Formulario elettronica digitale
Costruzione di funzioni logiche
A parallelo B = + = A serie B = ∙ = (: = + = ∙ = )
Alcune tipologie di funzioni implementate sono
| Funzione | Espressione |
|---|---|
| AND | = ∙ |
| OR | = + |
| NAND | = ∙ |
| NOR | = + ̅ |
| XOR | = + ̅ |
| XNOR | = + |
Funzionamento transistore N-MOS
On: > Triodo: < − ( ) = − − 2 Saturazione: > − ( )− = 2
Funzionamento transistore P-MOS
On: < Triodo: − < ≤ 0 ( ) = − − 2 Saturazione: < − ( )− = 2
Le formule valgono sia per i transistori di tipo enhancement sia per quelli depletion. Nelle formule si trascura l’effetto body, che si verifica quando la tensione fra bulk e source è diversa da 0 = + Φ + − Φ, = + −Φ + − −Φ
Invertitori CMOS
= −, = − =, =
Caratteristica statica ingresso-uscita
- N spento, P lineare (< < ) 1 1( ) ( )( ( ) = 0, = − − = − − − ) − −2 21( )( ) ( ) − − − − − =0→2 =
- N saturo, P lineare | | ≤ ≤ − ≥ + | | 1( ) ( )( ( ) = −, = − − − ) − −2 2 ( )( ( ) ( ) − − − ) − − = −
- N saturo, P saturo | | ≤ ≤ − − ≤ ≤ + | | ( ) ( ) = −, = − −2 2 ( ) ( )− − = − 2 2 La corrente non dipende da V ( ) è come una serie di generatori di corrente pilotati (da ). Si riesceDS a ottenere quindi uno specifico valore di per il quale si è in regione di saturazione per entrambi: questovalore dipende da,
- N lineare, P saturo | | ≤ ≤ − ≤ − 1 ( ) ( ) = − −, = − −2 2 ( ) ( ) − − = − −
- N lineare, P spento (> +) 1( ) = − − 2 → = 01( ) − − =0→ = =02
NOTA: il valore pessimo di VOL e VOH si trovano per il minimo valore di Seq, per poi uguagliare I(p) e I(n)
Transitori a costante scarica attraverso N-MOS
a V – V costante - GS TNSaturazione V costante (se completa, inizia a V e finisce a V – V): GS DD DD TN −2 2 = = ( − ) ( − )
Triodo V costante
(se completa, inizia a V – V e finisce a V): GS DD TN OL max2( − ) − = ( − ) 2( − ) − 2( − ) − = ( − )
Complessivo per V = V : = + GS DD 2 1 2( − )− = + ( − ) − 2
Con transitorio esaurito al 90% si ha V = V =0.1V quindi: DSfin OLmax DD2 1 2( − ) − 0,1 = + ( − ) − 2 0,1
Carica attraverso P-MOS
n a V -V costante- GS TPSaturazione V costante (se completa, inizia a -V e finisce a -V – V): GS DD DD TP −2 2 − = = (− ) (− )
Triodo V costante
(se completa, inizia a -V –V e finisce a V – V): GS DD TP OH min DD) 2( + ) − = ( + ) 2( + ) −
Complessivo per V = V : = + GS DD 2 − 1 2( + ) − ( − ) = + ( + ) + 2 ( − )
Con transitorio esaurito al 90% si ha V = V - V = 0.9V - V = 0.1V quindi: DSfin OHmin DD DD DD DD2 − 1 2( + ) − 0,1 ) = + ( + ) + 2 0,1
In generale per e valgono le seguenti semplificazioni
| |2 = 2 = e | |1 1 2(1 − ) − 0,1 () = + ln, = =1− 1− 2 0,1 In cui si hanno i seguenti valori comuni di F| |
- | | . ∧ . ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 0.8
- | | . ∧ . ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 0.748
- | | ∧ . ⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯⎯ 0.63
Transitori a NON costante scarica attraverso P-MOS
n a V e V costanti - GD TPSaturazione − > → > 2 1 1 =− − − −
Triodo − < → <
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