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SISTEMI ELETTRONICI
CHIMICA DEI MATERIALI
I materiali utilizzati in elettronica possono essere suddivisi in 3 gruppi: ISOLANTI, CONDUTTORI e SEMICONDUTTORI.
Il parametro in base al quale viene effettuata questa suddivisione è la RESISTIVITÀ ρ
ρ < 10-3 Ω cm CONDUTTORE [rame ≈ 3 · 10-6 Ω cm]
10-3 < ρ < 105 Ω cm SEMICONDUTTORE
ρ > 105 Ω cm ISOLANTE [quarzo = 1016 Ω cm]
RESISTENZA elettrica
La resistenza R di un elemento denota la sua proprietà di opporsi al passaggio di corrente elettrica e si misura in Ohm (Ω).
R = ρ · ℓ / S = ℓ / σ · S
ρ: resistività elettrica σ: conduttività elettrica ℓ: distanza dei punti tra i quali è misurato la tensione S: area della sezione a una corrente
CONDUTTANZA
La conduttanza è la capacità di un elemento di condurre la corrente elettrica, si misura in Siemens (S).
G = 1 / R = S / ρ · ℓ = σ · S / ℓ
CONDUTTORI
- Gli atomi si dispongono in modo da condividere più o meno tutti gli elettroni.
- Quando si induce un campo elettrico (ΔV ai capi) gli elettroni vengono accelerati e a regime vi è una corrente che determina
SEMICONDUTTORI
- ELEMENTARI: elementi del IV gruppo
- Silicio (Si)
- Germanio (Ge)
- Carbonio (C) sotto forma di grafite
- COMPOSTI:
- II gruppo
- Arsenuro di Gallio (GaAs)
- Fosfuro di Gallio
- II+VI gruppo
- II gruppo
I materiali possono essere classificati anche in base alle caratteristiche della distribuzione degli atomi:
- AMORFI: struttura disordinata
- CRISTALLI: distribuzione regolare
- POLICRISTALLI: insieme di cristalli
Per sfruttare le proprieta dei semiconduttori è tuttavia necessario utilizzare materiali in forma cristallina.
Es. Silicio (IV gruppo → 4 cristalli orbitale esterno (motomico n° atomi: 1-4)
LEGAMI COVALENTI
Rappresentazione bidimensionale del reticolo cristallino del silicio
Rappresentazione 3D del reticolo cristallino del Silicio
CORRENTE NEI SEMICONDUTTORI
1) CORRENTE DI DERIVA
Cristallo di semiconduttore sottoposto ad una ΔV
Le particelle cariche vengono messe in moto dal campo elettrico dando origine ad una corrente detta di deriva o di trascinamento.
I protoni si muovono nella stessa direzione (e verso) del campo elettrico (gli elettroni si muovono invece in verso opposto)
VELOCITÀ DI DERIVA ELETTRONI:
Jn = (un E)
mobilità cariche negative
VELOCITÀ DI DERIVA PROTONI:
Jp = (up E)
mobilità cariche positive
μn ≈ 2.5 μp → Gli elettroni si muovono più velocemente/facilmente
CORRENTE DI DERIVA NEL SEMICONDUTTORE:
I = Ip + In = A p q Vp - A n q Vn
A = area sezione cristallo
q = carica elementare
I = A q E (p μp + n μn)
(corrente
I = q (p μp + n μn) E
→ densità di corrente
σ = q (p μp + n μn)conducibilità
Nella zona di svuotamento
E(x) = 1/εs ∫-qNAqND ρ(x) dx
∫-qNAqND ρ(x) dx
condizione di neutralità
-qNA xp = qND xn
dE/dx = ρ/εs
Il campo elettrico è nullo nelle zone in cui non c’è lo svuotamento. È sempre negativo perché si oppone allo spostamento
Potenziale di Built-In Vo = (0.6-0.9)V
La barriera di potenziale impedisce che si muovano le cariche nelle
regioni di svuotamento
Se applichiamo una ΔV alla giunzione pn:
- p
- n
- E
CATODO
ANODO
POLARIZZAZIONE INVERSA
POLARIZZAZIONE DIRETTA
Modello ai piccoli segnali
Sovrappongo un segnale con modulo piccolo
Se SV è in funzione del tempo potrebbe dunque modulare il diodo nei intorno del punto di lavoro. Approssimo al primo ordine di Taylor.
