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Esercitazione NMOS e PMOS

NMOS configurazione e dettagli tecnici

W=0.375µm, L=0.025µm, W/L=15. Curve usate: transcarico Lo=K W/L.

VG-VT)MIN - VMIN, K=µCox, Vmin = min (VGS-VT, VDS, VDSsat).

Per VDS = 25V, VGS THTranscarico. I=I(VGS, finale VDS) con VDS > VTH.

Condizioni operative NMOS

  1. Per VDS > Vmin

VDSM...VIN = 0.6.

Caratteristiche alternative NMOS

NMOS - W=0.375µm, L=0.25µm, W/L=1.5. Curve scelte: trascurabili.

LD = k W/L (Vgs - Vt) Min=Vmin, k=µCox.

Vmin = min (VDS - VT, VOS, VOSsat).

Id = I0 per VDS = Vgs - VT ID0 Vgs - VT - 0.5*Vosat + 1 per VD > 0.

Comportamento del NMOS

Con VGS = 0.6V, con VDS trascorso per cui c'è il picco VDS- Vt con picco (VOS - 0.6).

Saturation va in incremento 25µA (VosVDor - Vpin).

PMOS e comportamento in output

Ottenuto l'output e il Von, abbiamo che il PMOS elencherà mentre il NMOS è acceso.

Dato che rispetto la ICV abbiamo che il Vrd-Non funziona compiutamente come un NMOS di compensazione per eliminare le tensioni non sui quali si trovano quelle di un NMOS.

Condizioni di funzionamento del PMOS

Quando l’output è legato al livello logico permette in modo che con le P degli output di uscire allo stesso modo l’output lo più basso su VDS e VR.

VOSRD = 2ILKn 2: WL2 Kn VDS - VT

Comandi e resistenze del NMOS

Quando l'output e il NMOS ha allungato e comanda una resistenza e si ripete al NMOS iii sub-strato (VDS o VR) = p-NOS.

VD = -2.61. È importante che questa resistenza che VD ripetere in modo che resi.

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