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Alcune definizioni importanti (16/10/2019)
- condizioni di regime (steady-state)
Una forma d'onda si dice "a regime" se essa dopo un intervallo di tempo T è ripetuta:
- valore medio (average value)
Se la potenza (per esempio) istantanea è
p(t) = V(t) · i(t)
allora il suo valore medio sarà:
Pav = 1/T ∫0T p(t) dt = 1/T ∫0T V(t) · i(t) dt
se per esempio voglio calcolare la Pav dissipata da un carico resistivo:
essendo V(t) = R · i(t)
allora Pav = 1/T ∫0T V(t) · i(t) dt = 1/T ∫0T R · i2 dt =
= 1/T R ∫0T i2 dt
- root mean square value (RMS, valore efficace)
si definisce RMS medio, o valore efficace, di una grandezza f(t):
F = √1/T ∫0T f2 dt
per le reti DC il RMS coincide con il valore nella potenza imposta dai generatori:
i(t) = I0 → I = √1/T ∫0T i2 dt = √1/T ∫0T I02 dt = I0
- definiamo utili sulla potenza
- potenza apparente: S = V I
- potenza attiva: P = VI cos φ
- potenza reattiva: Q = VI sen φ = √S2 - P2
- forme di onda non sinusoidali a regime
is generata
ns sinusoidale
t
Indughiamo il contento armonico usando la serie di Fouries:
2
q.m.t. errando
is2(t) = A cos(ω1t)
ho
Is2 = 1⁄T ∫0T is22 dt = √A2⁄T ∫0T 1 + cos(Aω1t) ⁄ 2 dt =
= A2⁄T + A2⁄T [∫04ω12 sin(Aω1t)]
= A⁄√2
- total harmonic distortion (
idist(t) = is(t) - im(t)
essendo pero: IS = IS12 + ∑n≠1ISn2
notavo: Idist = √I2⁄Is - IS12, √∑n≠1ISh2
Idist⁄Is ∞ = 1⁄100
esso modo e per le forme di onde irriconoscibili
RMS Idm e associato alle distorioni e quindi voglio minim al piu piccolo possibile.
THD = Idist⁄IS
= √I2⁄Is - I12, Io = 100 √∑(fsh2)⁄d⁄(n≠1 Fsh)
esso modo e per le forme di onde irriconoscibili
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Con Vd = Vm/2 ed Id = Im/2 ; Vm = √2 Vs
la potenza è data da P = R Iod2 = R Vd2/R2 = Vm2/4R - 2 Vs2/4 R - Vs2/2 R
Il valore medio della tensione d'uscita è:
Vd = 1/2 π ∫02 π Vd d(ω,t) = 1/2 π ∫0π √2 Vs sen(ω,t) d ω,t) +
+ 1/2 π ∫π2 π 0 d(ω,t) = √2/2 π [- Cos(ω,t)]π0 = √2 Vc/π = 0,45 Vs
per la corrente si ottiene il analogo : Icd = 0,45 Is
Il valore di tensione picco picco sarà:
Vpp = Vm - Θ = √2 Vs → Vpp Vpp/Vd 10 = √2 Vs/√2 Vc 10 = 314 V.
Il valore efficace della corrente è:
Is = Icd (in quanto siamo in lato AC) = Im/2 = Vm/2 R = √2 V/2 R
la potenza apparente è: = Vt √2 Vs/2 R = Vs2/2 R 1/√2 = SN/√2
Pd = V/2 R
quindi posso calcolare il power factor PF usando la definizione.
Chiamiamole della terna supponiamo che i diodi che
conducono ed i diodi che sono interdetti dipendono
dalla forma d'onda vS:
- se vS > 0 allora D1 e D2 conducono
- se vS < 0 allora D3 e D4 conducono
Ad ogni semiperiodo della vS conducismo solo due
diodi per volta.
Sovrapponiamo di ovare ej tensamoli on un carico
resistivo.
Nella pagina seguente
sono esposti gli schemi
a regime per la
semionda positive e
negative di vS con
relativi pacani della
corrente.
Come si passa dalla condizione di regime 2) a 1)? Cosa accade durante questo transitorio? Accade che la correntenon arriva istantaneamente al valore di regime a causa della presenza di Ls.
Per wt < α conducono il diodoD3, per α < wt < u hoper l'appunto il transitorio di commutazione in cui D1, D3 conduconono entrambi, per wt > u conduceora solo D1.
Analizziamo il tutto nel dettaglio partendo da wt < α:
Siamo nella semionda negativa di Vs conduce solo D3una corrente iD3 = Idsuperato α entriamo nella semionda positiva di Vs,inizia quindi a condurre D1, in quanto è polarizzato dell'anodo, ma la corrente iD1 nonsi annulla istantaneamente D3 conducono per tutto α < wt < u:
iD1 = is durante iliD3 = Id - is transitorio
Il circuito che ritroviamo per wt > u è quello della conduzione di regime che vede D1 inconduzione e D3 polarizzato inversamente!
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Durante la semionda positiva di VS avremo due fenomeni:
VS > vd: il capacitore Cd si carica in quanto il diodo è polarizzato direttamente e quindi conduce una corrente di conduzione. La capacità in questo punto varia per ωt < θ.
VS < vd: esso svolge il diodo è polarizzato inversamente in quanto il capacitore si trova ad un potenziale maggiore rispetto VS. Esso quindi si scaricherà sulle RL in questo punto ωt = θ per ωt = θ.
vd = {i Vm sen (ωt) per VS > vd (diodo ON)Vo ewt/ωRC per VS < vd (diodo OFF)}
Nello negativo Vo = Vm sen θ
C, avendo tenuto presente la doppia della Vo per a su.
La pulsione della entrata oh antrico del capacitore è,
d/dt [Voe ewt/ωRC] - d/dt [Vm senθ e-wt/ωRC] = Vm senθ (-1/ωRC)ewt/ωRC
monto la pulsione della entrata di conto del capacitore è:
d/dt [Vm sen (ωt)] = Vm cos (ωt)
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