Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
Scarica il documento per vederlo tutto.
vuoi
o PayPal
tutte le volte che vuoi
TRASDUTTORI ELETTRO-OTTICI
servono a convertire una corrente elettrica in una radiazione elettromagnetica a frequenze ottiche.
- Le sorgenti di segnale ottico devono poter raggiungere un'alta velocità di modulazione in modo da sostenere un flusso di dati ad alta frequenza di bit.
Per fare questo, le sorgenti necessitano di alcune caratteristiche:
- devono avere un elevata radianza RA è una densità di potenza emessa per unità di superficie e unità di angolo solido (10 W/sr·cm² - 1000 W/sr·cm²).
- servono superfici foto-emittenti dell'ordine di alcuni μm in modo da facilitare l'accoppiamento con una fibra ottica.
Per ottenere queste caratteristiche viene impiegata una modulazione di intensità della radiazione ottica detta "on-off".
COME SONO USATI?
Tradizionalmente servono per illuminare lo spazio circostante e sono alimentati con energia elettrica.
Se si pensa ad una lampadina essa rappresenta un convertitore → corrente → lampadina → luce.
Con il tempo dalle lampadine a filamento, si è passati a quelle ad arco, a gas ionizzanti per poi arrivare sino ai LED.
All'inizio anni 60 -> LASER
- sfruttano 2 principi
- inversione di popolazione che si verifica quando una quantità di energia di alcuni materiali le quali bande, separandosi, fissano la lunghezza d'onda emessa
- la risonanza che nasce all’interno di una cavità costituita da determinate pareti riflettenti proprio questa cavità, ha una dimensione longitudinale lungo cui la radiazione viene estratta andando così a formare il fascio (apertura angolare)caratteristica che distingue il LASER dal LED
- materiali impiegati sono:
- miscela elio-neon: 1.633 nm
- rubino, 694 nm
- arseniuro di Gallio, 850 nm
Tipi di trasduttori impiegati nei sistemi ICT sono, appunto:
- LED:
- DIODO LASER:
Lavorano secondo un emissione spontanea; ovvero la ricombinazione di elettroni e lacune, nella zona intorno alla giunzione, dovuta dal passaggio di corrente, provoca un’emissione di FOTONI
- i quali vengono, normalmente, riassorbiti dal materiale
PERÒ adottando opportune strutture geometriche, i fotoni possono essere condotti all’esterno del dispositivo
oltre all’emissione spontaneasi va ad aggiungere un’emissione stimolata; ovvero nasce come conseguenza di un forte pompaggio di energia in uno spazio confinato
- il quale è, a sua volta, il risultato di un’alta concentrazione di radiazione emessa all’interno di una cavità risonante
Emissione Stimolata e Laser a Semiconduttore
Diodo Laser:
- Dal punto di vista geometrico è identico ad un LED side-emitting
- La differenza tra i 2 dispositivi sta
- nella lunghezza L
- LED = 2 mm
- LASER 300 a 500 μm
e soprattutto, nel LASER, questa lunghezza deve essere uguale ad un numero intero di λ della radiazione emessa
in modo che si possa creare una Cavità Risonante
chiamata "Cavità di Fabry-Perot"
è costituita da 2 pareti semiriflettenti che devono essere lavorate in modo tale che risultino perfettamente perpendicolari alla direzione di propagazione
in quanto, esse, costituiscono degli specchi semitrasparenti attraverso i quali viene rimbalzata la radiazione
Pareti
- Sono caratterizzate da
- coefficiente di riflessione Ra = Er / Ed
- trasmittanza Ta = Et / Ed
da cui avremo che il
Campo elettrico emesso dal laser = Et = Ed Ta
Campo elettrico riflesso = Er = Ed Ra
Laser a semiconduttore DFB e DBR
questo sfruttano guido tra 2 modi longitudinali
può esprimere matematicamente come:
Δν = c/2nL
- capacità luminosa
- lunghezza della cavità
→ valore di riferimento del materiale ≈ 3.1
quindi più lunga è la cavità, minore sarà la spaziatura in frequenza
per cui si riuscirà ad isolare un solo modo → più stretta sarà Δλ
assumendo L = 1 mm avremo
Δν ≈ 100 GHz
cioè Δλ ≈ 0.7 nm
Come faccio ad ottenere valori più bassi?
devo impiegare un semiconduttore costruito in modo diverso
avere
anziché avere 2 riflessioni terminali concentrate
sfrutto una riflessione distribuita
mediante l'uso di un reticolo di Bragg
realizzato con una corrugazione longitudinale dell'interfaccia fra la regione attiva e una delle 2 regioni tra le quali è inserita
tipicamente in λ si ha un andamento che cresce lentamente e poi decresce rapidamente
bisogna tenere presente che lo spettro della radiazione solare si estende nell'infrarosso
quindi più ampia è questa curva maggiore sarà la % di energia convertitaSi 20%, GaAs 27%
oltre a questo fenomeno vi è anche:
- % di coppie elettrone-lacuna assorbite dal materiale
- perdita di potenza dissipata in calore
- la riflettività della superficie che risulta essere tanto maggiore quanto è più alto l'indice di rifrazione del materiale
distinguamo 2 tipi di celle solari
SURFACERICEVE DIRETTAMENTE LA RADIAZIONE
- non è indispensabile usare un sistema ad inseguimento
- ne consegue che la perdita di efficienza di conversione all'aumentare dell'angolo rispetto alla verticale può essere considerevole
SURFACE RICEVEINDIRETTAMENTE LA RADIAZIONE
- è indispensabile il sistema ad inseguimento in quanto l'apparato ottico deve essere sempre puntato verso il sole per concentrare la luce incidente
resistenza di carico
con una RL dell'ordine di 1 Ω
si ha una RISPOSTA nella FREQUENZA DI MODULAZIONE f
di tipo passa-basso
la cui banda passante
la cui frequenza di taglio superiore
è dell'ordine di 1 GHz
HA la divisione di tempo ⇒ tutti i segnali passano sull'unica via comune in tempi diversi
per moltiplicazione TDM a 2.5 o 10 Gbit/s, questa banda passante è troppo stretta
SOLUZIONE: il fotoricettore PIN viene fatto seguire da un pre-amplificatore a trans-impedenza
in cui l'impedenza costituita dal parallelo RL e CL
viene vista dal fotodiodo come se fosse ridotta dal guadagno Ga dell'amplificatore operazionale
Assumendo Ga dell'ordine di alcuni dB
si vuole ottenere una banda passante di 10GHz
continuando comunque ad avere la RL = 1 Ω
in questo modo si ha la stessa tensione fotogenerata
V(t) · RL[I(t) - ID] che si aveva con l'accoppiamento diretto
CODICE A BLOCCO
si hanno → n cifre totali di cui
- k cifre di informazione
- r=n-k cifre di ridondanza
si considerano quelle binarie → bit
quindi i blocchi diversi che il codice può ammettere
sono in numero di 2k definiti come PAROLE DI CODICE
poi abbiamo → DISTANZA TRA DUE PAROLE
- di CODICE → numero di posizioni in cui esse differiscono
SOMMA EX-OR → una parola di codice generata dall’unione di due parole
DISTANZA MINIMA
- d → la distanza che separa le due sue parole più vicine
PESO DI UNA SEQUENZA
- bINARIA → il numero delle cifre "1"
CODICE LINEARE
- [n,k,d] dove
- n/k → fattore di espansione banda
- k/n → code rate
è rappresentato con
è tanto migliore quanto più alti sono i valori di “d” e “k/n”
costituisce una protezione contro gli errori