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Alcune definizioni importanti (16/10/2019)

  • condizioni di regime (steady-state)

Una forma d'onda si dice "a regime" se essa dopo un intervallo di tempo T è ripetuta:

  • valore medio (average value)

Se la potenza (per esempio) istantanea è

p(t) = V(t) · i(t)

allora il suo valore medio sarà:

Pav = 1/T ∫0T p(t) dt = 1/T ∫0T V(t) · i(t) dt

se per esempio voglio calcolare la Pav dissipata da un carico resistivo:

essendo V(t) = R · i(t)

allora Pav = 1/T ∫0T V(t) · i(t) dt = 1/T ∫0T R · i2 dt =

= 1/T R ∫0T i2 dt

  • root mean square value (RMS, valore efficace)

si definisce RMS medio, o valore efficace, di una grandezza f(t):

F = √1/T ∫0T f2 dt

per le reti DC il RMS coincide con il valore nella potenza imposta dai generatori:

i(t) = I0 → I = √1/T ∫0T i2 dt = √1/T ∫0T I02 dt = I0

  • definiamo utili sulla potenza
  • potenza apparente: S = V I
  • potenza attiva: P = VI cos φ
  • potenza reattiva: Q = VI sen φ = √S2 - P2
  • forme di onda non sinusoidali a regime

is generata

ns sinusoidale

t

Indughiamo il contento armonico usando la serie di Fouries:

2

q.m.t. errando

is2(t) = A cos(ω1t)

ho

Is2 = 1T0T is22 dt = √A2T0T 1 + cos(Aω1t) ⁄ 2 dt =

= A2⁄T + A2⁄T [∫012 sin(Aω1t)]

= A⁄√2

  • total harmonic distortion (

idist(t) = is(t) - im(t)

essendo pero: IS = IS12 + ∑n≠1ISn2

notavo: Idist = √I2Is - IS12, √n≠1ISh2

IdistIs ∞ = 1⁄100

esso modo e per le forme di onde irriconoscibili

RMS Idm e associato alle distorioni e quindi voglio minim al piu piccolo possibile.

THD = Idist⁄IS

= √I2Is - I12, Io = 100 √∑(fsh2)d(n≠1 Fsh)

esso modo e per le forme di onde irriconoscibili

6

Con Vd = Vm/2 ed Id = Im/2 ; Vm = √2 Vs

la potenza è data da P = R Iod2 = R Vd2/R2 = Vm2/4R - 2 Vs2/4 R - Vs2/2 R

Il valore medio della tensione d'uscita è:

Vd = 1/2 π02 π Vd d(ω,t) = 1/2 π0π √2 Vs sen(ω,t) d ω,t) +

+ 1/2 ππ2 π 0 d(ω,t) = √2/2 π [- Cos(ω,t)]π0 = √2 Vc/π = 0,45 Vs

per la corrente si ottiene il analogo : Icd = 0,45 Is

Il valore di tensione picco picco sarà:

Vpp = Vm - Θ = √2 Vs → Vpp Vpp/Vd 10 = √2 Vs/√2 Vc 10 = 314 V.

Il valore efficace della corrente è:

Is = Icd (in quanto siamo in lato AC) = Im/2 = Vm/2 R = √2 V/2 R

la potenza apparente è: = Vt √2 Vs/2 R = Vs2/2 R 1/√2 = SN/√2

Pd = V/2 R

quindi posso calcolare il power factor PF usando la definizione.

Chiamiamole della terna supponiamo che i diodi che

conducono ed i diodi che sono interdetti dipendono

dalla forma d'onda vS:

  • se vS > 0 allora D1 e D2 conducono
  • se vS < 0 allora D3 e D4 conducono

Ad ogni semiperiodo della vS conducismo solo due

diodi per volta.

Sovrapponiamo di ovare ej tensamoli on un carico

resistivo.

Nella pagina seguente

sono esposti gli schemi

a regime per la

semionda positive e

negative di vS con

relativi pacani della

corrente.

Come si passa dalla condizione di regime 2) a 1)? Cosa accade durante questo transitorio? Accade che la correntenon arriva istantaneamente al valore di regime a causa della presenza di Ls.

Per wt < α conducono il diodoD3, per α < wt < u hoper l'appunto il transitorio di commutazione in cui D1, D3 conduconono entrambi, per wt > u conduceora solo D1.

Analizziamo il tutto nel dettaglio partendo da wt < α:

Siamo nella semionda negativa di Vs conduce solo D3una corrente iD3 = Idsuperato α entriamo nella semionda positiva di Vs,inizia quindi a condurre D1, in quanto è polarizzato dell'anodo, ma la corrente iD1 nonsi annulla istantaneamente D3 conducono per tutto α < wt < u:

iD1 = is durante iliD3 = Id - is transitorio

Il circuito che ritroviamo per wt > u è quello della conduzione di regime che vede D1 inconduzione e D3 polarizzato inversamente!

21

Durante la semionda positiva di VS avremo due fenomeni:

VS > vd: il capacitore Cd si carica in quanto il diodo è polarizzato direttamente e quindi conduce una corrente di conduzione. La capacità in questo punto varia per ωt < θ.

VS < vd: esso svolge il diodo è polarizzato inversamente in quanto il capacitore si trova ad un potenziale maggiore rispetto VS. Esso quindi si scaricherà sulle RL in questo punto ωt = θ per ωt = θ.

vd = {i Vm sen (ωt)       per   VS > vd     (diodo ON)Vo ewt/ωRC       per   VS < vd     (diodo OFF)}

Nello negativo Vo = Vm sen θ

C, avendo tenuto presente la doppia della Vo per a su.

La pulsione della entrata oh antrico del capacitore è,

d/dt [Voe ewt/ωRC] - d/dt [Vm senθ e-wt/ωRC] = Vm senθ (-1/ωRC)ewt/ωRC

monto la pulsione della entrata di conto del capacitore è:

d/dt [Vm sen (ωt)] = Vm cos (ωt)

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Publisher
A.A. 2020-2021
160 pagine
SSD Ingegneria industriale e dell'informazione ING-INF/01 Elettronica

I contenuti di questa pagina costituiscono rielaborazioni personali del Publisher Giancost94 di informazioni apprese con la frequenza delle lezioni di elettronica di potenza e studio autonomo di eventuali libri di riferimento in preparazione dell'esame finale o della tesi. Non devono intendersi come materiale ufficiale dell'università Università degli Studi di Catania o del prof Scelba Giacomo.