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Domande di Elettronica Digitale – Prof. Daliento (agg. Maggio 2006)
1. Si descriva il funzionamento dei circuiti di refresh e dei circuiti di lettura per una
memoria DRAM
2. Si descriva il funzionamento e l’architettura di una memoria EEPROM
3. Si determini l’espressione del prodotto ritardo-potenza per un invertitore NMOS ED
4. Si confrontino, in termini di area occupata, le implementazioni NMOS delle porte
elementari NAND e NOR
5. Si descriva il funzionamento e l’implementazione NMOS di un circuito demultiplexer
6. Si determini l’espressione della Vih per un invertitore NMOS EE
7. Si illustri la funzione dei diversi stadi di invertitore TTL
8. Si illustri il funzionamento e le possibili applicazioni dei FF di tipo T
9. Si descriva il funzionamento di una cella di memoria DRAM 1 transistor
10. Si descriva il funzionamento dei circuiti decodificatori
11. Si determini l’espressione del margine di rumore per ingresso basso di un invertitore
CMOS
12. Si confrontino in termini di area occupata le implementazioni NMOS delle porte NAND
e NOR
13. Si descriva il funzionamento di un circuito PLA con N=3 P=4 M=3
14. Si determini l’espressione del prodotto ritardo potenza per un invertitore NMOS ED
15. Si descriva il funzionamento e l’architettura NMOS di una memoria PROM
16. Si determini l’espressione del margine di rumore per ingresso alto di un invertitore
NMOS ED
17. Si descriva il funzionamento e l’architettura di una memoria EEPROM
18. Si descriva il funzionamento di una cella di memoria DRAM
19. Si determini l’espressione del tempo di propagazione di un invertitore NMOS EE
20. Si descriva il funzionamento e l’implementazione di un FF Master Slave
21. Descrivere il funzionamento e l'
implementazione di una memoria EEPROM.
22. Illustrare l'
architettura di una memoria FLASH confrontandola con quella EEPROM.
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