Logiche RTL e TTL - Parte 1

Transistor bipolare a giunzione BJTI

I transistor bipolari sono dispositivi attivi di una famiglia tecnologica che da questi prende il nome di tecnologia bipolare. I transistor bipolari sono dispositivi intrinsecamente verticali (in altre parole, le correnti controllate fluiscono in direzione perpendicolare alla superficie del wafer, al contrario dei MOS che sono dispositivi in cui le correnti fluiscono nel piano parallelamente alla superficie del wafer), e questo comporta sia problemi sia pre-in selezione sia per l'area occupata.

BJT - configurazione a emettitore comune

Il funzionamento del BJT si basa sulla polarizzazione di due giunzioni p/n. Esistono perciò 2 diodi intrinseci, il diodo B-E e il diodo B-C. Nota: il diodo p/n è polarizzato direttamente se P, in tal caso conduce corrente, mentre è polarizzato inversamente se N, in tal caso non conduce corrente. Nel primo caso, la tensione dell'anodo supera ad una certa tensione di soglia V_γ.

In particolare, esiste un flusso di corrente positiva generato (gli elettroni si spostano dall'emettitore alla base e dalla base al collettore), cioè la corrente I_E nel verso che parte dal collettore e arriva all'emettitore, quando il diodo intrinseco B-E è polarizzato direttamente quindi V_BE > 0 mentre il diodo intrinseco B-C è polarizzato inversamente cioè V_BC < 0. In realtà, in una configurazione ad emettitore comune, la tensione in uscita non è la V_BC ma la V_CE. In pratica V_BE = |V_BE| + V_EC. Se V_BE - V_CE < 0 allora V_BE < V_CE, in questo sottodominio esiste un flusso positivo di corrente.

I transistor bipolari sono dispositivi attivi di una famiglia tecnologica che da questi prende il nome di tecnologia bipolare. I transistor bipolari sono dispositivi intrinsecamente verticali (in alto parte, le correnti controllate fluiscono in direzione perpendicolare alla superficie del wafer, al contrario dei MOS che sono dispositivi in cui le correnti fluiscono nel piano, parallelamente alla superficie del wafer), questo tipo di problema ha due soluzioni: sia per l'area occupata.

BJT - configurazione a emettitore comune

Il funzionamento del BJT si basa sulla polarizzazione di due giunzioni p/n. Esistono perciò 2 diodi intrinseci, il diodo B-E e il diodo B-C. Nota: il diodo p/n è polarizzato direttamente se +—| in tal caso conduce corrente, mentre è polarizzato inversamente se in tal caso non conduce corrente. Nel primo caso la tensione dell'anodo è superiore ed una certa tensione di soglia V_γ.

In particolare, esiste un flusso di corrente positiva generato (gli elettroni si spostano dall'emettitore alla base e dalla base al collettore) cioè la corrente I_C che esce dal porta del collettore e arriva all'emettitore, quando il diodo intrinseco B-E è polarizzato direttamente, quindi V_BE.