Fondamenti di elettronica

Principi di elettricità

La corrente delle forniture elettriche civili è tipicamente a 220V. La tensione elettrica è definita come la differenza di potenziale tra due punti.

Considerando un circuito composto da un generatore di tensione Vi, una resistenza R1 e un'altra resistenza R2, il principio di Kirchhoff alle maglie dice che:

1. v1 = Vi + v2 (con v1 e v2 tensioni ai capi delle resistenze R1 e R2, rispettivamente)
2. v2 = Vi + v1 (con v1 e v2 tensioni ai capi delle resistenze R1 e R2, rispettivamente)
3. Vi - v2 = v1 (con v1 e v2 tensioni ai capi delle resistenze R1 e R2, rispettivamente)
4. Vi + v1 = v2 (con v1 e v2 tensioni ai capi delle resistenze R1 e R2, rispettivamente)

Il rendimento di un amplificatore è definito come il rapporto percentuale tra la potenza fornita al carico diviso la potenza di ingresso.

1. Il rapporto percentuale tra la potenza fornita al carico diviso la potenza di ingresso
2. Il rapporto tra la potenza fornita al carico diviso la potenza fornita dagli alimentatori
3. Il rapporto percentuale tra la potenza fornita all'ingresso diviso la potenza fornita al carico

rapporto percentuale tra la potenza fornita al carico diviso la potenza fornita dagl'alimentatori

L'ENERGIA DELLA BANDA PROIBITA EG DI UN SEMICONDUTTORE, RAPPRESENTA:

1. L'energia minima necessaria di drogaggio di un semiconduttore

2. L'energia minima necessaria alla rottura di un legame covalente

3. L'ENERGIA DELLA BANDA PROIBITA EG DI UN SEMICONDUTTORE, RAPPRESENTA:

4. L'energia minima per la ricombinazione lacuna-elettrone

UNA GIUNZIONE PN PUÒ ESSERE CREATA:

1. Utilizzando solamente del silicio intrinseco

2. Utilizzando solamente del silicio drogato di tipo p

3. Utilizzando solamente del silicio drogato di tipo n

4. Utilizzando del silicio drogato di tipo p e n

IN UN CIRCUITO RADDRIZZATORE A PONTE COME QUELLO IN FIGURA, CON VDLA CADUTA DI POTENZIALE AI CAPI DI UN DIODO, LA TENSIONE DI USCITA VO È PARI A:

8

1

2

3

4

SI CONSIDERI IL CIRCUITO IN FIGURA, CON VI SEGNALE ARMONICO SINUSOIDALE CON AMPIEZZA +10/+20 V. LA

1. La corrente che scorre è indipendente dalla tensione sul gate

2. La corrente che scorre è indipendente dalla tensione tra source e drain

3. La corrente che scorre è massima

4. LA RAPPRESENTAZIONE CIRCUITALE EQUIVALENTE DI UN MOSFET CHE OPERA IN REGIONE DI SATURAZIONE PREVEDE CHE LA RESISTENZA DI INGRESSO (I.E., TRA GATE E SOURCE) SIA:

3. Dipende dal valore di iD

2. Dipende dalla tensione sul gate

3. Zero

4. Infinita

14. IL SIMBOLO IN FIGURA RAPPRESENTA:

1. Dipende dalla tensione applicata sul source

2. Un CMOS

3. Un NMOS

4. Un PMOS

15. NEL CIRCUITO IN FIGURA, SE V = 10 V, LA DIFFERENZA DI POTENZIALE TRA IL GATE E IL SOURCE (VGS) DEL PMOS È PARI A:

0 V

1. 10 V

2. 15 V

15. NEL CIRCUITO IN FIGURA, SE V = 10 V, LA DIFFERENZA DI POTENZIALE TRA IL GATE E IL SOURCE (VGS) DEL PMOS È PARI A:

(-)10 V

3. Dipende dal valore di i

4. IN UN AMPLIFICATORE A BJT OPPORTUNAMENTE POLARIZZATO, IL GUADAGNO DI AMPLIFICAZIONE DEL DISPOSITIVO È:

6. Proporzionale alla tensione di overdrive Vov del BJT

UN AMPLIFICATORE CARATTERIZZATO DA:

