Elettronica

ELETTRONICA

6CFU

2021/2022

12/12/2022

L'INIZIO DELL'ERA MODERNA (ELETTRONICA)

• Seconda metà '800: teorie sul transisto finfet - IBM
• Nasce ai sensori
• 1926: Hull inventa il 1^o numero di elettronica

STORIA dell'ELETTRONICA

• 1904 Fleming, brevetta la radio
• 1906 Legge di Edison e tubo con controllo aumento
• 1906 De Forest, rinvia 3 tubi
• 1915 struttura di transistore americano, effettuato da comp.
• 1952 Considerato l'inventore transistor, prima Unit di Cinvention nel BDT
• 1959 Sviluppo di circuito integrato da Killio, della Texas, basament sulla MESA di alcuni AL
• 1959 Controlli segmenteria
• 1968 Primo processore operazionale integrato (Alta-Folla) della Fairchild semiconductor
• 1989 Presenti IC chips, la moneta a 1 nemett

Principi fondamentali:

- 1958 il primo transistor

- 1958 il circuito integrato

La tecnologia di circuiti integrati ha reso possibile la miniaturizzazione dei circuiti elettronici, permettendo moduli con migliori prestazioni, maggior affidabilità e minori costi di produzione.

EVOLUZIONE DEI SISTEMI ELETTRONICI

• Thin e chip = transistori disposti in circuiti integrati da IBM denominati Ipercoppa
• in package di una linea (SS1 e M512) = circuiti integrati a parete obbligo avanti (SSI)

LUCI DI MARZO

• 2000
• 450 k ogni 4 anni
• 65.0 nm
• Minimia di. 70[0] com. 15.0 mm
• 0.13 μm
• Doem/C 1.8_x ogni 5 anni
• 0.25 μm
• da fins 1.5_x ogni 3 anni
• 0.18 μm
• Ed lottis 320& ogni 1.7 anni
• 0.10 μm
• 0.11 μm

1970 1^a memoria da 64_K

1975 > 2^a memoria da 1_Gb

LIVELLI DI INTEGRAZIONE

• Complessità dei circuiti 1950
• opm 1960 = 4 * 10²
• SS1 - Orme sociale di integrazione 1960 = 10²-10³
• MS - Medio scale di integrazione 1965
• 10³ - 10⁴
• LS Large scale di integrazione 1975
• 10⁴ - 10⁵
• VLSI - altissima scale dei circuiti integrazione 1980

Conversione Analogica Digitale

• Errori di approssimazione.
• Campionamento a un periodo completo.
• Errori con rappresentazione digitale.

Formula dell'ampiezza minima:

Eq = valore quantizzato * (1 / 2^n) * 100

15 ppm

• K1bit = 1/2 = 50%
• K2bit = 2/4 = 25%
• K3bit = 3/8 = 12.5%
• K4bit = 4/16 = 6.25%

Theorema di teoria dei circuiti:

• Rete lineare.
• Reti in cui i componenti elettrici presentano rapporti lineari.

Legge di Ohm

VAB = VA - VB = RI

VNM = Vn0 - Vnc

DIAGRAMMA DI BODE

CIRCUITO RC PASSA-BASSO

T(s) = _Vout / _Vin =

φ = ^π/₂

RISPOSTA IN FREQUENZA DI UNA RETE SIMILE PASSA BANDA: DIAGRAMMA DI BODE

20 log₁₀ |T(jω)|

CONTROREAZIONE

ANNULLAREFEEDBACK NETWORK

Rete di controreazione

Amplificatore a transistore con uscita a emettitore C-S

Amplificatore pilota

Funzionamento non equilibrium

punto parametrico non equilibrio stabile

AMPLICATORI OPEREZIONALI

SIMBOLO COMPORTATE COL AMPLIFICARE OPERAZIONALI

Rettei comunicano all’ingresso

corrente va acquista resistenza nulla

A→∞

E.MF diventare metto estramente

corrente→0

VD

V0=Vd=VCM

del operando

transistore checomposta stadio equivalente quale unica

Vbe=Vb+Vas comparatore

V_o(oo) = V_o(-oo) R₂ = 6 - 0 6R₁ R₁

Rette da congiungere con transientedV_o

T con cicloide

T_ciclo = Pop 5 calcolato con un periodo T = 4 in un secondoda corrente T_o oscillatore precedente, indipendente

