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LOGICA A RAPPORTO

  1. INTRODUZIONE: INVERTER CON CARICO RESISTIVO 8.1
  2. INVERTER CON CARICO N-MOS E DOPPIA ALIMENTAZIONE 8.5
  3. INVERTER CON CARICO N-MOS CONNESSO A DIODO 8.6
  4. INVERTER CON CARICO N-MOS AD SVUOTAMENTO 8.8
  5. INVERTER PSEUDO N-MOS 8.11
  6. PORTE LOGICHE 8.17
  7. PROPRIETA' DINAMICHE INVERTER CON CARICO RESISTIVO 8.23
  8. PROPRIETA' DINAMICHE INVERTER P-SEUDO N-MOS 8.27
  9. PROGETTAZIONE INVERTER CON CARICO RESISTIVO 8.9.1
  10. PROGETTAZIONE INVERTER PSEUDO N-MOS: SOGLIA LOGICA 9.4
  11. PROGETTAZIONE PORTE LOGICHE 9.14
  12. VALUTAZIONE DELLE CAPACITA' PARASSITE 10.1

Logica a Rapporto

  • Introduzione: Inverter con carico resistivo 8.1
  • Inverter con carico n-mos e doppia alimentazione 8.5
  • Inverter con carico n-mos connesso a diodo 8.6
  • Inverter con carico n-mos ad svuotamento 8.8
  • Inverter pseudo n-mos 8.11
  • Porte logiche 8.17
  • Proprietà dinamiche inverter con carico resistivo 8.22
  • Proprietà dinamiche inverter p-pseudo n-mos 8.27
  • Progettazione inverter con carico resistivo 8.9.1
  • Progettazione inverter pseudo n-mos: soglia logica 9.4
  • Progettazione porte logiche 9.14
  • Valutazione delle capacità parassite 10.1

LOGICA A RAPPORTO

LEZIONE 8 30.03.2015

La LOGICA A RAPPORTO è un particolare approccio implementativo che veniva utilizzato in passato principalmente per logiche quando ancora non si riusciva a costruire su uno stesso circuito integrato, Transistor N-MOS e P-MOS. È una logica che, implementata con logica a singoli circuiti digitali, utilizzava solo un tipo di Transistor ossia il Transistor N-MOS. L' INVERTER si realizza con un solo Transistor N-MOS con il terminale di Source S connesso a massa e quello di draio D connesso a VDD tramite un carico che nel più semplice dei casi è un resistore di resistenza R. Come mostrato in FIG.8.1,

A pIunti il circuito mostrato in FIG.8.1. Implementi di questi esempi logica dell'inverter ovvero un altro Transistor MOS porta: in REGIONE DI INTERDIZIONE o in REGIONE DI TRIODE. Nel primo caso è un interruttore aperto (circuito aperto tra draio D e source S); nel secondo caso è un interruttore chiuso (modello con un resistore di bassa resistenza tra terminale di draio D e source S:

RDS = = µnCox W/L (VDS - Vt) = VDS/IDS (8.1)

Se pensate VIN = VES = 0 V < VT allora il Transistor N-MOS M si in REGIONE DI INTERDIZIONE. Sostituendo il transistor il modello elettrico equivalente in regione di interdizione si ottiene il circuito elettrico equivalente mostrato in FIG.8.2. Visto che ID = 0 A si ha giacitura che

VOUT = VDS = VDD - RDSIDS = VDD (8.2)

Con ciò stiamo rispettando il comportamento logico dell'inverter: VOUT impostato ad un ingresso basso, VIN = 0 V corrisponde una risposta alta VOUT = VDD.

Si potrebbe adesso vedere un'ingein resista alto VIN = VOS = VDD. Poiché viene accotato la condizione VGS > VT,

8.1

Il transistor è acceso e può trovarsi o in REGIONE DI TRIODE o in REGIONE DI SATURAZIONE e avviene VDS < VDS_SAT = VGS - VT, ossia

VOUT < VDD - VT

(8.3)

Il transistor N-MOS si trova in REGIONE DI TRIODE, allora avviene ed avviene VDS > VDS_SAT - VGS VT ossia

VOUT > VDD VT

(8.4)

Il transistor N-MOS si trova in REGIONE DI SATURAZIONE Quindi diviene schematizzato dal grafico mostrato in FIG.8.3. Per giungere la approssimazione logica dell'inverter la tecnica di serie VOUT deve essere basso, ossia inferiore ad un ulteriore soglie VT -

VOUT = VOL < VT

(8.5)

Visto che in ingresso ha una tensione alta, VIN = VDD. Ovviamente le condizioni in (8.5) deve costruire il confronto logico dell'inverter, e poiché di su mettermi di ingresso dell, VIN - VDD, implica che il transistor N-MOS deve trovarsi in REGIONE DI TRIODE. Se il transistor N-MOS si trova in regione sottosiol deus al circuito elettrico mostrato in FIG.8.4 è molto equivale e quello mostrato in FIG.8.4, mentre

(8.5) RDS = 1/µnCox W/L (VDD-VT)

in accordo con la relazione in (8.1) del cambio mostrato in FIG.8.4, e sostitui ne la tensione al uscita VOUT vale

VOUT = RDS⁄RDS+R VOD

Assumento (poniamo nera prosodottes

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I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher angyc1984 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di Elettronica digitale e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Catania o del prof Palumbo Gaetano.
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