Esercitazione NMOS e PMOS
NMOS configurazione e dettagli tecnici
W=0.375µm, L=0.025µm, W/L=15. Curve usate: transcarico Lo=K W/L.
VG-VT)MIN - VMIN, K=µCox, Vmin = min (VGS-VT, VDS, VDSsat).
Per VDS = 25V, VGS THTranscarico. I=I(VGS, finale VDS) con VDS > VTH.
Condizioni operative NMOS
- Per VDS > Vmin
VDSM...VIN = 0.6.
Caratteristiche alternative NMOS
NMOS - W=0.375µm, L=0.25µm, W/L=1.5. Curve scelte: trascurabili.
LD = k W/L (Vgs - Vt) Min=Vmin, k=µCox.
Vmin = min (VDS - VT, VOS, VOSsat).
Id = I0 per VDS = Vgs - VT ID0 Vgs - VT - 0.5*Vosat + 1 per VD > 0.
Comportamento del NMOS
Con VGS = 0.6V, con VDS trascorso per cui c'è il picco VDS- Vt con picco (VOS - 0.6).
Saturation va in incremento 25µA (VosVDor - Vpin).
PMOS e comportamento in output
Ottenuto l'output e il Von, abbiamo che il PMOS elencherà mentre il NMOS è acceso.
Dato che rispetto la ICV abbiamo che il Vrd-Non funziona compiutamente come un NMOS di compensazione per eliminare le tensioni non sui quali si trovano quelle di un NMOS.
Condizioni di funzionamento del PMOS
Quando l’output è legato al livello logico permette in modo che con le P degli output di uscire allo stesso modo l’output lo più basso su VDS e VR.
VOSRD = 2ILKn 2: WL2 Kn VDS - VT
Comandi e resistenze del NMOS
Quando l'output e il NMOS ha allungato e comanda una resistenza e si ripete al NMOS iii sub-strato (VDS o VR) = p-NOS.
VD = -2.61. È importante che questa resistenza che VD ripetere in modo che resi.
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