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Progettazione elettronica

Parametri principali

1) Parametri: Q quadrato massimo, β, γ, Δf0, η, banda, f, efficienze Pv/I
Retroazione: τe, Af, Tolleranza
MOSFET: [Isub (D)C(LG)W(VG Vt) qd qg Cg]

Sottosoglia e in generale

- (β0)2

Tipi di transistor

2) NPNPe (Na-ma) Nd-esauribili Ns=0-molti
3) PNP: doppia iniezione sincronia
Ancora esauribili Ns=0
Subsoglia In generale

Progettazione elettronica dettagli

1) Parametri: Quadrato massimo per Ptot, banda(F), efficienza per PNI
Retroazione: Te=fR
Mosfet in zona ohm |L| per est. VDS, tensione uscita con VDS sat 2
Sottosoglia Iout con larghezza LC

Transistori NPN e PNP

2) NPN e PNP
3) C - fully differenziale

Reazione e squilibrio

REAZIONE: Ic e Pt inv: D squilibratera
Rispetto  (Se no DT/2)
Si usa |Ic1=49uA| (Con Gloop alto Pt & Ic1pq Nc = 1)
Gloop → ??Vcc→ - ??Io

Equazioni e formule

Tab = 1/Lp0 = I0M2(1+Ae'+1) = Io
<EE> = IoRp = 2I

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I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Bob Widlar di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Progettazione elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Milano o del prof Lacaita Andrea.
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