Anteprima
Vedrai una selezione di 10 pagine su 122
Dispositivi elettronici Pag. 1 Dispositivi elettronici Pag. 2
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 6
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 11
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 16
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 21
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 26
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 31
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 36
Anteprima di 10 pagg. su 122.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Dispositivi elettronici Pag. 41
1 su 122
D/illustrazione/soddisfatti o rimborsati
Disdici quando
vuoi
Acquista con carta
o PayPal
Scarica i documenti
tutte le volte che vuoi
Estratto del documento

Il moto delle particelle negli elettroni dei BC

Nel caso in cui la carica elettrica sia negativa, la quantità di moto di ogni particella è definita come:

q = -qe

La velocità è la quantità di moto divisa per la massa della particella:

v = q/m

La velocità è dovuta al trascinamento elettrico causato dalle variazioni del campo elettrico. La forza di collisione è data da:

F = q(dv/dt)

Possiamo approssimare la collisione al primo ordine come:

F = q(dv/dt)

Andando avanti, possiamo sostituire le equazioni precedenti con:

v = (q/m)dt

Calcolando la quantità di moto media:

p = (1/Np)Σ(qidt)

Dove Np è il numero di particelle e qi è la carica di ogni particella.

at,=at p ,.d9j< <ain si 9mitrova >chemodo analogo =N →E1 EE ENEFqlnIqq =< = Fq> =, =Nuje .lemediando equazioni primascritteNewtondi :E <d >qui -9 qui< > = - Fandi Ed olpj<9 q >< > =pj -at E laAssumendo costante nel soluzionetempo dicampo mangimeun ,( dottienesi) quandostazionario per 0 ovvero= ,TatE < >q 9mi=- FanE cqpjst.grq =Di regime stazionarioinconseguenza velocità di, → trascinamentoranigpgyMEE> Tqn << 9mi -9è =- .MIE < rtpjTqp> 9< è =- >qpj - puda sicui ricava (/ )mobilità lacunedi elettroni peppeneqtqngvan pene= / )=%%=Y÷=_ - InMI cuiHd )Eam-Yj-sv-s.EEvdp È+ pep === -In fenomeni didiversidi scatteringpresenza ::# FIEcani 9mi= =-_ _ ..._Tqn Tanonis 2 ,1 ,, (9nitqn.co )¥ ÷ È" ++== +con- →" .. ., , > ,, mitqn.co più piccolo essitondei K - ., 9+9 9-lqj-92-9IIZ-smn-9II-j.ie"ma generale µ =in e =nn.miII

REGOLA1I MatthiessenDI+= ++ . ..µ Maµ nnESe divariazione èlapiccolo energia piccola perturbazioneunaovvero,dell' E)è (Tq rispettoenergia costantetermica quindiuna a e,anche Ponciano diin questoµ caso. bosso mobilitàE bassodiquindi→ campoecampoPer 1gE grande EproporzionaleTq adinversamenteèmolto ×te,,1gQuindi alloraanche µ ✗ :eIvd / M'E la più( velocitàcost dipende= = nondal daltonico[ campomeccanismo saturazionedivelocitàdiGragicaudo El/Indi µ= . Ì" "" >- è S/unragionedisaturazionetrofeosi cheSperimentalmente ricava :^ eòccui } NaN①È = o=☐(^ >iosdinel1250 cuiNe- elettroniè →;-- - caso--- --- =siI T= 300ka.è ,' ;--io --{ -;- --o -- -.-E- so ; ;. -___._- lacune ;{ ;i.io- o }cui" Nref dragaggiono ,totaleche ilAbbiamo visto dragaggio : MN ENÀJENÀNtinfluenza attraversop =→ n ; -, In~

MENDÌ ENÀJmobilitàinfluenza la attraverso ne +µ = drogati→ più atomij,n÷→" Più e-" "" -drogaggio ladeterioratatotale mobilitàdi valorrange ; pendenzaMIEI curvaespressioni fitting pleowdi pemin: = +gia ,• sperimentalidati" che silicioquel siriguarda il t 300kper a = I' ' \µ min Mmox Nret ✗èm"92 1360 0,91n 1.3-10"6.3.10 0,7697.7 495pLa possibilitàincrementatemperatura di dila eventi scattering qualeie,diminuisce mobilitàlaSEMICONDUTTORE FUORI EQUILIBRIO lecancentsoziani tempofunzionesono ora delposizionedellae)realtà ( Zy×inµ , , }( ) =)itn No✗ all'no concentrazioni equilibrioe po (F- )) costPCX t =L po, massimo posizionedipendono dallaaleno po )noci poieèl' trovareobiettivo relazionidelle modello che descrivaciovvero un, ,concentrazionile nellovariano spazio nel tempocome e l'Per leutilizzeremofarlo

concentrazioni non del pin Eequazionee campoevedere differenzadivediamo tra me trala no e pe poV.INCONCENTRAZIONI UBERAECCESSO caricaDI[ n' )) concentrazioninlx✗ ndi( )it = t -, all' equilibrio termodinamicop' ) )poli(( ti ✗× it=p -,' ' diallora di portatori liberiiniezioneparlasise n >p 0• , '' liberidi di portatorisvuotamentoportaallora sise <n 0p• , all' NEOequilibriose campioneil no +poè oncogene : -]qlp )] ri (ntnt ' Nt ri( 'f- -1Pap no += p=q q- - --- SEIla ( )numerica dimostra fuÈqmsoluzione che ok >,condizionequindi neutralitàdi quasie →Quando simbolopuò nelsi indicare tipo delilnecessario per pme, definitequalesemiconduttore Pnel n sono :, /{tipo Pn "nn "n• " °° all' equilibriotipo Pponp tipoppp• drogato ptipoµPsi }+to' cuiPrendiamo semiconduttore tipo NAomogeneoun p =È >CUÌ" }2. ioi. unio npo

Pp =; Ppologninnceutrlogiinnceutr )) f fuori equilibroportando" neutralitàcomain quasidiÈ " ." →"" " """" " "" """° ""=" È+'⇐" '✗" ☐' uguali° circa' -° - }} ' [' quandoaccade10 _10 - n' " '" gli)" (= eccessiP p= 10 caricaPotstolti di" pio - 'ehiehi 109 in vol@ ass109 sonone ..[ aitrascurabili rispetto?? ioio _- maggioritari,105105 -- condizionequesta parte dose pp-npp.ee} .103 loNp -- n' di, si= Bassochiama( p livellonp "E""° " "i. alpraticamentemaggioritari uguali valorei restano• equilibriodi rispettominoritarii cambiatisignificativamentecavosolo• equilibrioall'Possiamo 0hmleggela consideriamoricavare di microscopicaora ; unsemiconduttoredicampione : 'I Adsdv =ii.-- . .-- ✗9 9----._.A - ds----.. 9---. È-

Definizione di corrente per:

  • 9.j-dqds-i-EQ-A-fv.atjaDIda E aldqA conI === =. atiat

Vediamo caso due:

  1. 10 ND tipo di materiale in»→ po meno CASO no canoe= livello di basso già e- «p noe iniezione concentrazione una p019 contribuito trascuro qndqnn qno= == - _-
  • lacunet.EU 'f)LEN mi Eds Md Mn= -n= ,DI
  1. ↳ dritto divelocità trascinamento di( Ej Lùg Einfine o= = .elettrica cena .20 Hatipop di materiale in»→
Dettagli
A.A. 2021-2022
122 pagine
1 download
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Gabriele.Beltrone di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Dispositivi elettronici e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Torino o del prof Bonani Fabrizio.