REGIME
SINUSOIDALE
PERMANENTE
Regime Sinusoidale Permanente (RSP)
LKT:
E(t) = nL(t) + nC(t) + nR(t) = nC(t) + L di(t)/dt + R i(t)
=>
E(t) = nC(t) + L C d2nC(t)/dt + R C dnC(t)/dt
Riordino:
=>
d2nC(t)/dt + R/L dnC(t)/dt + 1/LC nC(t) = 1/LC E(t)
Soluzione Omogenea:
nCO(t) = k1eλ1t + k2eλ2t
Soluzione Particolare:
nCP(t) = NC, max sin(ωt + φC)
Perché era del tipo:
E(t) = Emax sin(ωt + φ)
Soluzione Effettiva:
nC(t) = k1eλ1t + k2eλ2t + nCP(t)
Per t -> ∞ il transitorio -> 0 e si passa in RSP.
Quindi in RSP:
nC(t) = NC, max sin(ωt + φC)
Riapplichiamo il circuito precedente:
Per t = 0
E = EM (cosφ + jsenφ)
Per t ≠ φ:
- E(t) = EM ejwt + jp = EM ejwt ejp
- nC(t) = nCmax sin(wt + φc) = nCmax ejwt ejφc
- i(t) = C d(nE(t))/dt = C [nCmax ejwt ejφc (jω ejwt)]
Applico la LKT con le espressioni complesse appena ottenute:
- E(t) = nR(t) + nE(t) + nC(t)
- ⇒ EM ejwt ejp = Rv [nCmax ejφc jω ejwt] + L d/dt [nCmax ejφc ejwt] + nCmax ejwt ejφc
- ⇒ EM ejwt ejp = Rv nCmax ejwt ejφc j + L [nCmax / ωC ejφc (ejwt jω)] +
- + (1 / ωC) [nCmax / Δ ωC ejwt ejφc ejwt]
- ⇒ EM ejwt ejp = R [nCmax / ωCω] ejwt (ejφc + j[ Lω ]) (nCmax / ωCω) ejφc ejwt +
- + (1 / ωC) nCmax / Δ ωC ejwt ejφc
Poiché non scorre corrente, non c'è perdita di potenziale nel resistore, e quindi .
Nota: Come prima, in analogia, la somma delle correnti che attraversano i due componenti è nulla, ma non le correnti passanti per i singoli componenti. Se , non è vero che .
Anche qui possiamo vedere geometricamente cosa accade:
- ;
- .
Questo fenomeno è utile per far funzionare un induttore senza collegarlo alla rete e quindi dissipare potenza.
Sfasamento
Consideriamo un dipolo qualsiasi e supponiamo di conoscere tensione e corrente allo stato in cui è concluso il transitorio:
- ;
- .
Definiamo sfasamento tra corrente e tensione di un dipolo, l'angolo ottenuto dalla differenza tra la fase della tensione e quella della corrente.
Se .
- Per un condensatore: N = Φ - j V2/Xc = Φ - jXcI2P = ΦQ = -XcI2 = - V2/Xc
La potenza reattiva assorbita da un condensatore è negativa, quindi la potenza reattiva erogata è positiva; il contrario vale per l'induttore. Per questo motivo un condensatore ed un induttore possono formare energia reciprocamente senza scambiarla con l'esterno (risonanza).
- Consideriamo ora una generica impedenza che ha parte reale positiva e parte immaginaria incognita:Z = R + jXI̅ = V̅/Z̅ => V̅ ≅ ZI̅
Calcoliamo la potenza complessa.
N̅ = V̅I̅ = I̅2Z̅ = V2/Z̅ = Z̅/Z2V2N̅ = ZI̅2 = (R+jX)I2 = (RI+j)XI2P = RI2Q = XI2N̅ = Z̅/Z2V2 = R/R2+X2V2+jX/R2+X2V2P = R/R2+X2V2Q = —X/R2+X2V2Definisco ammettenza 1/Z e più precisamente:y̅ = 1/Z = G + jBCon { G - conduttanza, B - suscettanza1/Z = 1/R+jX = R-jX/R2+X2 = R/R2+X2 - j X/R2+X2y̅ = G + JB = R/R2+X2 - j X/R2+X2
N̅ = V̅ I̅̇
= E̅2 ( E̅A − E̅2 ) = E̅2 E̅A − E̅22 = E̅2 ej φ2 E̅A e−j φ2 − E̅22 e−j φ2
= E̅2 EZ2 ej(φ2 − φA)
= jXL − jXL − E̅2 e−jφ2 = −jXL
= EA E2 ej(φ2−φA) + [ cos(φ2 −φA) + j sin(φ2 −φA) ] + E̅22 +
= jXL E2 = −jXL − jXL
= [ cosδ − j sin δ ] − j = E1 E2 sinδ + j +
E̅22 E1 E2 cosδ − E̅22
Nota: cos(−δ ) = cos(δ )
sin(−δ ) = −sin(δ )
Immaginiamo EA = E1, al crescere di S il V(μ(S) cresce mentre
il cos(δ ) decresce in Manner poco significativa.
Questo vuol dire che la potenza (P) e molto sensibile a variazioni
di S; Q e poco sensibile, ma molto sensibile a variazioni di E1.
Vogliamo ora vedere se sia possibile sostituire all'elemento disx
un bipolo equivalente che presenta la stessa caratteristica, ovvero
assorbe la stessa potenza apparente (A):
- Caratteristica impedenza eq.
- |V̅| = VN - tensione
- A = AN - Assorbe Pot.
- cos φ. cosφ(imp) lo stesso del precedente.
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