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Estratto del documento

N° 2

VDD=10V

IG ≈ 0μA

RL 1K

VD

4kΩ R3

DZ

6kΩ R2

100Ω RS

5kΩ R1

VS

Valore richiesto

Vc = K

Vth = 1

Kn = 1/2 μn Cox W/L

= 0,5 mA/V2

ZZ = 100Ω

C1 →

C2 →

Significa che non contribuiscono

nella risposta in frequenza,

ma fanno da condensatori

di disaccoppiamento.

Siccome non conosco la ID, la approssimo

con la corrente che scorre nella serie tra

4kΩ, 6kΩ e il MOSFET, il quale suppongo

sia in saturazione:

ID = 10V/10kΩ = 1mA

dunque

V(R3) = R3 . 1mA = 4V

ID= 1/2 μnCox W/L . (VGS - Vth)2

(VGS - Vth)2 = √(ID/1/2 μnCox W/L) = √(1mA/0,5)

= 0,044

Dunque VGS = Vth + 0,044 = 4,044 V

e il transistore è ON.

V(R2) = R2 - ID = 6V

Vo = gm Rc

Vsig + gmRs (Rd || RL)

Per fare Rin e Rout, è evidente che

Rin = Rf

Rout = Rd || RL

(Questo se ro → ∞, ovvero trascurando l’effetto Early).

Non ho sostituito i valori, ma puoi farlo da sola.

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Publisher
ProfElettr
A.A. 2018-2019
8 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher ProfElettr di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica 1 e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Pavia o del prof Merlo Sabina.