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DIODO IDEALE
Il diodo ideale si comporta come:
• Cortocircuito, se la tensione sul catodo è minore rispetto a quella sull’anodo (V=0)
• Circuito aperto, se la tensione sul catodo è maggiore rispetto a quella sull’anodo (I=0)
Consiglio: il confronto tra le tensioni fallo sopra il diodo, in modo tale da poter utilizzare le
parentesi angolari (<>). In tal caso se la parentesi angolare ha lo stesso verso del diodo, si tratta di
un cortocircuito.
MODELLI DELLA CARATTERISTICA DEL DIODO
=
MODELLO
{ −
ESPONENZIALE
=
= 0 ≤
0
MODELLO LINEARE −
{
A TRATTI = ≥
0
= 0
MODELLO CON
{
DIODO IDEALE =
MODELLO A = 0,7
CADUTA DI − 0,7
{
TENSIONE =
COSTANTE
=
() ()
= +
MODELLO PER ()
{ =
PICCOLI SEGNALI
()
≪ 1 → = +
=
{
1 2
( ) ( )
= =
Considera due correnti: ed
1 2
−
2 1
⁄
1
⁄ =
Combina le equazioni:
2
1
− = ln ⁄
Riscrivila:
2 1 2
Itera fino al raggiungimento di una convergenza
DIODO ZENER ∆ = ∆ = +
0
Va posizionato in inversa
CIRCUITI RADDRIZZATORI
RADDRIZZATORE AD UNA RADDRIZZATORE DI PICCO RADDRIZZATORE A PONTE
ONDA
• • •
Corrente di picco: Corrente di carico Tensione inversa di picco
− = −
= =
•
Tensione di ondulazione
• •
Angolo di conduzione Corrente del diodo:
=
iniziale = + 2
•
•
Tensione di uscita
Corrente diodo media
( )
= arcsin
−
=
•
Tensione di uscita (1 )
= + √
• ,
Tensione di ondulazione 2
media
= •
Corrente diodo max
= −
, 2 • Corrente diodo media
•
Tensione inversa di
(1 )
= + 2√
, 2
picco 2
(1 )
= + √
= , •
Intervallo di conduzione
• Corrente diodo max 2
∆ = √
2
(1 )
= + 2√
,
Se viene data la , si aggiunge il
−2
termine nelle formule in cui
• Intervallo conduzione
è presente
2
∆ = √
CIRCUITI LIMITATORI TRANSISTORI BIPOLARI
TRANSISTOR NPN FORMULE COMUNI TRANSISTOR PNP
= ↔ =
= ↔ =
= 0,7 = 0,7
(
= + 1) ↔
ZAD
> 0 > 0
= +1
= ↔=
1− +1
,
=
= 0,2 = 0,2
SATURAZIONE
−
,
=
,
POLARIZZAZIONE
2 1 2
= ⁄ = ⁄
1. + +
1 2 1 2
= + +
2.
Ricorda le relazioni tra le correnti per ottenere
un’equazione con una sola corrente (riportate nella
tabella precedente) (− )
− −
= =
MODELLO PER PICCOLI SEGNALI
= = = =
CONFIGURAZIONE EMETTITORE COMUNE
• = // _
Resistenza di ingresso:
• = //
Resistenza di uscita:
•
= ⁄ = − = −
Guadagno di corrente:
⁄
⁄
•
= ≈
Tensione di ingresso: ⁄
+
• = − ( // // )
Tensione di uscita:
•
= ⁄ = − ( // // )
Guadagno di tensione a ciclo aperto:
•
= ⁄ = − ( // )
Guadagno di tensione a ciclo aperto (circ. aperto):
0
•
= ⁄ = ⁄
Guadagno di tensione a ciclo chiuso: +
CONFIGURAZIONE EMETTITORE COMUNE CON DEGENERAZIONE DI EMETTITORE
• = //
Resistenza di ingresso:
• (
= = + + 1)
Resistenza di ingresso vista dalla base: ⁄
• =
Resistenza di uscita:
• =
Tensione di ingresso:
• = − ( // // )
Tensione di uscita: ( )
//
•
⁄
= ⁄ = −
Guadagno di tensione a ciclo aperto: 1 +
•
= ⁄ = ⁄
Guadagno di tensione a ciclo chiuso: +
•
= ⁄ = −
Guadagno di corrente:
CONFIGURAZIONE BASE COMUNE
1
• = ⁄
Resistenza di ingresso:
• =
Resistenza di uscita:
• = −
Tensione di ingresso:
• = − ( // // )
Tensione di uscita:
• = ( // )
Guadagno di tensione a ciclo aperto:
• =
Guadagno di tensione a ciclo aperto (circ. aperto): 0
•
= ⁄ = ⁄
Guadagno di tensione a ciclo chiuso: +
•
= ⁄ =
Guadagno di corrente:
CONFIGURAZIONE A COLLETTORE COMUNE
• = //
Resistenza di ingresso:
• (
= + ( // ) + 1)
Resistenza di ingresso vista dalla base:
//
1
•
= // = + ⁄
⁄
Resistenza di uscita: , dove
+ 1
•
= ⁄
Tensione di ingresso: +
• (
= + 1)( // )
Tensione di uscita: ( ) (
// + 1)
• ⁄
= ⁄ =
Guadagno di tensione a ciclo aperto:
•
= ⁄ = ⁄
Guadagno di tensione a ciclo chiuso: +
•
= ⁄ = + 1
Guadagno di corrente:
•
̂ =
Valore di picco di :
TRANSISTORI MOSFET
−11
= = 3,45 ∙ 10 /
Capacità per unità di area: dove
⁄
NMOS
• < →
Per interdetto
• > →
Per acceso
1 2
′
➢ )
≤ − → → = ⁄ [( − − ⁄ ]
Per regione di triodo 2
1 ′ 2
➢ ( ) (1 )
≥ − → → = ⁄ ⁄ − +
Per regione di saturazione 2
PMOS
• | |
< →
Per interdetto
• | |
> →
Per acceso
1 2
′
➢ | | | |)
≤ − → → = ⁄ [( − − ⁄ ]
Per regione di triodo 2
1 ′ 2
➢ | | ( | |)
≥ − → → = ⁄ ⁄ −
Per regione di saturazione 2
PICCOLI SEGNALI 2
√2
′
= = =