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Specchio corrente
Rs[2 ros
Mar
O *
↓ di
riguarda generatore
per un
quanto fattendo
può fare una
tensione si con ..
quanto riguarda di
nucce il generatore
per più
corrente fare con
esso in
si
Configurazione ↑ poi
(2)
e
&
Re delle
produtte caratteristiche
masfet con
un
difficile Facile
è
è
precise fare
invece
S di
uguali quindi
loro abbina
che
2 nosfet fra
gli parametri
stessi .
calcolare le correnti
cominciano :
a !
#
Fos = (Vos-Vn da questo sistema
>
-
Fo Vo determina la Vas
Si
= Is
la
e
del
la sarà alla
Vas uguale
mosfer
primo
del Master destra
Vas in quanto :
a quindi
collegati
gate se
sono Insieme ,
di dovemno
mosfer
I saturazione
in case
sono
avere che : I'as
Io = della Vas
solo
dirende
la
In quanto corrente di
specchio
Tuttavia rimane
questo corrente
tale Finché il (2)
Mosfet ,
rimane Saturzbre
in
la
aumentando la Caduta
Io ri
corrente
infatti riduce
sul Finché
di los
carico
tensione Va-Vin
scende ed regione
in
entra
non sotto
lineate
Mostet resistivo
carico
satulazione come
in le
I microelettronica resistenze si
non
possono miniaturizzare quanto un ,
mosfer
precedenza
semplificare circuiti
Tuttavia in
per nei
delle
abbiamo resistenze
messo ad citruito
questo
esempio in
precedentementar si
fatto usava
abbiamo
che
resistenza
una
chiamato resistono
carico .
al
alternativa
In Re
resistare usare
possiamo
del
Mostet carico
Un in come
saturazione ciò
di controllo
Mosfet consente
ci
,
↓ il circuito
miniaturizzare vo) V Vor
=
,
k V
(2) Vin
=
,
l'obbiettivo quell di
è la
facciate
arrivate a del
caletteristica
funzione / di
Vo
MOSFET in funzione
/
V =
-V Vin
03 SAT
-
il diain del
- (2) sono
Master
gate cortocircuitati
↳ il
siccome e
albra condizione di
uguali
valri/Vas saturazione
la
Vasi
questi sono sempre e
e
è verificata
sempre -Vu
= -Vor
=
-V-Vo-ku
=
(2)
·
las due
ore
Se corretta
queste
(VI-V = !
-Vo-Vin
-V Vos-Vo-Vin
=
Vo-V-Ve-vend
V = dell
di
Vediamo Il grafico
rappresentare
ora
di trasferimento
funzione :
quando
Abbiamo le
Ve Vin il
2 mostet
che
è interdizione
in questo significa che
quindi
corrente
scorre che
e
non Vos" Vo
V Ven
=
= -
!
due
decrescente
/quindi
Ve letta
rispetto una
a .
del
la linearità
perché Masfet
Questo non del
lineativa
la
di Mosfet
carico compensa non
re) saturazione
di
regione .
in di
1) la ↑
fatto asferimento
che Funzione è
lineate
tratto
in un
sid aspetto
un detto
abbiamo
importante Infatti Che
.
amplificatori
negli di tensione per non
segnala
delle bisogna
distorsioni del
subira delle più possibili
lineati
operte in regioni
piccoli segnali
oppure operare con
Master svuotamento
a ad arricchimento
Master finata etro
visti
I applicavano
quanto Vas
tensione
perche una
dell'ossido
la prossimità arrichie
in si
zona liberi
di masfet
portatori i suvatamento
a
, leggermente
configurazione
hanno una
invece
diversa : canale
applicato
viene un
> di semiconduttore
Fisico substrato p
tipo in
n di
La questo
presenza
Canale fisico fa che
si di
anche per
tensione
conduzione
Vas=o
nulla
controllo il in
transister sia quindi
interdizione
portarl
Per in occorre
applicargli tensione negativo
una Vin
Vas
ON >
- - !
(Vos
Sat e las Vin
= +
/VastVn) E vos
io =
N Vos-
dal
L'unica differenza ad arricchimento
masfet
la soglia è
è negativa
che
Mosfet attivo
svuotamento
a carico
come
Vo ↑
Vor A s
cui
in
zona
I entrambi mostet
i
Vor
Vin
#More Tefli
solo saturazione
in
- - i
--
il
nel (2) Vo-Vin
Mostet Safe
-
Vgs3-Vin
sutamento
a
Va -
è
esso
> sempre on
-
- -
E
vin Im S VI
Vin
della di
è soglia
quando la Ve minote quindi
(1) corrente
Scorte e
18 , conduzione
perché (2)
Vo in
Vor e
= corrente
scorte
M2 nen (2)
ros on on Va
↳
Vos-Vin
Vas Ven
> Vas-Vo O
Vo >
VI-Vin Vin
+
> Vos-Vin Vo
>
<Vep-Vin
Vo Sat
&
=
Vas-vent =
= -V
kik
se (V-vn- V
Ev = V 2
= nella
VI
Significa costante
rimane
che entranti rosfet
cri sono
:
regione in di traduce
regione Saturazione si
Che
in .
