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Relazione diodo MIT ilab

Appunti con relazione sulla caratterizzazione di un diodo a giunzione pn per l'esame di Elettronica 1 della professoressa Merlo sui seguenti argomenti:
-Origine dati: MIT ilab.
-Grafici: Matlab.
-Stesura: LaTex.
-Precisa, chiara, ottima fonte d'ispirazione.

Esame di Elettronica 1 docente Prof. S. Merlo

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Caratterizzazione di un diodo a giunzione pn

DLF

5 maggio 2014

1 Des rizione dell'esperimento.

L'attività svolta onsiste nella misurazione della relazione tensione- orrente ai api di un diodo a giunzione

pn di tipo . L'esperimento viene ondotto sulla piattaforma virtuale , messa a disposizione dal

1N914 MIT ilab

Massa husset Institute of Te hnology di Boston, USA. Tramite un'applet Java è possibile ontrollare a distanza

un Lo strumento permette di imporre una tensione ai api del

Semi ondutor Parameter Analyzer HP41155B.

diodo e di misurare la orrente he uis e nel dispositivo, o vi eversa. I dati ottenuti vengono esportati per le

su essive elaborazioni.

2 Curva tensione- orrente.

2.1 Misurazioni.

Nella prima fase dell'esperimento si ollega a massa l'anodo del diodo e si ssa il po-

tenziale sul atodo. Dal momento he la strumentazione non onsente di imporre

v

c

tensioni negative, tale a orgimento è indispensabile per studiare il funzionamento del

dispositivo in polarizzazione inversa. Su essivamente si ollega a massa il atodo e si

ssa il potenziale sull'anodo. Si rileva quindi la risposta del diodo alla polarizzazione

v

a

diretta. L'intero esperimento avviene alla temperatura .

= 295.5

T K

2.2 Gra i in s ala lineare. Figura 2.1: Cir uito

Le due serie di misurazioni des rivono il omportamento del dispositivo per tensioni per le misure.

. I dati vengono rielaborati e inseriti in due gra i (Figura 2.2).

[−3 ; 0.8 ]

v V V

∈ La onvenzione adottata è mostrata in Figura 2.1: il polo positivo della tensione v

è posizionato sull'anodo, quello negativo sul atodo; la orrente è onsiderata positiva

i

se uis e da anodo a atodo, negativa se attraversa il dispositivo in senso ontrario.

−9

x 10

0 0.025

−1 0.02

−2 0.015

−3

[A] [A] 0.01

i

i −4 0.005

−5 0

−6

−7 −0.005

−3 −2.5 −2 −1.5 −1 −0.5 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

v [V] v [V]

Figura 2.2: Gra i Tensione-Corrente in Lineare. e

Il primo tra iato evidenzia la presenza di una orrente inversa he assume valori ompresi tra 0.152 nA

e he aumenta proporzionalmente al valore assoluto della tensione imposta.

6.058 nA

Il se ondo gra o mostra un andamento esponenziale della orrente diretta: tensioni minori di 0.5 V

provo ano orrenti tras urabili; oltre questa soglia si rileva un brus o aumento.

Entrambi gli andamenti sono ompatibili on le aratteristi he di un diodo reale.

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DLF

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DETTAGLI
Esame: Elettronica 1
Corso di laurea: Corso di laurea in ingegneria elettronica e delle telecomunicazioni
SSD:
Università: Pavia - Unipv
A.A.: 2014-2015

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher DLF di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica 1 e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Pavia - Unipv o del prof Merlo Sabina.

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