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FILE CON TUTTI I QUIZ DEL SIMULATORE DI ELETTRONICA:
Domanda 1:
Svolgimento:
Circuito a due resistenza -> condizioni di saturazione −3
6 ∙ 10
2 −4 2
[ ⁄ ]
= ( ) → = ( ) = 2 ∙ = 2 ∙ = 7.5 ∙ 10
2 2
2 4
2
2 2
2
( )
= ∙ − → − 2 + − =0
2
−3
2 2 ∙ 8 ∙ 10
2 2
)
√(2 √(2
2 ± − 4 (− ) 2 ∙ 4 ± ∙ 4) − 4 (− )
−4
7.5 ∙ 10 −0.62
= = ={
8.62
2 2
>
Mosfet canale n (frecce entranti = base) in saturazione:
− 15 − 8.62
= − ∙ → = = = 797.5 Ω = 0.79 Ω
−3
8 ∙ 10
Domanda 2:
Svolgimento: [ ]
= 0 = +
Siccome (non c’è):
3 4 3 4
Domanda 3:
Svolgimento:
La giunzione è polarizzata direttamente: eccesso portatori minoritari.
= = ( ) ∙ →
|
La capacità di diffusione è: Se aumenta aumenta
=
Dunque se il tempo di vita medio dei portatori minoritari aumenta, la capacità di diffusione aumenta.
Domanda 4:
= 847 Ω
Soluzione: 3
Svolgimento:
, collegate a stella
2 3 4
2 4 4
= = − ∙ (1 + + )
Guadagno:
1 2 3 3 3 3
100 ∙ 10 100 ∙ 10 100 ∙ 10
2 4 4
= −120 = − ∙ (1 + + )=− ∙ + +
(1 )
3 3
100 ∙ 10 100 ∙ 10
1 2 3 3
3 3
100 ∙ 10 100 ∙ 10
120 = 2 + → = = 847.5 Ω
3
120 − 2
3
Domanda 5:
= 141.2 Ω = 3.58
Soluzione:
Svolgimento: −3
(8 )
= ∙ + = ∙ 1 ∙ 10 + 10 = 10.008
, 0
= = − = −
, , , ,
,
10.008
−3
(1 )
→ = + = ∙ 10 + = 0.0566
, , 180
,
− 18 − 10.008
,
= = = 141.2 Ω
0.0566
′
= + "
Sovrapposizione effetti, trovo:
1)Spengo generatore (cortocircuito), accendo :
0
8 ∙ 180 7.66
= ∥ = = 7.66Ω → ′ = ∙ = 25 ∙ = 3.32
,
8 + 180 + 7.66 + 50
2) Accendo generatore (cortocircuito), spengo :
10
0 0
= = = = 0.21218 = 212.18
∙ 180 ∙ 50
+
( ) + ( ) + 8
+ 180 + 50
∙ 180 ∙ 50
−3
( )
" = ∙ = + ∙ = ( )∙ =( ) ∙ 212.18 ∙ 10 = 8.3
+ 180 + 50
′
= + " = 3.32 + 8.3 = 11.62
Dunque:
− 25 − 11.62
,
− + ∙ + = 0 → = = = 0.2676
, , , 50
2 2
(0.2676 )
= ∙ = 50 ∙ = 3.58
La massima potenza dissipata in è:
, ,
Domanda 6:
Svolgimento:
BJT canale n (frecce entranti = emettitore).