Pensiamo un periodo T = T₂ (T_o) / primofino il circuito80ms su R₀ - 10 di T su R₃ = 20ms T₁ (T₂)

L₃(T_s)

Analisi oscillare 20ms _ciclo I_n(T_o) = oo

T

Sommario che elettria

30/03/2022APPLICAZIONI NON LINEARI

MULTIVIBRATORI: Questi termini servono per spiegare i metodi per far rimanere in sospesoMutual Disturbance: involti su sequenza in Andmask

O SI PUO’ avere unimit parlare G su questo substrato di corrente tramite disponibilità

Non stabile: Dopo le emersioni feedback in condizioneinitaliare di impulso o la non tralare con slittamento

COMPLICAZIONE POSITIVA: MULTIPLICATORI E GENERATORI DI FUNZIONE

Disponibilità non lineare, spessori, giada coibrae posizionialtra probabilità ferone deaborsa normo centra con simps o uniono tuo scelta dell'esempio dell'esterno: quando e lo sost LG di un esempio il

impieghi i mici

Metodi e

Misura del compito nella fine.

RINVIA GALDovrebbe protezione di incompatibilità

APPLICAZIONE DI UN AO: CASO INIETTATO TRIGGER O SCHMITT O MULTIVIBRATORE DISTABILE

06/06/2022

DIODI

Materiali per l'elettronica

• Poliscrittallino
• Amorfo
• Mono
• Mono
• P ₇₅
• P ₇₀
• Policristallino

Pare con scarica in tensione

Germanio - ricevente - oscilloscopio

I materiali impiegati sono: slivers

Elementi semilavorati tra avvenuti

Germanio (掳F)

Arsenico e silicio (溸掳45)

STRATI SOTTILI negli schermi

SILICIO

Flirti di particelle per reazioni N.pattern

8 con unto nelle colonie di silicum

Emergia distribuito con funzione giorni E. etc

Certo

Turbo nucleare leccero scheggia

Stame a termico alquanti teiche

Trasparenti con anioni formati anche

E n. superficie ed i percorsa compatto

relativa x pi resistente

Pext-gemmi

Second stame fuori dalla doppiate etc.

N-transist. prescient atomi o scatola n-ter

SI = idrogeno

FIG. 10

A khoffmann mantelli

Dato cambia in connessione che indem

punti leggami al innervio

Res grande e chtonio

Esterno e pensa lentamente

Transistori ad Effetto di Campo Metallo-Ossido-Semiconduttore (MOSFET)

Struttura Metal Oxide Semiconductor (MOS)

L’ossido separa i due conduttori affacciati componenti il condensatore a mos (di canale conducente) e il substrato (substrate o bulk). Tra le due componenti si sviluppa un campo elettrico il quale, polarizzando il substrato, induce la formazione di un canale conduttivo Extension del canale nel grafico che si forma nei modi seguenti:

• 1. Ossido
• 2. Seminconduttore

Applicando un tensione positiva tra gate e substrato si sviluppa un campo elettrico E

Con V_G positivo il semiconduttore è vissuto come substrato non polarizzato (praticamente un electrodo con il gate a 0 polarizzazione). Requisiti in vertice nel Drain di V_TD e Idensità lungo il campo elettrico positivo (EED)

Requisito: una void di cui il substrato è parte, in aggiunga al sussidio di campo. È l’incluso tra Gate e Source, agenti elementi di bassi campo (cariche e capacità concentrate): ossido metallo ⁺ V_TD.