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E2.1 – Porta logica con NMOS e carico resistivo
- a) Calcolare Vout quando Vin = 0V.
- b) Calcolare Vout quando Vin = VDD.
DATI:
- kn = ½ μnCox W/L = 5 mA/V2
- Vtn = 1V
- VDD = 3.3V
- R1 = 1kΩ
E2.2 – Porta logica con PMOS e carico resistivo
- a) Assumento Vin con livelli logici 0V e 3.3V calcolare i livelli logici alto e basso di Vout.
- b) Nel caso in cui Vin vari istantaneamente da 0V a 3.3V, calcolare il tempo di propagazione della porta logica.
- c) Calcolare la potenza statica dissipata dal circuito per Vin = 0V e Vin = VDD.
DATI:
- kp = ½ μpC'ox W/L = 2 mA/V2
- |Vtp| = 1V
- VDD = 3.3V
- R1 = 1kΩ
- CL = 1pF
NMOS a carico resistivo
VDD = 3,3 V RL = 1 kΩ Vin = 1 V kn = 1/2 μnCox' W/L = 5 mA/V2
- Calcolare Vout quando Vin = 0 V.
Soluzione: quando Vin = 0 V, il transistor M1 è interdeto (VGS < VT), per cui M1 è assimilabile ad un interruttore aperto.
Pertanto su RL non scorre corrente. Dalla LKT alla maglia 1 si ha:
VDD - V(RL) - Vout = 0 => Vout = VDD - V(RL)
Ma essendo V(RL) = 0 perché I = 0, ne segue Vout = VDD = 3,3 V
PUNTO A
Nel momento in cui Vin è fisso (a 0V oppure a 3,3V) le capacità non interviene, in quanto
IL = (CL · dVL(t))/dt
e se Vin(t) non varia, VL(t) è costante, dVL(t)/dt = 0
per cui IL = 0 ovvero CL è un circuito aperto.
Detto questo, se Vout = 0V, il MOS Mi è al massimo della sua conduzione C è il duale rispetto all' nmos e accade la stessa situazione vista all'esercizio 1. Pertanto la soluzione consiste ancora nell' eguagliare la corrente di drain di Mi con la corrente che scorre nel resistore
ID = IS
IDD = kp (Vin - VTP)
VDD - Vout
mantra
IL = CL · d( VL(t) )
dt
VL(t) = Vout(t) (⇒) IL(t) = CL · dVout(t)
dt
Equazioni auto:
CL d(Vout(t) ) = kp (Vin - VTP )
dt
dt = CL · dVout(t)
kp (Vin - VTP)
VDD - Vin
∫VOH + VOL - molto dell'accensione
bPHL = VTL+VA
2
logica
0∫ dt = ∫ CL [Vout(t)]
VOLkp (Vin - VTP)
2
tPHL = CL
kp (Vin - VTP)
VDD - Vin
= CL · VOH - VOL
kp (Vin - VTP)
VDD - Vin 2
è anche detto
invertitore
pseudo - NMOS
In questa figura
ho indicato per bene
tutte le tensioni.
dispositivo di carico
montato a bypas
porta la G e a massa.
Ricorda che per convenzione,
nell'NMOS VGS e VDS sono
positive, mentre nel PMOS sono
negative, quindi si considerano
le VSF e le VSD dei inverti sono
positive.
Nota che,
siccome V(Csp) = 0V allora la tensione
di controllo Vscp risulta sempre pari al massimo
possibile, ovvero VDD.
In questo circuito:
- VGSN = Vin
- VDSN = Vout
- VSCP = VDD
- VSDP = VDD - VO
(e)
La potenza dissipata dinamica si ha quando il segnale di ingresso varia con frequenza non nulla, come in questo caso:
f = 1/T = 1/1 μs = 1 kHz
e vale
PD|din = f · CL · V2DD = 250 μW
Il tempo che ho bisogno di calcolare è il TPLH, ovvero l’intervallo di tempo necessario affinchè Vout passi da VDD a VDD/2, durante la fase di carica di CL.
Notiamo che, quando CL è carico a VDD, il punto di funzionamento dinamico del PM passa da A ad A’ e pei occorre da C in cui si scoccia a 0V il ritardo del TPLH è relativa l'intervallo di tempo da B a B. Se facciamo l’ipotesi di corrente costante
ID, SAT = Kn (Vin − Vtn)2 = 8 mA
qui Mn è in
lineare per cui
KN (VDD - Vtn) Vout - Vout2 = CdVout / dt
plicando il metodo di separazione delle
variabili
dt = - C / KN 2 (VDD - Vtn) Vout Votq2
tPHL ∫t0 dt = - C / KN ∫
tPHL - ts = C / KN 1 / 2 (VDD - Vtn)