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MOSFET
prima parte
Perché si usano: perché hanno tre terminali e fissando la tensione fra due di essi si controlla la
corrente nel terzo terminale.
Cosa significa “MOSFET”:
Transistore ad effetto di campo metallo-‐ossido-‐semiconduttore.
MOSFET AD ARRICCHIMENTO A CANALE N
Il MOSFET ha quattro piedini:
il sourse (S)
• il drain (D)
• il gate (G)
• il body (B)
di solito comune al circuito
•
Si nota che il gate è isolato dal substrato e quindi
non può assorbire corrente. Ma la tensione sul
gate controlla la corrente tra drain e sourse.
v = 0 non c’è tensione sul gate e quindi il transistor è come se fossero solo due
GS giunzioni vicine ovvero due diodi contrapposti che quindi non fanno passare la
corrente ( transistor spento) n p n
le lacune libere della zona p appena sentono tensione positiva tendono ad
v > V allontanarsi spostandosi verso il fondo del substrato
GS t gli
elettroni liberi delle zone
n+ appena sentono tensione positiva tendono ad al
gate dove trovano altre cariche negative dovute allo spostamento delle lacune
tutti gli
elettroni danno vita al canale che sosterranno il passaggio della corrente
tensione di soglia, tensione oltre la quale si forma il canale
se ora si applica una tensione positiva sul drain, la corrente riesce a scorrere
v > 0 verso il sourse sostenuta dal canale degli elettroni
DS Viene chiamata tensione di overdrive la vera tensione lungo il canale,
v – V = v ovvero la tensione a cui è stata tolta quella necessaria per accendere il
GS t OV MOSFET.
Riassunti di Jessica Asietti, non fotocopiare!
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COMPORTAMENTO VARIANDO
vDS
v piccola
DS
Non influenza molto la tensione di overdrive che rimane circa costante lungo tutto il canale, per
questo la corrente che scorre non sarà influenzata da essa.
dove: dipende dalla fabbricazione del MOSFET
W/L dipende dalle dimensioni (
rapporto d’aspetto)
è chiamato
parametro di transconduttanza
2
si misura in mA/ V
la caratteristica rappresenta una retta (la cui
pendenza è una conduttanza), quindi il MOSFET si
comporta come una resistenza pilotata dalla
tensione v
GS
v cresce
DS
Quando cresce essa risulta come una caduta di
tensione lungo il canale, più forte vicino al drain
e praticamente nulla vicino al source.
Questo fa si che più v cresce, più il canale si
DS
stringe, più la resistenza lungo il canale
aumenta.
v = V + v
GS t OV
v = V + v -‐ v
GS t OV DS
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La corrente è quindi influenzata anche dalla
tensione sul drain.
v strozza il canale
DS
Quando v strozza il canale (e quindi posta la profondità dalla parte del drain a 0) il canale non
DS
può più modificarsi e la corrente rimane costante, si dice che il MOSFET è in regione di
saturazione.
NB: canale strozzano non significa canale bloccato, infatti
scorre corrente!!!
Quindi:
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CARATTERISTICHE CORRENTE-‐TENSIONE
Caratteristiche i -‐ v
D DS
Il MOSFET quindi può funzionare in tre regioni:
cut-‐off: v < V il transistor è spento e quindi non circola corrente
• GS t
triodo: v > V e
v < v il gate deve superare almeno di una soglia il drain
• GS t DS OV (così che il canale non sia strozzato)
saturazione: v > V e
v > v il drain non può scendere più di una soglia sotto il gate
• GS t DS OV (il canale deve essere strozzato così la corrente rimane
costante)
Quindi: il grafico che rappresenta le tre configurazioni del MOSFET mette in relazione i e v
D DS
Caratteristiche i -‐ v
D GS
Questo grafico rappresenta solo la zona di
saturazione del
MOSFET, ovvero quando la corrente è costante e dipende
solo dal valore di v :
GS
Si può dire che il MOSFET assomigli ad un generatore di
corrente pilotato in tensione (v ).
GS
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RESISTENZA D’USCITA ED EFFETTO EARLY
Abbiamo detto che in saturazione il canale rimane strozzato e la corrente costante, ma in realtà
non è proprio così.
Infatti più la tensione di drain aumenta,
più il punto di strozzamento si sposta
verso il source, facendo diminuire la
lunghezza del canale. Questo fenomeno è
chiamato modulazione della lunghezza
del canale.
Visto che i è proporzionale anche alla
D
lunghezza del canale, la modulazione
porta a far dipendere la corrente anche
dalla tensione sul drain.
-‐1
dove λ (che ha come unità di misura Volt ) è un parametro
che dipende dal dispositivo.
Solitamente non viene dato λ ma il suo reciproco e viene
chiamato tensione di Early
Essendo che ora la corrente dipende anche dalla tensione sul drain, il grafico delle caratteristiche
del MOSFET varierà: Si vede ora che la pendenza
della zona di saturazione non
è più nulla e quindi la
resistenza non è più infinita!
Quindi il MOSFET in realtà
risulta un generatore di
corrente reale.
MOSFET CONNESSO A DIODO
Essendo che v = v se il transistor è acceso per forza funziona in saturazione,
G D
quindi:
In questo caso il MOSFET è un
bipolo.
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MOSFET COME AMPLIFICATORE
Un MOSFET può essere usato come amplificatore in regione di saturazione ovvero quando si
comporta da generatore reale di corrente pilotato in tensione. Infatti in questa situazione può
essere visto come amplificatore di transconduttanza che come segnale d’ingresso ha una
tensione e come segnale d’uscita una corrente. Basta quindi mettere una resistenza in uscita e
prendere la tensione ai suoi capi.
v tensione d’ingresso
• GS
R resistenza di carico, converte la corrente in tensione
à
• D
V alimentatore che fornisce potenza all’amplificatore
• DD
La tensione d’uscita viene prelevata sul drain rispetto a massa:
Il grafico viene chiamato VTC -‐ Caratteristica di trasferimento in tensione e rappresenta come si
comporta la tensione d’uscita rispetto a quella d’ingresso:
il MOSFET è spento (cut-‐off), quindi non scorre corrente e per questo l’uscita
v < V
GS t corrisponde all’alimentazione
il MOSFET si accende e avendo v elevata lavorerà in saturazione fino a quando
v > V DS
GS t l’ingresso aumenta portando v v -‐ V e il transistor lavorerà in triodo
DS < GS t
Essendo che la pendenza maggiore si trova nella zona di saturazione del MOSFET e rappresenta il
guadagno, allora perché sia un buon amplificatore è necessario che esso operi in saturazione,
quindi:
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