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domenica 27 dicembre 2020 10:18

carica libera all'interno di materiale = studio della dinamica di e- in BC e lacune in BV

In reticolo cristallino ideale (solo atomi cristallo) e perfettamente periodico, sostituisco l'eq di e- in BC con eq della meccanica classica di particelle libere (energia potenziale costante) di massa efficace che dipende dal cristallo

Lacune in BV seguono eq della meccanica classica di particelle libere di massa efficace che dipende dal cristallo ma nel cristallo non sempre presente idealità del reticolo (aperiodicità):

  • difetti reticolari (atomi in posto sbagliato)
  • atomi di impurità al posto di atomi di cristallo (atomi droganti)
  • atomi hanno energia cinetica

(energia termica) = vibrazioni reticolari (posizioni diverse associate a particelle fononi) cariche libere (urtano) interagiscono con qualsiasi aperiodicità di reticolo = fenomeno di SCATTERING (diffusione)

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Semiconduttore fuori equilibrio

domenica 27 dicembre 2020 11:31 Dispositivi elettronici Pagina 21

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generazione: e- da BV a BC

• e libero in BC

• lacuna in BV

ricombinazione: e- da BC a BV

nuovo legame covalente (generazione ottica se rilasciato fotone)

generazione: livello intermedio in banda proibita non vicino a BV e BC = impurità profonde

ricombinazione

massima efficienza per livello trappola = livello di Fermi intrinseco

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Pagina 27 Dispositivi elettronici

Pagina 28 Dispositivi elettronici

Pagina 29 Dispositivi elettronici

Pagina 30 Giunzione pn

domenica 27 dicembre 2020 18:38

sistema (semiconduttore) non omogeneo: cambia il tipo di drogaggio nelle due parti

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Transistore bipolare a giunzione (BTJ)

venerdì 11 dicembre 2020 18:15

Transistore: almeno tre terminali (necessaria porta d'ingresso e porta d'uscita)

Dispositivi elettronici Pagina 45 Diagramma a bande npn

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Dispositivi elettronici

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Dispositivi elettronici

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Dettagli
A.A. 2020-2021
57 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher margherita.bruno di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Dispositivi elettronici e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Torino o del prof Bonani Fabrizio.