= ∙
In saturazione: (−0.7)
− 15 −
−5
− + + ∙ = 0 → = = = 3.34 ∙ 10
3
470 ∙ 10
(−0.5)
− − 15 −
, ,
− + + ∙ = 0 → = = = = 3093.8 Ω
, −5
150 ∙ 3.34 ∙ 10
= 3.1 Ω
Dunque:
Domanda 7:-> CIRCUITO CON AMPLIFICATORE OPERAZIONALE E TRANSISTOR
= 14.65 ; = 3.86
Soluzioni:
Svolgimento: 2 2 2
2 ∙
2 2
= ∙ (1 − ) → − ∙ + 1 − = 0 → − 2 ∙ ∙ + − =0
2
2
∙
2
√(−2 2
) )
−(−2 ∙ ± ∙ − 4 ∙ ( − )
= =
2 −3 2
0.8 ∙ 10 ∙ 2.5
2 2
√(−2
−(−2 ∙ 2.5) ± ∙ 2.5) − 4 ∙ (2.5 − )
−3
6 ∙ 10 1.587
= ={
3.423
2
> → = 3.423
MOSFET a canale n, in polarizzazione:
(− )
− − + −3.423 + 18
−3
= − = 0 − → = = = = 2.6 ∙ 10
3
5.6 ∙ 10
−3 −3 −3
+ = → = − = 2.6 ∙ 10 − 0.8 ∙ 10 = 1.8 ∙ 10
1 1 3 −3
= = ∙ = 10 ∙ 10 ∙ 1.8 ∙ 10 = 18
1 1 1
= = + = − + = −3.423 + 18 = 14.58 → = 14.58
1 1
− 14.58 − 2
−3
= = = 1.258 ∙ 10
3
10 ∙ 10
−3 −3 −3 −3
= + + = 0.8 ∙ 10 + 1.8 ∙ 10 + 1.258 ∙ 10 = 3.858 ∙ 10 → = 3.86
1
Domanda 8:
= 8 ; = 0.25 ; = 0 ; = 0.1 ; = 1.2
Soluzione: 1 1 2 2
Svolgimento: (
= 0 ) ; > 0
Ipotesi: Diodo ON: 3 3
Sovrapposizione effetti:
; : →
1)
2 1 ′ −3
= = 2 ∙ 10
; : " = −
2)
+
2 1
′ −3 −3 ( )
= + " = 2 ∙ 10 − > 0 [ ] → < 2 ∙ 10 ∙ +
2 1
+
2 1
−3 3 3
(3 )
< 2 ∙ 10 ∙ ∙ 10 + 1 ∙ 10 = 8 → = 8
< →
Per
Sovrapposizione effetti: ′
; (): → = 0
1)
2 1
′′ 1
( ); : = ∙
2)
+
1 2
3
1∙10
′ 1
= + " = 0 + ∙ = ∙ = 0.25
Dunque:
3 3
+ 3∙10 + 1∙10
1 2 = 0.25
1
= 0.25 ∙ →
= 0
1
(
> → = − < 0)
Per
Sovrapposizione effetti: −3 3
2∙10 ∙ 6∙10 −3
3
; (): = ∙ = = 1.2 ∙ 10
1)
1 3 3 3
) )
+( + 6∙10 +(1∙10 +4∙10
3 1 2
′ −3 3
= ∙ = 1.2 ∙ 10 + 1 ∙ 10 = 1.2
1 1 3
1∙10
′′ 1
[ ]
( ); : . = ∙ = ∙ = 0.1
2)
3 3 3
) )
+( + 6∙10 +(1∙10 +4∙10
3 1 2
= 0.1
2
′ ′′
= + = 1.2 + 0.1 ∙ →
= 1.2
2
Domanda 9:
Svolgimento:
−6 −3
= → = ∙ = 10 ∙ 100 ∙ 10 = 1 ∙ 10
3 −3
(9 )
− + ∙ + = 0 → = − ∙ = 10 − ∙ 10 ∙ 1 ∙ 10 = 1
Domanda 10:
= 150 Ω e V = 9.9
Soluzione: DD
Svolgimento: 1−2.5
= = − = 150Ω
[ ]
è la pendenza della retta rossa (I ):
D −3
(30−20)∙10
= 20
{
Dal grafico: = 2.5
> − [ = ]
MOSFET canale n -> Zona di saturazione implica: ℎ
3
(400
∙ ∙ 500) ∙ 10
1 2 2
= || = = = 222.22 Ω = ∙
1 2
3
(400
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