verticale
letta
in una è rappresentazione
Essa perfetta
una
delb Inoltre
not
parte funzione
una
. utile
ripida
molto è
di anche
trasferimento
applicazioni del amplificare
nelle transistor come
realizatio
permetterelle amplificatore
di
infatti un
realtà
guadagno la
nella però linez
infinito
,
con dobbiamo
verticale
del
è perché considerare
tutto
non canale
del
modulazione
la .
anche terminali
Mosfet quattro
a n
canale dei
Nel mosfer cui uno
a in è collegato
terminali
due corrente
cui
in scorte sourcel
prendendo di
Godi il dizin
al il
nome
, ,
ad
è tenuto maggiore
tensione
sempre una
quella modo
del sicuri
questo
a Source in
, siamo
(quelle
entrambe le pr
giunzioni tra
che Gode Godel
diain e stana
tra
e
source e
contropolarizzate sul
però
Se mettiamo source
tensione
una ,
Gode drain è
- presente
e una
polarizzata la corrente
siunzione e
da li attraverso
passato
scorre senza
le ed
il il masfet comporta
si
Cana diodo
come un
E .
quindi
# h possiamo
sostanza fat
non entrambi
la
scorrete corrente in i
del
versi Mosfet Ci
Tuttavia sono
,
alcuni è necessario
in
casi cui
la entrambi
corrente
far versi
scorrere in i .
Mosfet
↓ caso
questo ha
si un
usa che
bodi indipendenti
source e
a del
Nel cande
mostet
caso a n
dode e
deve essere tenuto e
ed
qualsiasi
più bassa di
tensione al dizin
applicata
tensione o
al Source
terminali dipende
la Vin
Nel mosfer 4
a lade
dalla tensione tra e e
sortere complesso
rent più
molto
tutto
questo di
IFET principio funzionamento
↓
e
S M lavora
Vas il Vas positiva
con
se FET
- Grucia
Si
di estende
la regione si
suotamento drogata
nella
maggiormente poco
zona di
-Non tensione Pinch-off
di
Vas
quando le 2 zone
= del
- l'interno
uniscono
suotamento si e
è completamente
sfet sintato
interdizione
Vas5-Up >
-
quando -Vo
Vas > un
si crea
delle due
nel
piccolo canale zone
mezzo
di ha
che una resistenza
svuotamento
o dall
dirende
la resistenza
Vos controllato tensione
quinti in
na corrente
una piccole
è altriment
tensioni
vera
questo per devo della
nel tener conto
MOSFET
come nel
di
caduta canale
tensione avviene
che
succede è
quindi strozzamento
che
cio un
Canale
del deisa
avendo
I Ifet struttura
dur una simile
de comportamento
Mosfet un
la è
il
formula
la JfeT
si per
usa
che :
e del
stessa mosfe
diversa
solo forma
in bipdare
Transistor BJT
nell'elettronica analogica
usato
viene
oggi ,
digitale
quelle è
il
invece mosfer
in ,
Perché piccolo
ecò
migliore essere teso più
del pu
E
B5 che
+
Vantaggi essere
un danda alte
delle più
usato con frequenze
il au
Masfet fare per
Cosa che non
delle capacità parassite
via moderno
del BJT
Struttura :
collettore VEB
e #
-
s =
1
d C
E
- beneioe
VE del
Guardare realizzazione
la BJT
fisica
pag(154)
a
· la
La l fra
spazio
f
↑ la
1 +
zona zona
e
deve il
↑ essere
possibilie
minimo
la corrente scorre 2
%
ed E quin
tra c e
dovrebbe passate per
drogata
una poco
zona sepolte
lo
Per questo strato
si aggiunse
silicio drogato
di maggiormente no ,
delle
strada
la corrente
percorsa
anche se della
più lunga
è passata
essa zona
sempre
quindi dove
da la
è
resistia presente
mena sepolto
stato due il problem
35T accento
Se mettiamo lo
è isolati
sono
essi strato
che non ma
li quindi
sepolto disegna aggiungete
unisce ,
guardia
di due BJT
serari
zona che
una guardia
di
di queste zone
ver Si i
sono è
c'è drogaggo ed
Il p
Punti in cui +
dei il BJT
anche motivi cui
per
una non
molto minizzutizzato
Più essere
Regioni di funzionamento
vedere
Per BJT
funziona ci
come un
del cana
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