PROGETTAZIONE ELETTRONICA
1) PARAMETRI = guadagno massimo PO BANDAff EFFICIENZA Pdiss/Idc RETROAZIONE T∞ Fo TOLLERANZE Pd dfPid MOSFET to IS, gmmax
con Veff = Vdsat vsd Con VEFFdV
[Vsub] +/- W/L per saturazione vassat] dVt con VEFF vsub-Veff L SOTTOLOGICA.
Vr
Leff L'espressione gf -B(1+DILd rho)
IN BERNIA con tensioni a effetto desincr.
f r (2*)  9090m sub 2.6G (3060/osennepotereff) q
qq contenici -in giunzione LET [E] f franklin bguafet con 1.95 di VEFFdsat=2 vl N.sub.step50
q&rst gotflt (q95-q.1)
q(qput)
GENERATORI a:US0 SPEKKIO E
SPLITTER)
0 ALIBIBO,RESISTON:
Rout E gm30isq3 = vds3 s = gm2 = 1/C(1-rp34) rp34nulling resistor
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