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PROGETTAZIONE ELETTRONICA

1) PARAMETRI = guadagno massimo PO BANDAff EFFICIENZA Pdiss/Idc RETROAZIONE T∞ Fo TOLLERANZE Pd dfPid MOSFET to IS, gmmax

con Veff = Vdsat vsd Con VEFFdV

[Vsub] +/- W/L per saturazione vassat] dVt con VEFF vsub-Veff L SOTTOLOGICA.

Vr

Leff L'espressione gf -B(1+DILd rho)

IN BERNIA con tensioni a effetto desincr.

f r (2*)  9090m sub 2.6G (3060/osennepotereff) q

qq contenici -in giunzione LET [E] f franklin bguafet con 1.95 di VEFFdsat=2 vl N.sub.step50

q&rst gotflt (q95-q.1) q(qput)

GENERATORI a:US0 SPEKKIO E SPLITTER) 0 ALIBIBO,RESISTON: Rout E

nulling resistor

gm30isq3 = vds3 s = gm2 = 1/C(1-rp34) rp34

C R - gm.a vieja R20 R20
Dettagli
Publisher
Bob Widlar
A.A. 2012-2013
12 pagine
2 download
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica
I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Bob Widlar di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Progettazione elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Milano o del prof Lacaita Andrea.