDS = kp [ (VGS - VTP) VDS - VDS2 / 2 ]

    Se VDS < VGS - VTP

    Zona di saturazione

    Ids = kp / 2 ( VGS - VTP )2

AMP. SOURCE COMUNE

segnale entra dal gate, esce dal drain; S comune

INVERTENTI

SORGENTE

CARICO

Guadagno di tensione:

Av=v0/vi = v0/vg ⋅ vg/vi = AvCS ⋅ Vg/Vi; Avt = guadagno di tensione ai terminali del transistor.

v0 = - gmvgs R0/ / RL

vg/ vi = Ri/ / RL / Ri + RL/ / R2

Av = - gm R0/ / RL ⋅ Ri/ / RL / Ri + RL/ / R2

Guadagno di corrente:

Ai = ic/ii = v0/vi ⋅ Ri + RL/RL = Av Ri + RL/RL = - gmRD ⋅ R0/ / R2 / RD + RL

Solitamente:

CS Rin = Ri/ / R2

CS Rout = RD

Rijs = ∞

R0 = 0

CMRR = common mode rejection ratio :

CMRR = |Add| / |Acc| = 1 + 2 gmRss , con Rss = ∞

vo = A(vp - vn) , A = guadagno

-Vcc ≤ vo ≤ Vcc

Perchè sia ideale : Rin = ∞

Rout = 0

Guadagni dell'amplificatore : AdB = 20 log10 A

BARYCENTRO ISTERESI: VB = VTL - VTH/2

AMPIEZZA ISTERESI: VH = VTH - VTL

Trigger Schmitz: configurazione invertente

Poli: DEN = 0

  • Decremento della curva di 20 dB/dec ; indipendente dal segno
  • Fase → negativo: (1 + j ω )(1/ ωp) : -45°/decade Positivo : +45°/decade

Filtro Integratore

Funzione di trasferimento

  • Z1 = R
  • Z2 = 1/iωC

Configurazione invertente:

  • W(ω) = Z2/Z1 = -1/iωRC
  • W(s) = 0/s, ω0 = 1/RC

Derivatore

Funzione di trasferimento

  • Z1 = 1/iωC
  • Z2 = R

Configurazione invertente:

  • W(ω) = -iωRC
  • W(s) = -s/ω0, ω0 = 1/RC

Filtri di Sallen-Key

Filtro Sallen-Key passa-basso

A = 1 + RB/RA

Bassa frequenza (ω → 0)

Configurazione non invertente

Alta frequenza (ω → ∞)

Configurazione non invertente (ingresso nullo)

vo = (1 + RB/RA) vs

vo = 0

Filtro Sallen-Key passa-basso

W(s) = A/1 + 2δ (s/ωp + s2p2)

Esempio: R1 = R2 = R C1 = C2 = C

vo = A/1 + s[RC + RC(1 – A)] + s2R2C2 vs

W(s) = A/1 + sRC (3 – A) + s2(RC)2

δ = 1/2 (3 – A) ωp = 1/RC

-1 < δ < 1

1 < A < 5

δ > 0

A < 3

Esistono dei limiti al valore del guadagno

  • poli complessi
  • p. reale negativa
  • poli complessi
  • p. reale positiva
  • poli reali positivi
Dettagli
A.A. 2023-2024
33 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher leonardotovo16 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Fondamenti di elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Padova o del prof Cester Andrea.