LEZIONE 1
Analisi in continua dei circuiti a transistori
Transistore NPN
polarizzato in zona attiva se la giunzione base-emettitore è polarizzata in diretta, cioè se una corrente IB entra dal morsetto di base, e si forma una differenza di potenziale VBE tra base ed emettitore.
VBE ≃ 0,6 ÷ 0,7 V
La corrente di base fa in modo tale che sull'emettitore esce una corrente molto più grande, somma della corrente di base e della corrente di collettore.
IE = IB + IC
Questo però è possibile solo se VC > VB
IC = β IB
Transistore PNP
In questo caso la corrente di emettitore si divide producendo in uscita una corrente di base e una corrente di collettore. Dato che il procedimento è tutto girato avremo VBE ≃ 0,6 ÷ 0,7 V e con le correnti prese come nel disegno IE = IB + IC, questo è possibile se VC < VB.
A Sia che si tratti del primo o del secondo tipo di transistore dobbiamo pensare al funzionamento in questo modo: La tensione tra base ed emettitore permette di utilizzare della corrente di collettore (che non è generata dal transistore) rendendola disponibile sull'emettitore.
Circuito equivalente transistore NPN
IC = IS eVBE/VT = β IB
IC
0,6 0,7
26 mV sono quindi il salto di tensione da dare a VBE per far in modo che l'esponenziale aumenti di un fattore "e"
LEZIONE 1
Analisi in continua dei circuiti a transistori
Transistore NPN
polarizzato in zona attiva se la giunzione base-emettitore è polarizzata in diretta cioè se una corrente IB entra dal morsetto di base e si forma una differenza di potenziale VBE tra base ed emettitore.
VBE ≃ 0,6 ÷ 0,7 V
La corrente di base fa in modo tale che dall'emettitore esca una corrente molto più grande, IE, somma della corrente di base e della corrente di collettore. IE = IB + IC Questo però è possibile solo se VC > VB
IC = β IB
Transistore PNP
In questo caso la corrente di emettitore si divide producendo in uscita una corrente di base e una corrente di collettore. Dato che il funzionamento è simmetrico avremo VBE ≃ 0,6 ÷ 0,7 V e, con le correnti prese come nel disegno, IE = IB + IC, questo è possibile se VC < VB
! Sia che si tratti del primo o del secondo tipo di transistore dobbiamo pensare al funzionamento in questo modo: la tensione tra base ed emettitore permette l'utilizzo della corrente di collettore (che non è generata dal transistore) rendendola disponibile sull'emettitore.
Circuito equivalente transistore NPN
IC = IS eVBE/VT = β IB
tra base ed emettitore il diodo tiene una tensione fissa, e la corrente di collettore può essere vista come:
- pilotata da IB (lineare)
- pilotata da VBE (esponenziale)
VT = 26 mV
26 mV sono quindi il salto di tensione da dare a VBE per far in modo che l'esponenziale aumenti di un fattore "e"
Polarizzazione con emettitore a massa
dato che l'emettitore è a massa, la base dovrà trovarsi a 0,6-0,7 V e questa tensione può essere imposta dalla legge di Ohm sulla resistenza RB. IB = (Vcc - VBE) / RB
di base imposta poi una corrente di collettore IC = β IB che verrà resa disponibile sull'emettitore.
Dato che sappiamo funzionare solo se VC > VB, mettiamo una resistenza sul collettore cosicché VC = Vcc - RCIC; il valore di VC dipenderà sempre quindi della resistenza posta sul collettore.
! Questo schema non è particolarmente utile, in quanto la corrente di collettore è data solo dalla corrente di base e il fattore β non è un fattore affidabile. (o viene valore medio dato metodo garantito dal costruttore)
Polarizzazione con base a massa
dato che la base è bloccata a massa, l'emettitore dovrà trovarsi a -0,6 V e quindi, conoscendo la di pseudo resistenza possiamo calcolare la corrente di emettitore imposta IE = - 0,6 + VEE
questa corrente (mando a ritzo nel ragionamento) sarà resa disponibile sul collettore.
Ancora come primo, inserendo una resistenza sul collettore, possiamo imporre la condizione VC > VB, VC = Vcc - RCIC; IC ≃ α IE con α guadagno che è circa uguale a 1 quindi IC ≃ IE.
! A differenza del circuito di prima, in questo caso imponiamo una corrente di eme
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