Fondamenti di elettronica

C CE

Al crescere di v si riduce la larghezza efficace della base W e la corrente di saturazione I aumenta

CE S

Affinché un BJT npn reale operi in regione attiva, la la differenza di

potenziale ai capi della giunzione collettore-base deve essere:

vCB ≥ -0.4 V

Un BJT npn con la giunzione emettitore-base polarizzata direttamente entra

in regione di staurazione quando:

vCB ≤ -0.4 V

In un BJT che opera in rgeione di saturazione la corrente di collettore i :

C

Il suo valore dipende fortemente dalla tensione v tra collettore e base

CB

In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è

possibile raggiungere il breakdown della giunzione CBJ del transistor

quando: vCB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 50 V

In un BJT npn polarizzato in modo tale da funzionare in regione attiva è

possibile raggiungere il breakdown della giuznione EBJ transistor quando:

vEB aumenta eccessivamente sino ad un valore intorno ai 8 V

Un transistor , di tipo npn o pnp,opera in regione attiva quando:

La giunzione emettitore-base è polarizzata direttamente e quella collettore-base inversamente

Affinché un transistor pnp reale operi in regione attiva:

La tensione tra emettitore e base vEB deve essere maggiore di 0.7 V e quella tra collettore e base vCB deve essere

minore di 0.4 V

In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore varia

esponenzialmente rispetto:

Alla tensione tra base ed emettitore

In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla

corrente che scorre sulla base tramite:

Il parametro β

In un transsitor BJT la corrente che scorre sul collettore è legata alla

corrente che scorre sull'emettitore tramite:

Il parametro α

In un'analisi di primo livello di circuiti in DC caricati con BJT generalmente,

nel caso in cui il transistor operi in regione attiva, la tensione tra base ed

emettitore |V | si considera pari a:

BE

0,7v

In un'analisi di primo livello di circuiti in DC caricati con BJT

generalmente, nel caso in cui il transistor operi in regione di saturazione, la

tensione di saturazione tra collettore ed emettitore |VCESat| si considera pari

a:

0,2v

Nel circuito in figura il BJT, assumendo β = 100, la tensione vc sul collettore

è allora all'incirca pari a:

5,3v

Nel circuito in figura il BJT è:

In regime di saturazione

Nel circuito in figura, la corrente Ic sul collettore è pari a

0,1ma

Si consideri il circuito in figura. Il parametro β è pari a:

1,5

Nel circuito in figura il BJT è:

in regione attiva

Nel circuito in figura la tensione sul collettore del BJT è pari

10v

Si consideri il circuito in figura. Se VB è pari a +1.0 V, VE è allora uguale a:

1,7v

Si consideri il circuito in figura. Se VB è pari a +1.0 V, VC è allora uguale a:

-1,7v

Si consideri il circuito in figura. Se β = 100, la tensione Vc sul collettore è

allora pari a:

1,4v

Si consideri il circuito in figura. Se β = 150, la tensione Vc sul collettore è

allora pari a:

0,2v

Nel circuito in figura il BJT è:

in regione di saturazione

Si consideri il circuito in figura. Se VB è pari a +1.0 V, VE è allora uguale a:

1,7v

Si consideri il circuito in figura. Se VB è pari a +1.0 V, VC è allora uguale a:

-1,7v

Si consideri i circuiti in figura. Applicando il teorema di Thévenin al circuito

(a) e trasformandolo nel circuito (b), V e R sono allora pari a:

BB BB

VBB = 5 V e RBB = 33.3 kΩ

Si consideri i circuiti in figura. Se il transistor Q1 opera in regione attiva e la

corrente IC1 è pari a 1.28 mA, allora la corrente IE2 che scorre

sull'emettitore del transistor Q2 è pari a:

2,85ma

Nel circuito in figura il BJT Q2 è:

Spento

Si consideri il circuito in figura. Se vi è una tensione costante e pari a 5+ V:

Q1 è acceso e Q2 è spento

Si consideri il circuito in figura. Se vi è una tensione costante e pari a 5+ V e

il transistor Q2 è spento, allora Q1 è:

In regione attiva

Il MOSFET è un dispositivo:

A tre terminali in cui il flusso di corrente tra due terminali può essere controlato da un terzo terminale

Il MOSFET oggigiorno è maggiormente utilizzato rispetto al BJT poiché:

Ha un processo di fabricazione più semplice

Il primo MOSFET fu relaizzato presso i Laboratori Bell:

Intorno al 1960

Il MOSFET è realizzato:

A partire da un singolo cristallo di semiconduttore drogato di tipo p/n in cui sono presenti due regioni fortemente

drogate in maniera opposta

In un NMOS:

La base è drogata di tipo p mentre la regione di source e drain sono drogate di tipo n

In un MOSFET il gate è separato dalla base:

Tramite un sottile strato di ossido

In un MOSFET con il gate posto a massa:

Sono presenti due giunzioni pn contrapposte che non consentono il passaggio di corrente

In un NMOS affinché possa scorrere corrente tra source e drain è necessario

che:

Si applicata una tensione postiva sul gate

In un NMOS, applicando una tensione positiva sul gate:

