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E2.1 – Porta logica con NMOS e carico resistivo

  • a) Calcolare Vout quando Vin = 0V.
  • b) Calcolare Vout quando Vin = VDD.

DATI:

  • kn = ½ μnCox W/L = 5 mA/V2
  • Vtn = 1V
  • VDD = 3.3V
  • R1 = 1kΩ

E2.2 – Porta logica con PMOS e carico resistivo

  • a) Assumento Vin con livelli logici 0V e 3.3V calcolare i livelli logici alto e basso di Vout.
  • b) Nel caso in cui Vin vari istantaneamente da 0V a 3.3V, calcolare il tempo di propagazione della porta logica.
  • c) Calcolare la potenza statica dissipata dal circuito per Vin = 0V e Vin = VDD.

DATI:

  • kp = ½ μpC'ox W/L = 2 mA/V2
  • |Vtp| = 1V
  • VDD = 3.3V
  • R1 = 1kΩ
  • CL = 1pF

NMOS a carico resistivo

VDD = 3,3 V RL = 1 kΩ Vin = 1 V kn = 1/2 μnCox' W/L = 5 mA/V2

  1. Calcolare Vout quando Vin = 0 V.

Soluzione: quando Vin = 0 V, il transistor M1 è interdeto (VGS < VT), per cui M1 è assimilabile ad un interruttore aperto.

Pertanto su RL non scorre corrente. Dalla LKT alla maglia 1 si ha:

VDD - V(RL) - Vout = 0 => Vout = VDD - V(RL)

Ma essendo V(RL) = 0 perché I = 0, ne segue Vout = VDD = 3,3 V

PUNTO A

Nel momento in cui Vin è fisso (a 0V oppure a 3,3V) le capacità non interviene, in quanto

IL = (CL · dVL(t))/dt

e se Vin(t) non varia, VL(t) è costante, dVL(t)/dt = 0

per cui IL = 0 ovvero CL è un circuito aperto.

Detto questo, se Vout = 0V, il MOS Mi è al massimo della sua conduzione C è il duale rispetto all' nmos e accade la stessa situazione vista all'esercizio 1. Pertanto la soluzione consiste ancora nell' eguagliare la corrente di drain di Mi con la corrente che scorre nel resistore

ID = IS

IDD = kp (Vin - VTP)

VDD - Vout

mantra

IL = CL · d( VL(t) )

dt

VL(t) = Vout(t) (⇒) IL(t) = CL · dVout(t)

dt

Equazioni auto:

CL d(Vout(t) ) = kp (Vin - VTP )

dt

dt = CL · dVout(t)

kp (Vin - VTP)

VDD - Vin

VOH + VOL - molto dell'accensione

bPHL = VTL+VA

2

logica

0∫ dt = ∫ CL [Vout(t)]

VOLkp (Vin - VTP)

2

tPHL = CL

kp (Vin - VTP)

VDD - Vin

= CL · VOH - VOL

kp (Vin - VTP)

VDD - Vin 2

è anche detto

invertitore

pseudo - NMOS

In questa figura

ho indicato per bene

tutte le tensioni.

dispositivo di carico

montato a bypas

porta la G e a massa.

Ricorda che per convenzione,

nell'NMOS VGS e VDS sono

positive, mentre nel PMOS sono

negative, quindi si considerano

le VSF e le VSD dei inverti sono

positive.

Nota che,

siccome V(Csp) = 0V allora la tensione

di controllo Vscp risulta sempre pari al massimo

possibile, ovvero VDD.

In questo circuito:

  • VGSN = Vin
  • VDSN = Vout
  • VSCP = VDD
  • VSDP = VDD - VO

(e)

La potenza dissipata dinamica si ha quando il segnale di ingresso varia con frequenza non nulla, come in questo caso:

f = 1/T = 1/1 μs = 1 kHz

e vale

PD|din = f · CL · V2DD = 250 μW

Il tempo che ho bisogno di calcolare è il TPLH, ovvero l’intervallo di tempo necessario affinchè Vout passi da VDD a VDD/2, durante la fase di carica di CL.

Notiamo che, quando CL è carico a VDD, il punto di funzionamento dinamico del PM passa da A ad A’ e pei occorre da C in cui si scoccia a 0V il ritardo del TPLH è relativa l'intervallo di tempo da B a B. Se facciamo l’ipotesi di corrente costante

ID, SAT = Kn (Vin − Vtn)2 = 8 mA

qui Mn è in

lineare per cui

KN (VDD - Vtn) Vout - Vout2 = CdVout / dt

plicando il metodo di separazione delle

variabili

dt = - C / KN 2 (VDD - Vtn) Vout Votq2

tPHLt0 dt = - C / KN

tPHL - ts = C / KN 1 / 2 (VDD - Vtn)

Dettagli
Publisher
A.A. 2019-2020
33 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher ProfElettr di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Fondamenti di elettronica e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Politecnico di Milano o del prof Fiorini Carol.