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ESERCIZIO BUFFER CMOS

14/11/2017:

Sin = ln { [(VDD - Vtn) / VDD] + 1 + [2 Vtn / (VDD - Vtn)] } = 1,17773

Sfn = {ln [2 (VDD - Vtn) / 0,1 VDD - 1]} = 2,83321

Cox = εOX / tox = 2,1582 fF/μm2

ROUT = trf / CL • Sfn - 1 / Ln2 • Kpn • VOUT (VDD - Vtn) = 0,117652 kΩ

Zn2 = 15,7401

  • Ln2 = Lmin = 1,4 μm
  • Wn2 = Lmin • Zn2 = 17,3141
  • Lpz = Lmin = 1,4 μm
  • Wpz = Wn2 • Kpn / Kpp = 34,6282 μm

A3n2 = Xmin • Wn2 = 29,434 μm2

P3n2 = 2 • (Xmin + Wn2) = 38,028 μm

A3P2 = Xmin • Wpz = 58,868 μm2

P3p2 = 2 • (Xmin + Wpz) = 72,656 μm

CDBn2 = CJB • A3n + CJSW • P3n = 49,3074 fF

CGBP2 = CJB • Asp + CJSW • Pjp = 96,5249 fF

CGn2 = Cox • Ln2 • Wn2 = 41,1033 fF

CGp2 = Cox • Lpz • Wpz = 82,2065 fF

Lmin = 2nd STADIO

c = 1 =

  • KPP / Kpn • Wpz / Lpz / Ln2 • Wn2

CGn2 = CBDn2 + CS12

CGp2 = CGBP2 + CSP2

CL = 0,6 pF

tv = tc = 200 ps

VDD = 5,0 V

Vtn = 0,5 V

Vtp = -0,5 V

εox = 3,9

ε0 = 8,854 pF/m

tox = 16 nm

Wmin = 2,5 μm

Lmin = 1,4 μm

Xmin = 1,7 μm

CJB = 9,9 fF/μm2

CJSW = 0,6 fF/μm

Kpn = 120 μA/V2

Kpp = 60 μA/V2

Ciz = Cgn2 + Cgpz = 123.310 fF

Coz = Cbbn2 + Cgn2 + Cbpz + Cgpz/2 = 207.537 fF

β = CL/Ciz = 4.86579

{

  • Lna = Lmin = 1.4μm
  • Wna = Wnz/β = 3.55383μm
  • Lpa = Lmin = 1.4μm
  • Wpa = Wpz/β = 3.71665μm

Ron4 = Rout•β = 0.57247kΩ

ΔSna = Xmin•Wna = 6.0492 μm2

PJna = 2•(Xmin + Wna) = 10.547μm

ΔSpa = Xmin•Wpa = 12.098μm2

PJpa = 2•(Xmin + Wpa) = 17.633μm

Cbbn = Csb•ΔSna + Cjsw•PJna = 11.7542 fF

Cbp1 = Csb•ΔSpa + Cjsw•PJpa = 21.4685 fF

Cox = Cox•Lna•Wna = 8.44239 fF

Cgp1 = Cox•Lpa•Wpa = 16.8948 fF

Cia = Cgn1 + Cgp1 = 25.3422 fF

Coe = Cbbn1 + Cgn1/2 + Cbp1 + Cgp1/2 = 45.8938 fF

tp1 = S•Ron4•(Coz + Ciz) = 114.080 ps

tp2 = S•Rout•(Coz + CL) = 111.895 ps

16/01/2014:

MASSIMO FAN-OUT:

Vcc = 3,3V Vih = 1,5V Icmax = 6 mA VBE̅sat = 0,7V VCE̅sat = 0,2V BF = 60

Rc = Vcc - VCE̅sat/Icmax = 0,516 KΩ

IB̅ = IC/BF = 100μA

RB̅ = Vih - VBE̅sat/IB̅ = 8,000 KΩ

F = |IOH|/Iih ≈ 34

IOH̅ = Vcc - Voh̅/Rc = 3,488 mA con Vih = Voh̅

PROVA:

