Fondamenti di elettronica

T

temepratura ambiente (300 K) vale: 25 mV

In un diodo a giunzione la corrente di saturazione I , per

S 15

piccoli segnali, è pari a: 10- A

In un diodo a giunzione polarizzato direttamente, la

tennsione ai capi del diodo quando è in zona di

conduzione a regime è pari a: 0.7 V

In un diodo a giunzione polariizzato inversamente scorre

una corrente pari a:

Il modello esponenziale del diodo a giunzione è: Il più accurato tra i modelli

La differenza tra le due tensioni V e V che si

1 2

manifestano ai capi di un diodo nel momento in cui la

corrente che scorre sul diodo varia dal valore I a I , è

1 2

esprimibile dalla relazione:

Si consideri il circuito in figura. Perla legge di Kirchhoff

alle maglie risulta che:

Si consideri il circuito in figura. Utilizzando il modello

esponensiale del diodo e l'approccio di risoluzione

grafico, i ounti indicati con Y eX sono allora pari a: Y = V /R; X = V

DD DD

Nel modello esponenziale del diodo, la relazione che lega

la corrente che scorre sul diodo alla tensione ai suoi capi

quando il diodo si trova nella regione di polarizzazione v/VT

diretta è: I =I e

D s

Nel modello a caduta di tensione costante del diodo, la

tensione ai capi del diodo quando in regione di

polarizzazione diretta è pari a: 0.7 V

Nel modello a caduta di tensione costante del diodo, la

corrente che scorre sul diodo: Non dipende dalla tensione ai suoi capi

Nel modello a piccoli segnali del diodo, la relazione che

lega la corrente che scorre sul diodo alla tensione ai suoi

capi quando il diodo si trova nella regione di

polarizzazione diretta è:

Nel modello a piccoli segnali del diodo, la resistenza

differenziale è definita come:

Nel modello a piccoli segnali del diodo, l'ampiezza del Sia limitata ad un piccolo segmento praticamente

segnale deve essere tale per cui sulla cura i-v: lineare

La tesnsione delle forniture elettriche civili italiane è pari

a: 220 V, 50 Hz

In un trasformtatore con in ingresso una tensione di

ampiezza V e con un numero di avvolgimenti N 1

(avvolgimento primario) e N (avvolgimento secondario),

2

la tensione indotta sul secondo avvolgimento è pari a: V*(N2/N1)

Un un circuito raddrizzatore a diodi genera sempre un

segnale: A valor medio diverso da zero

Un circuito raddrizzatore a singola semionda necessita di

un numero di diodi pari a: 1

Si consideri il circuito in figura con vs pari ad una

tesnione sinusoidale a 1 kHz con ampiezza pari a 10 V. La

tensione di uscita vo ha allora sempre ampiezza: Negativa

Si consideri il circuito in figura con vs pari ad una

tesnione sinusoidale a 1 kHz con ampiezza pari a Vs. La

tensione inversa di picco (PIV) è allora pari a: Vs

In un circuito raddrizzatore a singola semionda,

l'integrale nel tempo della forma d'onda del segnale di

uscita rispetto all'integrale del segnale di ingresso è pari

circa a: La metà

In un circuito raddrizzatore a ponte come quello in

figura, quando vs ha ampiezza negativa i diodi in

conduzione sono: D4 e D3

In un circuito raddrizzatore a ponte come quello in

figura, con Vd la caduta di potenziale ai capi di un diodo,

la tensione di uscita vo è pari a:

Si consideri il circuito in figura con vs pari ad una

tesnione sinusoidale a 1 kHz con ampiezza pari a Vs, e

con Vd la caduta di potenziale ai capi di un diodo quando

in conduzione diretta. La tensione inversa di picco (PIV) è

allora pari a: Vs-Vd

In un alimentatore DC il filtro capacitivo a valle del

rettificatore di tensione è necessario poiché: La tensione in uscita dal rettificatore oscilla

Si consideri il circuito in figura, con vi segnale armonico

sinusoidale con ampiezza +10/-10 V. La tensione vo,

considerando il modello ideale del diodo e con il circuito

a regime, è pari a: 10 V

Si consideri il circuito in figura, con vi segnale armonico

sinusoidale con ampiezza -10/-20 V. La tensione vo,

considerando il modello ideale del diodo e con il circuito

a regime, è pari a: 0 V

In un circuito raddrizzatore con filtro capacitivo e

resistenza di carico rispetto al medesimo circuito ma

senza resistenza, il valor medio della tensione di uscita

ha un valore: Più basso

In un circuito raddrizzatore con filtro capacitivo e

resistenza di carico all'aumentare del valore della

capacità C, il ripple della tensione di uscita: Diminusice

In un circuito raddrizzatore con filtro capacitivo e

resistenza di carico all'aumentare del valore della

resistenza R, il ripple della tensione di uscita: Diminusice

In un circuito raddrizzatore a doppia semionda con filtro

capacitivo e resistenza di carico, rispetto al caso in cui il

raddrizzatore fosse a singola semionda, la tensione di

ondulazione Vr è: La metà

In un alimentatore DC il regolatore di tensione a valle del La tensione in uscita dal rettificatore presenta un

filtro capacitivo è necessario poiché: ripple di oscillazione

Si consideri il circuito in figura. Nel caso in cui Vi sia un

generatore DC con ampiezza 3 ± , la tensione vo è

0.5 V

allora pari a: Vi

Il modello circuitale di un diodo zener come quello

rappresentato in figura è pari a:

Si consideri il circuito in figura. Utilizzando il modello

ideale del diodo, I e V sono allora pari a: 0 mA; 5 V

Si consideri il circuito in figura. Utilizzando il modello

ideale del diodo, I e V sono allora pari a: 3 mA; 3 V

Si consideri il circuito in figura. Utilizzando il modello 1.33 mA

ideale del diodo, I allora è pari a:

D2

Si consideri il circuito in figura con un diodo zener

rappresentato tramite il suo modello equivalente.