Se i valori sono vicini al valore nominale si approssima con una resistenza. Come ricavo Ro?
ID = IS(eV/VT-1)
Suppongo di essere in conduzione VD≫VT
ID = ISeV/VT
L’esponenziale è ≫ 1 [eV/VT≫1]
(VD, ID) punto di lavoro ⟹ ID ≈ ISeVD/VT
Tenendo conto della perturbazione SV:
VD+SV
ID ≈ ISeVD/VT eSV/VT = IS ⟹
ID ≈ ID⃰ eSV/VT
ex ≈ 1 + x per x ≫ 0
Taylor al 1° ordine:
ID = ID (1 + SV/VT)
ID = ID + ID SV/VT
perturbato corollare punto lavoro
ID - ID⃰ = (SV/RO) ⟹ RO = VT/ID → PUNTO DI LAVORO
REGOLAZIONI CIRCUITI DEI DIODI
REGOLAZIONE DI TENSIONE
L'obiettivo è quello di avere caduta di tensione anche con un generatore non costante.
Si possono mettere diodi in serie con le fine di avere piccole variazioni di tensione ai capi a fronte di una grande variazione dell'alimentazione. Il prezzo da pagare è che si dissipa potenza nel diodo.
DIODI ZENER
Diodi fatti per lavorare in regione di breakdown in cui, come si evince dal grafico, la tensione ai capi del diodo è approssimativamente costante e indipendente della corrente.
Sono fatti per lavorare nella regione di breakdown, dove i diodi normali si brucerebbero perché non riuscirebbero a resistere al forte passaggio di corrente.
Possono dissipare potenza fino a 50 W.
- Nella zona di interdizione si usa come circuito aperto.
- Nella zona di conduzione normale, Rz è sostanzialmente molto piccola.
Nota: Ie diodi Zener si usa come regolatore di tensione ai picchi.
Circuiti Limitatori
Limitatore → circuito che limita la tensione di uscita al di sopra o al di sotto di un valore, o tra due valori.Simile a raddrizzatore ad una semionda.
D1 in conduzione se Vi ≥ L+=> Vo = L+
(prima Vc < L+ Vi = Vo)
Segnale in ingresso cresce
Diodo entra in conduzionee rimane fino a quando la tensione ai capi del condensatore non raggiunge la tensione del picco in ingresso=> Diodo in conduzione=> Tensione in uscita nullaVo = 0
Vc ≤ L+Vo = ViI = 0 => non scorre corrente sul resistore
Vi > L+
Vo = L+
non scorre corrente nel circuitonon c'è la stessa tensione ai capi in ingresso e in uscita
In base alla caratteristica ideale del diodo e prescindere da quale sia il valore della corrente che fluisce nel dispositivo, la tensione di uscita rimane costante sul valore
Elettronica Digitale e Diodi
I calcolatori lavorano con due soli valori logici (0,1). Questi due valori sono in realtà due valori elettrici, sono due diversi valori di tensione:
- 0 → 0V
- 1 → 5V
Esistono 3 operatori elementari (AND, OR, NOT) con cui si può fare qualsiasi operazione.
NOT
IO0110AND
I₁I₂O000010100111OR
I₁I₂O000011101111INVERTER
Realizzazione con Diodi
OR
Resistenza di pull-down
I₁, I₂, O
0V0V-Vk ≈ 0V0V5V5-Vk ≈ 5V5V0V5-Vk ≈ 5V5V5V5-Vk ≈ 5VOR logico: è un’idea, nella realtà non conviene usarlo perché consuma tantissimo
AND
[Formato]
I₁I₂O0V0VVk ≈ 0V0V5VVk ≈ 0V5V0VVk ≈ 0V5V5V5-Vk ≈ 5V