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Proprietà di trasporto
domenica 27 dicembre 2020 10:18
carica libera all'interno di materiale = studio della dinamica di e- in BC e lacune in BV
In reticolo cristallino ideale (solo atomi cristallo) e perfettamente periodico, sostituisco l'eq di e- in BC con eq della meccanica classica di particelle libere (energia potenziale costante) di massa efficace che dipende dal cristallo
Lacune in BV seguono eq della meccanica classica di particelle libere di massa efficace che dipende dal cristallo ma nel cristallo non sempre presente idealità del reticolo (aperiodicità):
- difetti reticolari (atomi in posto sbagliato)
- atomi di impurità al posto di atomi di cristallo (atomi droganti)
- atomi hanno energia cinetica
(energia termica) = vibrazioni reticolari (posizioni diverse associate a particelle fononi) cariche libere (urtano) interagiscono con qualsiasi aperiodicità di reticolo = fenomeno di SCATTERING (diffusione)
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Semiconduttore fuori equilibrio
domenica 27 dicembre 2020 11:31 Dispositivi elettronici Pagina 21
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generazione: e- da BV a BC
• e libero in BC
• lacuna in BV
ricombinazione: e- da BC a BV
nuovo legame covalente (generazione ottica se rilasciato fotone)
generazione: livello intermedio in banda proibita non vicino a BV e BC = impurità profonde
ricombinazione
massima efficienza per livello trappola = livello di Fermi intrinseco
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Pagina 30 Giunzione pn
domenica 27 dicembre 2020 18:38
sistema (semiconduttore) non omogeneo: cambia il tipo di drogaggio nelle due parti
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Transistore bipolare a giunzione (BTJ)
venerdì 11 dicembre 2020 18:15
Transistore: almeno tre terminali (necessaria porta d'ingresso e porta d'uscita)
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