• 21 resitenza di uscita molto bassa
• Un guadgano di amplificazione unitario
• una resistenza di ingresso molto bassa
• una resitenza di uscita molto elevata

SI CONSIDERI LA RETE DI POLARIZZAZIONE PER CIRCUITI MOSFETAMPLIFICATORI IN FIGURA. LA TENSIONE VGS è UGUALE A:

1. 01 (-)VDS
2. 2 VDD-RD*ID
3. 3 RD*ID
4. 4 SI CONSIDERI L'AMPLIFICATORE DIFFERENZIALE IN FIGURA. SE LE DUE RESITENZE RD DIFFERISCONO DI UN FATTORE ΔRD, IL CMRR è PARI A:

1. 23 Zero
2. 1 Rss/ΔRD
3. 2 (2*gm*Rss)/(ΔRD/RD)
4. 3 Rss/(ΔRD/RD)

L'AMPLIFICATORE OPERAZIONALE è UN DISPOSITIVO CARATTERIZZATO DA:

1. 4 Un solo terminale di ingresso
2. 1 Due treminali di ingresso
3. 2 Tre terminali di ingresso
4. 3 Un numero di terminali di ingresso che dipendono dal circuito in cui sono inseriti

I PRIMI CIRCUITI DIGITALI SONO NATI CON:

1. 5 Dei tubi a vuoto
2. 1 Dei BJT
3. 2 Dei MOSFET
4. 34 Dei CMOS

LA PORTA LOGICA NOR è

DESCRITTA DALLA FUNZIONE BOOLEANA:261234 SI CONSIDERI L'INVERTITORE LOGICO CMOS IN FIGURA (A). LA CARATTERISTICA ID-VDS IN FIGURA (B) SI OTTIENE QUANDO:

1. Lo stato logico dell'ingresso è pari a 0
2. Lo stato logico dell'ingresso è pari a 1
3. Lo stato logico dell'ingresso è pari a 0 e i transistor sono entrambi NMOS
4. Lo stato logico dell'ingresso è pari a 1 e i transistor sono entrambi PMOS

SI CONSIDERI L'AMPLIFICATORE A CE E RESITENZA DI EMETTITORE CONRETE DI POLARIZZAZIONE IN FIGURA. LA CAPACITÀ CE È NECESSARIA AFFINCHÉ:

1. Il segnale veda solamente la resitenza di emettitore Re e non quella di polarizzazione RE-Re1
2. Il segnale veda solamente la resitenza di emettitore RE-Re e non quella di polarizzazione Re
3. Il segnale vada il più rapidamente possibile a massa
4. Il segnale si disaccoppi con le componenti DC del circuito

NEI CIRCUITI IC COME SISTEMI DI ALIMENTAZIONE SI UTILIZZANO:

1. ...

1. Generatori di tensione DC
2. Generatori di corrente DC
3. Generatori di tensione DC controllati in tensione
4. Generatori di corrente DC controllati in corrente

SI CONSIDERI LO SPECCHIO DI CORRENTE IN FIGURA. LA CORRENTE ID1 è PARI A:

1. Io

SI CONSIDERI LO SPECCHIO DI CORRENTE IN FIGURA. LA CORRENTE ID1 è PARI A: k'n*(W1/L1)*[(VGS-Vt)VDS-(1/2)*VDS^2]

1. 1/2*k'n*(W1/L1)*(VGS-Vt)^2

IL TRANSISTOR è UN DISPOSITIVO ELETTRONICO CHE:

1. Consente di controllare il flusso di corrente tra quattro terminali
2. Consente di controllare la tensione tra due terminali
3. Consente di controllare il flusso di corrente tra un terminale e l'altro
4. Consente di controllare il flusso di corrente tra due terminali agendo su un terzo terminale

LA RAPPRESENTAZIONE IN FORMA NORTON DI UN GENERATORE DI SEGNALE è PREFERITA SE:

1. La resistenza interna di segnale Rs è molto grande
2. La resistenza interna di segnale Rs è molto piccola

lineare4 IN UN SEMICONDUTTORE INTRINSECO POSTO A TEMPERATURA T>0 K, PUÒVERIFICARSI LO SPOSTAMENTO DI CARICHE POSITIVE GRAZIE :6 Al processo ripetuto di ricombinazione