Sapendo che Vz = 6.5 V, IZ = 5 mA, rz = 20 Ω, R= 500 Ω e

V+ = 20 V, Vo è allora pari a: 6,92 V

Si consideri il circuito in figura con un diodo zener

rappresentato tramite il suo modello equivalente.

Sapendo che Vz = 6.5 V, IZ = 5 mA, rz = 20 Ω, R= 500 Ω

e 76.9 mV

V+ = 20 V, quando V + caria di۬ V, allora ΔV è pari a:

o

Si consideri il circuito in figura con un diodo zener

rappresentato tramite il suo modello equivalente.

Sapendo che Vz = 6.5 V, IZ = 5 mA, rz = 20 Ω, R= 500 Ω,

V+ = 20 V e R = 1 kΩ, allora la corrente che scorre su RL

L

è pari a: 6.5 mA

Si consideri il circuito in figura. Utilizzando il modello a

caduta di tensione costante del diodo, quando vi > -0.5

V, vo è allora pari a: Vi

Si consideri il circuito in figura utilizzando il modello a

caduta di tensione costante del diodo. Per vi ≤ 5 V, allora

vo è pari a: Vi

Si consideri il circuito in figura utilizzando il modello a

caduta di tensione costante del diodo. Per -5 V ≤ vi ≤ 5 V,

allora vo è pari a: Vi

Si consideri il circuito in figura utilizzando il modello a

caduta di tensione costante del diodo. Per vi ≥ 5 V, allora

vo è pari a: 1/2 vi + 2.5 V

A tre terminali in cui il flusso di corrente tra due

terminali può essere controlato da un terzo

Il BJT è un dispositivo: terminale

Il tprimo transistor progettato nel 1948 nei Laboratori

Bell era un BJT e non un MOSFET poiché: Il BJT era più semplice da realizzare

Il BJT è realizzato: Tramite due giunzioni pn

Le regioni di collettore e emettitore sono drogate

di tipo p mentre la regione di base è drogota di

In un BJT pnp: tipo n

L'emettitore è a potenziale più basso rispetto alla

base la quale è a potenziale più basso rispetto al

Un BJT npn funziona nella regione attiva quando: collettore

Le cariche maggioritarie dell'emettitore fluiscono

In un BJT npn nella regione attiva: nella base

In un BJT npn nella regione attiva le cariche minoritarie

nella base, dal bordo della giunzione base-emettitore: Si diffondono vero il collettore

La differenza di potenzale tra la base e

In un BJT, la corrente di collettore ic dipende da: l'emettitore

La ricombinazione di cariche minoritarie con le

maggioritarie nella base e al flusso di portatori

dalla base all'emettitore

In un BJT, la corrente di base i è dovuta a:

B È praticamente uguale alla corrente di collettore

In un BJT, la corrente di emettitore i :

E La tensione sul sulla base è maggiore della

tensione sull'emettitore e quella sul collettore è

Un BJT npn opera in regione attiva quando: maggiore di quella sulla base

La concentrazione di atomi accettori (NA) nella

regione di emettitore è maggiore della

concentrazione di atomi donori (ND) nella

Un BJT pnp valgono le relazioni: regione della base

In un BJT che opera in regione attiva il profilo di

concentrazione delle cariche minoritarie nella regione

della base è: Concavo

In un BJT che opera in regione attiva il profilo di

concentrazione delle cariche minoritarie nella regione

della base diventa sempre più lineare quando: La larghezza della regione di base W diminuisce

In un BJT che opera in regione attiva, la corrente che si Legata direttamente al fenomeno di diffusione

propaga nella regione della base è: delle cariche minoriarie all'interno della regione

In un BJT npn che opera in regione attiva, la corrente di Scorre dalla regione di collettore a quella della

collettore: base

In un BJT che opera in regione attiva, la corrente di Aumenta al diminuire della larghezza della

collettore: regione di base (W)

Un BJT npn che opera in regione attiva, può essere

rappresentato con un circuito equivalente in cui è

presente: Un generatore di corrente controllato in corrente

In un BJT che opera in regione attiva, il termine β è

definito quando il transistor è considerato come un Con la porta di ingresso tra l’emettitore e la base

dispositivo a due porte: e la porta di uscita tra l’emettitore e il collettore

In un BJT che opera in regione attiva, il termine α è

definito quando il transistor è considerato come un Con la porta di ingresso tra l’emettitore e la base

dispositivo a due porte: e la porta di uscita tra la base e il collettore

Nella regione di emettitore e nel collettore le

cariche maggioriatirie sono lacune, mentre sono

In un transistor di tipo pnp: elettroni nella base

Un transistor di tipo pnp opera in regione attiva quando: V >0 e v ≥ 0

EB BC

Un transistor di tipo pnp che opera nella regione attiva la

corrente che scorre attraverso il transistor è dovuta Alle lacune che si spostano dall'emettotore al

principalmente: collettore attraverso la regione di base

Nel simbolo circuitale di un BJT pnp il verso della

corrente è: Entrante all'emettitore

In un transistor pnp che opera in regione attiva la

corrente è: Uscente dalla base

In