Voh̅ = Vcc - VBE̅sat/FRc + RB̅ RB̅ + VBE̅sat = 1,5V ✓

14/11/2012:

  • CL = 150 pF
  • tF = 0,3 μs
  • VIH = 2,2 V
  • VCC = 5 V
  • F = Z
  • VBE sat = 0,8 V
  • VCE sat = 0,12 V
  • βF = 90

IC = (0,8 (VCC − VCE sat) CL / tF) = 1,92 mA

IB = IC / βF = 21,333 μA

RB = (VIH − VBE sat) / IB = 65,625 kΩ

IOH = F · IB = 42,666 μA

RC = (VCC − VOH) / IOH = 65,625 kΩ con VIH = VOH

PROVA:

VOH = (VCC − VBE sat) / F · RC + RB + VBE sat = 2,2 V ✓

CONTATORE BINARIO SINCRONO A TRE BIT, CHE CONTI ALL'INDIETRO (FF-JK):

SEQUENZA = 111, 110, 101, 100, 011, 010, 001, 000,...

DECODER:

  • NAND:
  • NOR:

06/07/2010

NAND3 (3 INGRESSI)

MINIMIZZARE L'AREA TOTALE :

CL = 15 fF Vdd = 3,3 V Vtn = 0,2 V Vtp = -0,7 V εox = 3,9 εo = 8,854 pF/m tox = 10 nm Wmin = 1,0 μm Lmin = 0,4 μm Xmin = 1,1 μm CDB = CSB = 0,7 fF/μm2 AS + 0,6 fF/μm PS Kpn = 180 μA/V2 Kpp = 50 μA/V2

Sn = ln [

4 (Vdd-Vtn )b>

Vdd

] -1 ] + 2Vtn } = 1,305

C = 1/3 · Kpp/Kpn X

X = 1/3 · Kpn/Kpp = 1,2 > 1

{

Ln = √X Lmin = 0,438 μm Wn = Wmin = 1,000 μm

{

Lp = Lmin = 0,400 μm Wp = √X Wmin = 1,095 μm

Asn = Xmin Wn = 1,100 μm2

Psn = 2·(Xmin + Wn) = 4,200 μm

Asp = Xmin·Wp = 1,205 μm2

Psp = 2 (Xmin + Wp) = 4,39 μm2

Cox = εo·εox/tox = 3,45306 fF/μm2

17/01/2013:

NOR3 (3 INGRESSI)

MINIMIZZARE L'AREA TOTALE

CL = 28 fF

VDD = 3,3 V

Vtn = 0,6 V

Vtp = 0,6 V

Eox = 3,9

ε₀ = 8,854 pF/m

tox = 1,6 nm

Wmin = 1,0 μm

Lmin = 0,5 μm

Xmin = 1,2 μm

Csb = 0,8 fF/μm2

Csw = 0,6 fF/μm

Kpn = 140 μA/V2

Kpp = 80 μA/V2

Sn:

  • ln [4(VDD-Vtn)/VDD - 1] + 2Vtn/(VDD-Vtn) = 1,265

C = 3 = Kpp/Kpn X

X = 3 Kpn/Kpp = 5,25 > 1

  • Ln = √X Lmin = 1,145 μm
  • Wn = Wmin = 1,000 μm
  • Lp = Lmin = 0,500 μm
  • Wp = √X Wmin = 2,291 μm

Asn = Xmin · Wn = 1,200 μm2

Psn = 2(Xmin + Wn) = 4,400 μm

Asp = Xmin · Wp = 2,749 μm2

Psp = 2(Xmin + Wp) = 6,982 μm

Cox = ε₀Eox/tox = 2,158 fF/μm2

Dettagli
Publisher
A.A. 2018-2019
34 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher s.brescini97 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica Digitale e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università Politecnica delle Marche - Ancona o del prof Biagetti Giorgio.