Si crea un canale di conduzione e inizia a scorrere una corrente tra source e drain

In un MOSFET la tensione di soglia Vt che consente la creazione del canale

di conduzione è generalmente pari a:

0.3-1 V

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate maggiore di Vt e una

differenza di potenziale positiva piccola tra drain e source:

Inizia a fluire una corrente dal drain verso il source

In un MOSFET in cui è presente di una tensione sul gate maggiore di Vt e

una differenza di potenziale vDS positiva tra drain e source, il canale di

conduzione del MOSFET inizia a restringersi in prossimità del drain quando:

VDS > 50 mV

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate maggiore di Vt e una

differenza di potenziale positiva piccola tra drain e source, la corrente iD che

scorre nel canale:

Diminuisce all'aumentare della lunghezza del canale di conduzione

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate maggiore di Vt e una

differenza di potenziale positiva piccola tra drain e source, la corrente iD che

scorre nel canale:

Aumenta all'aumentare della tensione sul gate

In un MOSFET, in presenza di una differenza di potenziale positiva piccola

tra drain e source, la resistenza rDS del canale:

È infinita quando la tensione sul gate è pari alla tensione di soglia Vt

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate maggiore di Vt e una

differenza di potenziale positiva grande tra drain e source:

Il canale di conduzione del MOSFET si rastrema vicino al drain

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate maggiore di Vt e una

differenza di potenziale negativa grande tra drain e source

Il canale di conduzione del MOSFET si rastrema vicino al source

In un MOSFET, in presenza di una tensione sul gate vGS maggiore di Vt e

una differenza di potenziale positiva vDS grande tra drain e source, il canale

di conduzione diventa di spessore nullo sul drain quando:

VDS = vGS - Vt

In un MOSFET che opera in regione di saturazione la corrente iD che vi

scorre:

Aumenta all'aumentare della tensione sul gate

In un MOSFET che opera in condizioni di pinch-off:

La corrente che scorre è indipendente dalla tensione tra source e drain

Nel caso in cui un NMOS voglia essere utilizzato come amplificatore di

segnale:

Il transistor deve operare in regione di saturazione e avere vDS > vGS - Vt

Quando un MOSFET opera in regione di saturazione si comporta:

Come una sorgente di corrente controllata in tensione

La rappresentazione circuitale equivalente di un MOSFET che opera in

regione di saturazione prevede che la resistenza di ingresso (i.e., tra gate e

source) sia:

Infinita

In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), il

canale di conduzione:

Si accorcia

In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la

corrente che scorre sul drain iD:

Aumenta

In un NMOS, quando vDS aumenta e diventa maggiore di (vGS - Vt), la

resistenza di uscita vista dal drain del MOSFET r0:

È inversamente proporzionale alla corrente ID che scorre nel transistor senza tener conto della modulazione della

lunghezza del canale

In un MOSFET, la tensione di Early VA è pari circa a:

50 μV

5 -

In un MOSFET, quando il terminale di body è connesso al terminale di

source:

La tensione sul substrato non altera le caratteristiche del transistor

In un MOSFET, quando la giunzione pn tra il body e il source è polarizzata

inversamente:

La tensione sul substrato può alterare le caratteristiche del transistor

In un MOSFET, incrementando la differenza di potenziale tra source e body

si assiste: A un incremento della |Vt|

Un PMOS possiede un substarto (body):

Drogato di tipo n

In un PMOS, percreare un canale di conduzione tra drain e source è

necessario:

Applicare una tensione negativa sul gate

In un PMOS, una volta create le condizioni per la creazione di un canale di

conduzione tra source e drain, affinché scorra una corrente iD nel transistor

è necessario: Applicare una tensione negativa sul drain rispetto al source

A parità di caratteristiche fisiche (i.e., dimensioni, materiali, etc.) un PMOS è

generalmente meno performante di un NMOS perché:

La mobilità delle lacune è più bassa di quella degli elettroni

La tecnologia CMOS prevede:

Che su di uno stesso substrato dielettrico vengano creati NMOS e PMOS assieme

In un CMOS:

Transistor di polarità opposta possiedono un substrato con polarità opposta

Si considerino l'NMOS e il PMOS nella colonna di sinistra in Figura (a)-(b),

rispettivamente. Affinché l'NMOS e il PMOS possano essere modellizzati

come nei circuiti equivalenti della colonna di sinistra, è necessario che:

Una tensione positiva elevata sia applicata ad entrambi i gate dei transistor

Il simbolo in Figura rappresenta:

Un PMOS

Nel simbolo in Figura, il terminale di body:

È allo stesso potenziale del terminale di source

Il simbolo circuitale di un NMOS, prevede che:

Il verso della freccia sul source sia sempre uscente

Un NMOS opera in regione di cutoff quando:

La tensione sul gate vGS

Un NMOS opera in regione di triodo quando:

La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS

Un NMOS opera in regione di saturazione quando:

La tensione sul gate vGS > |Vt| (tensione di soglia) e la tensione sul drain vDS > (vGS - Vt)

In un NMOS, quando la differenza di potenziale tra gate e source vGS e la

differenza di potenziale tra gate e drain vGD sono > |Vt|, il transistor