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Estratto del documento

Formulario Dispositivi Elettronici

Densità degli stati metalli

NBC(ε) = 4π/h³ (2mn*)3/2E1/2 = δm E1/2

h = Costante di Planck = 6,626·10-34 J·s

mn* = massa efficace degli e⁻

Semi conduttori

NBC(ε) = δn(ε-EC)1/2

NBV(ε) = δp(EV-ε)1/2

Distribuzione di Fermi - Dirac

f(ε) = 1/1 + e(εF-ε)/kT

kT|300 = 0,025 eV

Concentrazione n e p di e⁻/e⁺

Metalli

n = ∫εC=0εF δm E1/2 · f(ε) dε =

      2/3 δn EF3/2

Densità elettronica Metalli

ρn(ε) = NBC(ε) · f(ε)

Semi conduttori

n(ε) =                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                          

Equazioni di Continuità

e-   dn/dt = -dJn/dx (1/q) - Un

e+   dp/dt = dJp/dx (1/q) - Up

Un = (np - np0)/τn

Up = (pn - pn0)/τp

E Barriera

EB = kT ln(NAND/ni2) = EFi(∞) - EFi(-∞)

Tensione fra 2 punti del semiconduttore

V21 = (EFi(x2) - EFi(x1))/-q

Potenziale di contatto

Φi = -Ebarriera/-q = Ebarriera/q

calcolo di ni

ni · pi = ni2

Nc e-Ec - Ef / kT Nv e-Ev - Ef / kT = NcNv e-Eg / kT = NcNve e-Ec + Ev / kT = NcNv e-Eg / kT

= NcNve ni2

calcolo concentrazione maggioritari

lato n

lato p

nn0 pp0 nn0 pn0 = ni2 pn0 = ni2 / nn0 p(x) = q · (pn0 - nn0 + No+) = 0 p(x) = q · (pp0 - np0 - NA) = 0 ni2 / nn0 - nn0 + NO = 0 pp0 - ni2 / pp0 - NA = 0 ni2 - no2 + nno No = 0 pp02 - ni2 - (pp0 NA = 0

= No/2 ± √(No⁄2)2 + ni2

nno = No/2 · [ 1 + √1 + (2ni2/No) ]

NA/2 ± √[(NA/2)2 + ni2 = 0

NA/2 + [ 1 + √1 + (2ni2/NA) ] = pp0

Equazione di continuità

dp+ A dx = - Jp(x) / q A + Jp(x+dx) / q A + GthAdx - RAdx

e-

dn / dx A dx = 5n(x) / q A - 5n(x+dx) / q A + GthAdx - RAdx

Gth - R = M

dn / dx A dx = Jn(x) / q A - 5n(x) / q A - ∂Jn(x) / - qdx

Jn(x+dx)1 0 = Jn(x)1 0 + ∂Jn / dx dx

dn / dt = - dJn / dx ( - 1 / q ) - Un

dp / dt = - ∂Jp / dx . 1/q - Up

Mn = nr - nn0 / τn

Mp = ρn - ρn0 / τp

Dettagli
Publisher
GiacomoDrocco
A.A. 2018-2019
124 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher GiacomoDrocco di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Dispositivi elettronici e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Torino o del prof Piccinini Gianluca.