Dispositivi Elettronici

DISPOSITIVI EL 27/02/14

Prof. Pennelli

Programma: Fisica della stato solido

• Comportamento fisico dei propsattivi - dispensa
• Materiali dispositivi portanti - tavola 1 test

Master: coperture sui dispositivi

Materiale: Device Physics of Semiconductor Devices

Appunti Prof. Differenti

Appunti Pennelli - Levi fisica dei dispositivi alternativi

note visite sul loro sito

Rimborso spese viaggio

Riconoscimento dati editto permanente. es. 50 27-30(29) 24 27-2

F = ^q₁q₂⁄_4πε0r² → [N]

in un mezzo F = F₀⁄ε_r

ε₀ = 8.854 · 10^-12 F/m = costante dielettrica

Q_e = 1.602 · 10^-19 C

κ_acqua = 81 E_r = 3-10

CAMPO ELETTRICO

E = q⁄4πε₀n² = F⁄4πε₀ = Q⁄4πε₀|x-x₀|²

Distribuzione di carica:

λ = densità lineare di carica

σ = densità di carica superficiale

ρ = densità di carica di volume

∯_S E

d_s = Q⁄ε₀

∯_S E

d_s = 1⁄ε₀∫_V ρ(x) dx

TEOREMA DI GAUSS

Φ(E) = E_m S

∫₁^S P

d_s = ∫₁^V ρ(x) dx

VETTORE INDUZIONE ELETTRICA D = ε₀ε_rE

Utilizziamo il modello di Drude per l'ultimo tratto

Velocità idela dipende dolo temperatura

Velocità media

_md²x = -qE

Quando _q ^q = 1,6 x 10^-19 C

Velocità in funzione ^{Campo Elettrico} <v_d> = variabile con U.T.

<v_d> = <τ>

Tempo medio tra gli UT

Sistemaformulato 1900

Quantico (o) =0Iniettare energia J

(o) - k = (c) (a)

U(x) = Cm_k (kx)le funzioni devono obey il confina condiziona

Sciocca condizione(c) = 0 Cm_k = 0

o = k_f = m_n

Essendo KolmannApplicazione principalianche un dell'importak = (x) (p) + cosmicam_e>

Quando (m)_c vol/_m:

Prendiamometodo Al-modernizzazione

Come si il =1

(mx = 1.43)9.3 6 ave

oppure 1.9 = 4.3 VaElettrone Pe pliceOv ei m strumento

Quando non plice: 0.95 eVOs 1 con COatton

qudro quando tenuto coinvece fattore extra AGEMENTmass _gi

A continui Oscheli 0 nonpclesclares door omnino

discrezione immediate si massima

Osco 0.5 tempo Os

disconsione tradisc ozion decisionimeccan max!

Chi era 1,1

Up riversee oltre

Retticolo cubico a facce centrato (Fcc):

Come il cubico semplice e il corpo centrato, l’unica differenza e che i lati si intersecano tra di loro formando una struttura che si trova al centro della cella del cubo.

Silicio Si (IVa colonna) tetraedrico (quattro legami) tra loro tendenzialmente simmetricali, spazi identici, è più fittomentrati fra quattro di un altro atomo.

Oss. Si e il nichel non hanno linee sovrapposte ma solo l’incrocio dei reticoli.

Cella primitiva..é' un volume di costruzione di primitivizzazione di quella che e la figura geometrica.

Wigner-Seitz

Questi via: bisecanti a metà più vicine. A seconda dei vertici e lato inferiore (radiale) trova in questa quale la propria simmetria.

In questo caso si forma la matrice dell’atomo trovato centrato in un elemento rappresentativo.

Bisogna risolvere l’incognita S con questa pretarica incrociando...

In valore assoluto FDI piatto.

Calcoliamo la concentrazione delle lacune

D(E) dE = 2(2π/h^2)(2m*_h d)^3/2

f_V = e^-EV/kT

f = 1 + R(ε) =

E_F + E_v

N_V = 2 √2π(m*_h kT/h^2)^(3/2) V

m*_e = 0.067m_e

Considerazioni importanti

μ = N_C e^EC-EF

h_c ≈ - 10^{31 4.10^21 cm^3} = 10^21 cm^3

N_c (300 K) = 2.8 x 10^{16 cm^-3}

N_V (300 K) = 1.10^{19 cm^-3}

Abbiamo vista le formule fondamentali montante per semicond.

E_c = E_F + K T ln n_c / N_C E_v = E_F - K T ln N_V / p

E_i = (E_c + E_v) / 2 = (Φ_Ec + Φ_Ep) / 2

Se E_i > E_F → n < p Se E_i = E_F → n = p = n_i (intrinseco)

m = n = N_C e^{-(E_C - E_F) / KT}

Φ(E) = 1 / e^{(E-E_F) / KT} ~ e^{E-E_F / KT}